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MOCVD工艺中使用的特种气体
1
作者
徐稼迟
沈能珏
《低温与特气》
CAS
1985年第4期37-39,共3页
一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。
关键词
MOCVD工艺
特种气体
化学气相淀积法
MOCVD法
化合物半导体
金属氢化物
金属有机物
挥发性
相类似
硅外延
在线阅读
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职称材料
题名
MOCVD工艺中使用的特种气体
1
作者
徐稼迟
沈能珏
出处
《低温与特气》
CAS
1985年第4期37-39,共3页
文摘
一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。
关键词
MOCVD工艺
特种气体
化学气相淀积法
MOCVD法
化合物半导体
金属氢化物
金属有机物
挥发性
相类似
硅外延
分类号
TN365 [电子电信—物理电子学]
TQ117 [化学工程—无机化工]
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职称材料
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作者
出处
发文年
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1
MOCVD工艺中使用的特种气体
徐稼迟
沈能珏
《低温与特气》
CAS
1985
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