Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型

1

作者 翟培卓 洪根深 +3 位作者 王印权 郑若成 谢儒彬 张庆东 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期154-160,共7页

Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程... Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程阈值电压、Sense管擦除阈值电压、Switch管编程阈值电压、Switch管擦除阈值电压共四个回归模型。结果表明:所建立模型预测阈值电压的最大误差均不超过0.15 V,平均误差均不超过0.06 V,均具有较高的显著性,模型可信度高;Sense管和Switch管编程阈值电压与编程时间的对数、编程正压、编程负压分别呈线性关系,Sense管和Switch管擦除阈值电压与擦除时间的对数、擦除正压、擦除负压亦分别呈线性关系。回归模型可为Flash开关单元操作波形的设计和优化提供参考依据。 展开更多

关键词 正交试验 FLASH 开关单元 阈值电压 回归模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

Trench型N-Channel MOSFET低剂量率效应研究

2

作者 徐海铭 唐新宇 +4 位作者 徐政 廖远宝 张庆东 谢儒彬 洪根深 《微电子学与计算机》 2024年第5期134-139,共6页

基于抗辐射100V Trench型N-Channel MOSFET开展了不同剂量率的总剂量辐射实验并进行了分析,创新性提出了器件随低剂量率累积以及不同偏置状态下的变化趋势和机理,给出了器件实验前后的转移曲线和直流参数,进行了二维数值仿真比较,证明... 基于抗辐射100V Trench型N-Channel MOSFET开展了不同剂量率的总剂量辐射实验并进行了分析,创新性提出了器件随低剂量率累积以及不同偏置状态下的变化趋势和机理,给出了器件实验前后的转移曲线和直流参数,进行了二维数值仿真比较,证明了实验和仿真的一致性。研究表明:随高剂量率的剂量增加,器件阈值电压(V_(TH))发生了明显负向漂移现象,导通电阻(R_(DSON))出现5%左右的降低,击穿电压(BV_(DS))保持基本不变;低剂量率下总剂量效应与高剂量率有明显不同,阈值电压漂移量减小,同时出现正向漂移现象;此时导通电阻(R_(DSON))和击穿电压(BV_(DS))较高剂量率变化量进一步下降。研究认为,低剂量率下器件界面缺陷电荷增加变多,使得阈值电压的漂移方向发生改变,同时低剂量率实验周期是高剂量率的500倍,退火效应也较高剂量率的明显,导致器件参数辐射前后差异性减小。 展开更多

关键词 槽型场效应管 总剂量电离效应 阈值漂移 低剂量率

在线阅读 下载PDF 职称材料

BCD工艺中大电流下纵向双极晶体管的电流集边效应研究 被引量：1

3

作者 彭洪 王蕾 +3 位作者 谢儒彬 顾祥 李燕妃 洪根深 《电子与封装》 2024年第3期87-91,共5页

在大电流条件下,随着电流密度的增加,发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺,在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75μm×4μm、50μm×6μm... 在大电流条件下,随着电流密度的增加,发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺,在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75μm×4μm、50μm×6μm、30μm×10μm三种不同尺寸的发射极并进行TCAD仿真研究。在发射极面积相同的情况下,发射极长宽比越小,TCAD可观察到的电流集边效应越严重,最终流片并进行测试验证,得出75μm×4μm的细长结构尺寸能够提升晶体管在大电流下的放大能力,较30μm×10μm的结构提升约11.4%。 展开更多

关键词 双极晶体管 功率 发射区结电流集边效应 大电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

0.5μm部分耗尽SOI MOSFET中的寄生双极效应 被引量：1

4

作者 洪根深 顾爱军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期131-134,共4页

0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为... 0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为关键。在器件处于浮体状态时,0.5μm SOI NMOSFET的寄生双极器件很容易被触发,导致单管闭锁。因此,在设计抗辐射SOI电路时,需要尽量降低SOI NMOSFET寄生双极效应,以提高电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。 展开更多

关键词 绝缘体上硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 双极效应 NPN晶体管 抗辐射

在线阅读 下载PDF 职称材料

超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究 被引量：3

5

作者 洪根深 肖志强 +3 位作者 高向东 何玉娟 徐静 陈正才 《电子与封装》 2009年第2期32-34,共3页

在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的"反弹"现象[1,2]。文章研究的SOINMOS的阈值电压并没有出现文献中所述的"反弹",原因可能和具体的... 在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的"反弹"现象[1,2]。文章研究的SOINMOS的阈值电压并没有出现文献中所述的"反弹",原因可能和具体的工艺有关。另外,通过工艺器件仿真和辐射试验验证,SOI器件在超高总剂量辐射后的漏电不仅仅来自于阈值电压漂移所导致的背栅甚至前栅的漏电流,而是主要来自于前栅的界面态的影响。这样,单纯的对埋层SiO2进行加固来减少总剂量辐射后埋层SiO2中的陷阱正电荷,并不能有效提高SOIMOS器件的抗超高总剂量辐射性能。 展开更多

关键词 SOI 总剂量辐射 辐射加固

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究 被引量：2

6

作者 洪根深 吴建伟 +1 位作者 高向东 王栩 《电子与封装》 2013年第11期33-35,共3页

基于ONO(Oxide-Nitride-Oxide)和MTM(Metal-to-Metal)反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后电阻小等优势,更加适合深亚微米集成电路。文章通过制备MTM... 基于ONO(Oxide-Nitride-Oxide)和MTM(Metal-to-Metal)反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后电阻小等优势,更加适合深亚微米集成电路。文章通过制备MTM反熔丝单元,对单元的击穿特性和漏电性能展开研究,给出了反熔丝单元漏电流与单元尺寸的关系,对单元的编程电流和编程后的电阻值关系进行了研究,与文献[1]给出的R on=V f/I p的关系基本一致。 展开更多

关键词 MTM反熔丝 ONO反熔丝 可编程器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

STI场区加固NMOS器件总剂量效应 被引量：10

7

作者 谢儒彬 吴建伟 +2 位作者 陈海波 李艳艳 洪根深 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第5期805-810,共6页

基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使STI/衬底界面处的P型硅反型阈值提高,从而增强NMOS器件的抗辐射能力。实验表明,加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压无明显漂移,漏电流... 基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使STI/衬底界面处的P型硅反型阈值提高,从而增强NMOS器件的抗辐射能力。实验表明,加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压无明显漂移,漏电流保持在10-12量级,其抗辐射性能明显优于非加固NMOS器件。通过STI场区加固工艺的研究,可有效提高电路的抗总剂量辐射能力,同时避免设计加固造成芯片面积增大的问题。 展开更多

关键词 辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm

在线阅读 下载PDF 职称材料

用SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力 被引量：10

8

作者 赵凯 高见头 +5 位作者 杨波 李宁 于芳 刘忠立 肖志强 洪根深 《信息与电子工程》 2010年第1期91-95,共5页

提高静态随机存储器(SRAM)的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基... 提高静态随机存储器(SRAM)的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基SRAM芯片的抗单粒子翻转能力,突破了SOI CMOS加固工艺和128kb SRAM电路设计等关键技术,研制成功国产128kb SOI SRAM芯片。对电路样品的抗单粒子摸底实验表明,其抗单粒子翻转线性传输能量阈值大于61.8MeV/(mg/cm2),优于未做加固设计的体硅CMOS SRAM。结论表明,基于SOI技术,仅需进行器件结构和存储单元的适当考虑,即可达到较好的抗单粒子翻转能力。 展开更多

关键词 绝缘体上硅 静态随机存储器 抗单粒子翻转 设计加固

在线阅读 下载PDF 职称材料

抗辐射数字电路加固技术研究 被引量：5

9

作者 徐大为 徐静 +4 位作者 肖志强 高向东 洪根深 陈玉蓉 周淼 《电子与封装》 2012年第2期37-39,48,共4页

文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法:通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能... 文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法:通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能力。为了验证加固方法的可靠性,设计了一款电路进行抗总剂量、抗瞬态剂量率、抗中子辐射、抗单粒子辐射等多种试验。通过辐照试验结果可以看到,采用抗辐照方法设计的电路具有较强的抗辐照能力,为今后抗辐照电路的研制和开发奠定了坚实的基础。 展开更多

关键词 抗辐射 SOI 总剂量

在线阅读 下载PDF 职称材料

MTM反熔丝单元编程特性研究 被引量：3

10

作者 王印权 刘国柱 +2 位作者 徐海铭 郑若成 洪根深 《电子与封装》 2015年第3期35-37,48,共4页

主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻... 主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。 展开更多

关键词 MTM反熔丝单元 编程电阻 编程电压 编程次数

在线阅读 下载PDF 职称材料

MTM反熔丝单元的辐照特性研究 被引量：3

11

作者 王印权 郑若成 +2 位作者 徐海铭 吴素贞 洪根深 《电子与封装》 2017年第4期34-38,共5页

对MTM反熔丝单元的总剂量辐照特性进行了研究,对未编程和编程后两种状态的反熔丝单元在不同电压偏置条件下进行总剂量辐照(Co^(60)-γ射线),辐照总剂量为2 Mrad(Si)。辐照试验结果显示,未编程状态下的MTM反熔丝单元的电压-电流特性曲线... 对MTM反熔丝单元的总剂量辐照特性进行了研究,对未编程和编程后两种状态的反熔丝单元在不同电压偏置条件下进行总剂量辐照(Co^(60)-γ射线),辐照总剂量为2 Mrad(Si)。辐照试验结果显示,未编程状态下的MTM反熔丝单元的电压-电流特性曲线基本保持不变,漏电流变化率小于10%。编程后反熔丝单元的电阻特性保持不变,并且编程电阻大小对辐照试验结果无显著影响。试验结果表明,MTM反熔丝单元的抗总剂量(Co^(60)-γ射线)辐照能力达到2 Mrad(Si)以上。 展开更多

关键词 MTM 反熔丝 总剂量效应

在线阅读 下载PDF 职称材料

90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究 被引量：3

12

作者 朱少立 汤偲愉 +4 位作者 刘国柱 曹立超 洪根深 吴建伟 郑若成 《电子与封装》 2018年第8期36-40,43,共6页

研究了基于90 nm e FLASH工艺制备的浮栅型P-Channel FLASH单元的总剂量电离辐射效应,主要研究了FLASH单元随总剂量增加的变化规律及编程/擦除时间对FLASH单元抗总剂量能力的影响。研究表明:随着总剂量的增加,浮栅型P-FLASH器件"开... 研究了基于90 nm e FLASH工艺制备的浮栅型P-Channel FLASH单元的总剂量电离辐射效应,主要研究了FLASH单元随总剂量增加的变化规律及编程/擦除时间对FLASH单元抗总剂量能力的影响。研究表明:随着总剂量的增加,浮栅型P-FLASH器件"开"态驱动能力(Idsat)、"关"态漏电(Ioff)及跨导(gm)未发生明显退化,但"擦除/编程"态的阈值窗口明显减小,且呈现"编程"态阈值电压(VTP)下降幅度较"擦除"态(VTE)快的特征;编程/擦除时间的增加会导致FLASH单元阈值电压漂移量,对编程态FLASH单元,编程时间的增大导致阈值电压漂移量增大,而对于擦除态器件FLASH单元,擦除时间的增加导致阈值电压漂移量减小。综上所述,总剂量的增加仅引起浮栅型P-FLASH单元阈值电压的漂移,即浮栅内电荷的转移;编程/擦除时间的增加导致FLASH单元阈值电压漂移量的差异,主要是由于编程/擦除应力时间的增加导致隧道氧化层及界面处陷阱电荷的引入所引起的。 展开更多

关键词 浮栅型P-FLASH 总剂量电离效应 编程/擦除时间 阈值电压漂移

在线阅读 下载PDF 职称材料

抗辐射0.18μm NMOS器件热载流子效应研究 被引量：2

13

作者 谢儒彬 张庆东 +2 位作者 纪旭明 吴建伟 洪根深 《电子与封装》 2017年第4期30-33,48,共5页

基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化。研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5... 基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化。研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5.75年,满足在1.1 Vdd电压下工作寿命大于0.2年的规范要求。探索总剂量辐射效应与热载流子效应的耦合作用,对比辐照与非辐照器件的热载流子损伤,器件经辐照并退火后,受到的热载流子影响变弱。评估加固工艺对器件HCI可靠性的影响,结果表明场区总剂量加固工艺并不会造成热载流子损伤加剧的问题。 展开更多

关键词 辐射加固 总剂量效应 热载流子效应 0.18μm

在线阅读 下载PDF 职称材料

总剂量辐射对0.5μm部分耗尽SOI CMOS器件的影响 被引量：2

14

作者 谢儒彬 吴建伟 +2 位作者 洪根深 罗静 陈海波 《电子与封装》 2015年第4期41-45,共5页

介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移,泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad(Si)的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型(无场... 介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移,泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad(Si)的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型(无场区边缘)NMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.1 V;对于H型PMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.15 V;未发现由辐射引起的显著漏电。32位DSP电路在500 krad(Si)范围内,静态电流小于1 m A。通过实验数据表明,在较高剂量辐射条件下,利用该工艺制造的ASIC电路拥有良好的抗总剂量辐射性能。 展开更多

关键词 注氧隔离 绝缘体上硅 辐射加固 总剂量

在线阅读 下载PDF 职称材料

抗辐照SOI 256kB只读存储器的ESD设计 被引量：1

15

作者 罗静 颜燕 +2 位作者 罗晟 洪根深 胡永强 《电子与封装》 2011年第9期27-31,共5页

ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI/CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点,阐述了从工艺、器件和电路三个... ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI/CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点,阐述了从工艺、器件和电路三个方面如何密切配合,进行SOI电路ESD设计的分析思路和解决方法。电路基于0.8μm单多晶三层铝部分耗尽SOI/CMOS工艺技术研制成功,采用文中提出的SOI电路的ESD设计思路、方法以及网络,ESD试验结果显示该电路的人体模型ESD等级已经超过了4kV的水平。 展开更多

关键词 静电放电 SOI 栅控二极管 只读存储器

在线阅读 下载PDF 职称材料

驱动能力对SOI SRAM单元单粒子效应的影响仿真 被引量：2

16

作者 徐静 陈玉蓉 洪根深 《电子与封装》 2012年第7期34-37,共4页

采用silvaco软件对抗辐射不同沟道宽度的PD SOI NMOS器件单元进行了三维SEU仿真,将瞬态电流代入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟。通过这种电路模拟的方法,可以得到SRAM存储单元的LET阈值。通过对比LET... 采用silvaco软件对抗辐射不同沟道宽度的PD SOI NMOS器件单元进行了三维SEU仿真,将瞬态电流代入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟。通过这种电路模拟的方法,可以得到SRAM存储单元的LET阈值。通过对比LET阈值的实际测量值,验证了这种方法的实用性,并对不同驱动能力的SRAM单元进行了翻转效应的对比。在NMOS和PMOS驱动比相同的情况下,沟道宽度越大,SRAM的翻转LET阈值反而越高。 展开更多

关键词 SOI SEU 三维仿真

在线阅读 下载PDF 职称材料

Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性

17

作者 刘国柱 洪根深 +4 位作者 于宗光 吴建伟 赵文彬 曹利超 李冰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期510-516,共7页

基于0.13μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究。该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管（T_1）和信号传输管（T_2）组成,采用带带遂穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）遂穿擦除方... 基于0.13μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究。该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管（T_1）和信号传输管（T_2）组成,采用带带遂穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）遂穿擦除方式实现了其＂开/关＂态功能,并对其＂开/关＂态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性。实验结果表明,该单元具有较优的＂开/关＂态特性和电参数一致性,T_1/T_2管阈值窗口的均值、均一性分别约为9.2 V和2.4%;在工作电压为-1.5 V条件下,T_2管＂关＂态的漏电流均在1 p A/μm以下,T_2管＂开＂态的驱动电流均值为116.22μA/μm,均一性为5.61%;该单元循环擦/写次数可达10 000次。同时,在25℃的＂开/关＂态应力条件下,该Sence-Switch型pFLASH单元寿命大于10年。 展开更多

关键词 Sence-Switch型pFLASH单元 阈值窗口 耐久性 保持性 “开/关”态

在线阅读 下载PDF 职称材料

Push-Pull型pFLASH开关单元结构设计及特性

18

作者 刘国柱 洪根深 +5 位作者 于宗光 赵文彬 曹利超 吴素贞 李燕妃 李冰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期652-658,663,共8页

基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究。该结构由2个2T-FLASH管（T1/T2）和1个信号传输PMOS管（T3）组成,采用带带隧穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）擦除方式实现... 基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究。该结构由2个2T-FLASH管（T1/T2）和1个信号传输PMOS管（T3）组成,采用带带隧穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）擦除方式实现其＂开/关＂态功能。同时,对其＂开/关＂态特性进行表征,研究其耐久性和电荷保持特性,最后,对其抗总剂量（TID）能力进行评估。实验结果表明：该器件的＂T1编程-T2擦除＂与＂T1擦除-T2编程＂态均可以实现信号传输管的＂开/关＂态功能,其阈值窗口的均值约为10.5 V;在工作电压为-1.2 V条件下,T3管的＂开＂态驱动电流均值约为0.92 mA,＂关＂态漏电流低于40 pA,且均表现出了良好的一致性。同时,该器件的循环擦/写次数可达10 000次,在25℃的＂开/关＂态应力条件下寿命大于10年,抗总剂量能力可达150 krad（Si）以上。 展开更多

关键词 Push-Pull型pFLASH开关单元 “开/关”态 阈值窗口 电荷保持性 总剂量(TID)

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于电容结构的α-SiGe∶H膜电学退化特性

19

作者 郑若成 吴素贞 +3 位作者 洪根深 王印权 徐海铭 吴建伟 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第7期526-531,576,共7页

针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符合热电子发射-扩散模型,并计算得到零偏α-SiGe∶H/TiW界面肖特基势垒高度为0.41 eV。通过实验发现,在电... 针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符合热电子发射-扩散模型,并计算得到零偏α-SiGe∶H/TiW界面肖特基势垒高度为0.41 eV。通过实验发现,在电压应力作用下,α-SiGe∶H膜漏电随时间增大并逐渐饱和,且不同应力电压下对应饱和漏电大小及饱和点时间不同。分析应力下漏电增大与非晶网络弱键断裂造成的缺陷相关,漏电机制由初始的扩展态主导转变为由缺陷密度决定的局域态主导,漏电饱和归因于α-SiGe∶H膜中缺陷密度的饱和,采用近邻跳跃电导模型可以很好地拟合实测J-V曲线,并计算得到饱和缺陷密度为5×10^19 eV^-1·cm^-3。 展开更多

关键词 一次可编程(OTP)存储器 α-SiGe∶H膜 肖特基接触 热电子发射-扩散模型 跳跃电导机制

在线阅读 下载PDF 职称材料

0.8μm PD SOI MOS器件研究 被引量：1

20

作者 肖志强 洪根深 张波 《电子与封装》 2005年第6期35-39,共5页

本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述。

关键词 PD SOI KINK效应 热载流子效应 自加热效应

在线阅读 下载PDF 职称材料