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改进型抗单粒子效应D触发器被引量：4: 1; 作者赵金薇沈鸣杰程君侠《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期26-28,32,共4页; 在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度... 展开更多; 关键词抗辐射加固单粒子效应单粒子翻转单粒子瞬变 D触发器; 在线阅读下载PDF 职称材料

22nm FDSOI工艺SRAM单粒子效应的重离子实验研究被引量：2: 2; 作者赵雯赵凯 +4 位作者陈伟沈鸣杰王坦郭晓强贺朝会《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期537-545,共9页; 针对22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺静态随机存储器(SRAM)开展了重离子实验,对比了不同加固设计的FDSOI SRAM的抗单粒子翻转(SEU)和多单元翻转(MCU)能力,分析了读写错误致存储阵列MCU的效应表征和作用机制,揭示了衬底偏置对FDSOI SRA... 展开更多; 关键词单粒子效应重离子全耗尽绝缘体上硅静态随机存储器; 在线阅读下载PDF 职称材料

浮栅器件和普通NMOS器件总剂量效应对比研究被引量：3: 3; 作者董艺沈鸣杰刘岐《航天器环境工程》 2018年第5期468-472,共5页; 为深入了解应用NOR Flash工艺的多种器件的总剂量特性,特别是浮栅器件的特殊总剂量效应,开展了浮栅器件和多种NMOS器件总剂量效应的对比试验。基于器件级测试芯片,进行了多种剂量的总剂量试验和高温退火试验,分析了不同器件在总剂量辐... 展开更多; 关键词 Flash工艺浮栅器件 NMOS器件总剂量效应漏电流阈值电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究被引量：2: 4; 作者刘岐沈鸣杰董艺《航天器环境工程》 2019年第3期264-270,共7页; 文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦... 展开更多; 关键词浮栅型Flash存储器电离总剂量效应擦写耐久数据保持可靠性试验研究; 在线阅读下载PDF 职称材料

超薄全耗尽SOI器件的总剂量效应研究被引量：3: 5; 作者李宁赵凯沈鸣杰《集成电路应用》 2019年第9期20-22,共3页; 研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏置条件进行了总剂量辐照试验。试验结果表明,采用超薄SOI材料制造的MSOFET,由总剂量辐照导致阈值漂移现象... 展开更多; 关键词集成电路 SOI 全耗尽总剂量辐照 NMOSFET; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名改进型抗单粒子效应D触发器被引量：4: 1; 作者赵金薇沈鸣杰程君侠; 机构复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期26-28,32,共4页; 文摘在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题。; 关键词抗辐射加固单粒子效应单粒子翻转单粒子瞬变 D触发器; Keywords radiation hardening SEE SEU SET D flip flop; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名22nm FDSOI工艺SRAM单粒子效应的重离子实验研究被引量：2: 2; 作者赵雯赵凯陈伟沈鸣杰王坦郭晓强贺朝会; 机构西安交通大学核科学与技术学院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室上海复旦微电子集团股份有限公司; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期537-545,共9页; 基金国家自然科学基金重大项目(11690043,11690040)。; 文摘针对22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺静态随机存储器(SRAM)开展了重离子实验,对比了不同加固设计的FDSOI SRAM的抗单粒子翻转(SEU)和多单元翻转(MCU)能力,分析了读写错误致存储阵列MCU的效应表征和作用机制,揭示了衬底偏置对FDSOI SRAM SEU敏感性的影响机理。研究结果表明:对5款被测FDSOI SRAM而言,抗SEU能力由弱到强依次为八管加固型SRAM2、冗余加固型SRAM1、双互锁结构(DICE)型SRAM3或SRAM4、双DICE型SRAM5;3款DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU性能优于其他两款SRAM;虽然DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU能力强,但读写错误致存储阵列MCU的影响不可忽略,且该影响随SRAM工作频率的提高愈加严重;衬底偏置通过对寄生双极放大效应的控制来影响FDSOI SRAM的SEU敏感性。; 关键词单粒子效应重离子全耗尽绝缘体上硅静态随机存储器; Keywords single event effect heavy ion fully depleted silicon on insulator static random array memory; 分类号 TN79 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名浮栅器件和普通NMOS器件总剂量效应对比研究被引量：3: 3; 作者董艺沈鸣杰刘岐; 机构上海复旦微电子集团股份有限公司; 出处《航天器环境工程》 2018年第5期468-472,共5页; 基金国家重大科技专项工程; 文摘为深入了解应用NOR Flash工艺的多种器件的总剂量特性,特别是浮栅器件的特殊总剂量效应,开展了浮栅器件和多种NMOS器件总剂量效应的对比试验。基于器件级测试芯片,进行了多种剂量的总剂量试验和高温退火试验,分析了不同器件在总剂量辐照下的不同特性,所关注的特性包括器件的漏电流变化和阈值电压变化。通过试验发现浮栅器件受总剂量辐照后会产生弱编程效应且该效应无法通过退火恢复。这一研究成果为抗辐射Flash产品的抗总剂量加固设计提供了依据。; 关键词 Flash工艺浮栅器件 NMOS器件总剂量效应漏电流阈值电压; Keywords Flash technique floating gate device NMOS device total ionizing dose effect leakage current threshold voltage; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学] V416.5 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究被引量：2: 4; 作者刘岐沈鸣杰董艺; 机构上海复旦微电子集团股份有限公司; 出处《航天器环境工程》 2019年第3期264-270,共7页; 基金国家重大科技专项工程; 文摘文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦写特性的影响较小,甚至可以忽略;总剂量效应对数据保持的影响主要表现在辐射致电荷泄漏,若总剂量效应试验后刷新数据,则其影响几乎可以忽略。为了减小辐射致电荷泄漏对数据保持的影响,在系统级应用上建议增加数据刷新次数。; 关键词浮栅型Flash存储器电离总剂量效应擦写耐久数据保持可靠性试验研究; Keywords floating gate flash memory TID effect endurance data retention reliability test study; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学] V416.5 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超薄全耗尽SOI器件的总剂量效应研究被引量：3: 5; 作者李宁赵凯沈鸣杰; 机构上海复旦微电子集团股份有限公司; 出处《集成电路应用》 2019年第9期20-22,共3页; 基金上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1300303); 文摘研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏置条件进行了总剂量辐照试验。试验结果表明,采用超薄SOI材料制造的MSOFET,由总剂量辐照导致阈值漂移现象有所减弱。其中,OFF状态为最劣辐照条件。此外,背栅偏置条件对于MSOFET的性能也造成了较大的影响,NMSOFET在背栅正偏时,会导致阈值电压的降低从而提高器件的驱动电流,改善电路性能;而PMOSFET则在背栅负偏时出现类似的现象。; 关键词集成电路 SOI 全耗尽总剂量辐照 NMOSFET; Keywords integrated circuit SOI fully-depleted total ionizing dose effect NMOSFET; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	改进型抗单粒子效应D触发器	赵金薇沈鸣杰程君侠	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	22nm FDSOI工艺SRAM单粒子效应的重离子实验研究	赵雯赵凯陈伟沈鸣杰王坦郭晓强贺朝会	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	浮栅器件和普通NMOS器件总剂量效应对比研究	董艺沈鸣杰刘岐	《航天器环境工程》	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究	刘岐沈鸣杰董艺	《航天器环境工程》	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	超薄全耗尽SOI器件的总剂量效应研究	李宁赵凯沈鸣杰	《集成电路应用》	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料