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基于同步辐射的SGT MOSFET失效无损检测技术 被引量:1
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作者 万荣桂 郑理 +3 位作者 王丁 周学通 沈玲燕 程新红 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期181-186,共6页
屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损... 屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损坏器件的前提下,将烧毁点定位在元胞区域的漂移区。采用开盖检测方式验证了烧毁点位置的准确性,并且通过扫描电子显微镜(SEM)表征烧毁点的微观形貌。最后,通过仿真软件模拟芯片表面的三维图形,并利用TCAD仿真揭示了UIS的失效机理,即电流集中所产生的高温致使漂移区的硅融化。失效机理与实验结果相吻合。 展开更多
关键词 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET 雪崩失效 同步辐射 无损检测 截面拓扑
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长杆弹截面形状对垂直侵彻深度的影响 被引量:15
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作者 高光发 李永池 +1 位作者 刘卫国 沈玲燕 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2011年第3期5-8,共4页
结合现有实验数据,针对圆形、矩形和三角形3种截面形状的5种93W长杆弹对半无限4340钢靶在入射速度为1500~1800m/s时的侵彻进行数值研究。结果表明:数值计算结果与实验吻合较好;对于同种入射速度、相同弹体长度、同种弹体和靶板材料而言... 结合现有实验数据,针对圆形、矩形和三角形3种截面形状的5种93W长杆弹对半无限4340钢靶在入射速度为1500~1800m/s时的侵彻进行数值研究。结果表明:数值计算结果与实验吻合较好;对于同种入射速度、相同弹体长度、同种弹体和靶板材料而言,等截面面积的三角形截面的长杆弹侵彻深度明显高于矩形和圆形截面的侵彻深度,而圆形与矩形之间并没有明显区别;三角形截面长杆弹侵彻过程中的自锐化现象是其侵彻深度明显大于其它两种弹体的主要原因。 展开更多
关键词 爆炸力学 侵彻 异型弹 自锐化
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新型高碱玻璃布材料状态方程的研究
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作者 高光发 李永池 +2 位作者 王志海 沈玲燕 王道荣 《兵器材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2012年第1期5-7,共3页
高碱玻璃布材料在航空航天领域有着较广泛的应用,其高压力学性能的研究逐渐受到人们的关注。针对一种新型高碱玻璃布材料,通过轻气炮实验进行冲击压缩力学性能研究。采用非对称碰撞直接测量法测量并计算激波速度(D)与波后质点速度(u)的... 高碱玻璃布材料在航空航天领域有着较广泛的应用,其高压力学性能的研究逐渐受到人们的关注。针对一种新型高碱玻璃布材料,通过轻气炮实验进行冲击压缩力学性能研究。采用非对称碰撞直接测量法测量并计算激波速度(D)与波后质点速度(u)的D-u型的Hugoniot曲线,并以Hugoniot曲线为基础建立该材料的Grüneisen状态方程,求得相应的材料参数。 展开更多
关键词 高碱玻璃布 Hugoniot线 Grüneisen模型 状态方程
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p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀 被引量:3
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作者 钱茹 程新红 +4 位作者 郑理 沈玲燕 张栋梁 顾子悦 俞跃辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期449-455,共7页
p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入(GIT)型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体(SF6/BCl3和Cl2/N2/O2)及不同的刻蚀掩膜层(SiO2,Si3N4和光刻胶)对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原... p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入(GIT)型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体(SF6/BCl3和Cl2/N2/O2)及不同的刻蚀掩膜层(SiO2,Si3N4和光刻胶)对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原子力显微镜(AFM)对刻蚀沟槽的表面形貌进行表征,并通过I-V测试其电学性能。结果显示,以Cl2/N2/O2为刻蚀气体,且体积流量为18,10和2 cm^3/min时,p-GaN刻蚀速率稳定且与AlGaN的刻蚀选择比较高(约30),并且可使p-GaN刻蚀自动停止在AlGaN界面处。此外,以Si3N4作为刻蚀掩膜,可以获得表面光滑、无微沟槽且侧壁垂直度较好的沟槽结构。采用上述刻蚀工艺制备的GIT结构器件的漏端关态电流相比肖特基栅降低约2个量级,阈值电压约为0.61 V,峰值跨导为36 m S/mm。 展开更多
关键词 GAN 选择性刻蚀 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 ALGAN/GAN HEMT 刻蚀形貌
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基于纵向胸部CT的影像组学深度学习预测肺结核患者疗效的研究
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作者 阿布都热苏力·吐尔孙 阿布都克尤木江·阿布力孜 +3 位作者 帕提曼·买买提 黄陈翠 沈玲燕 马依迪丽·尼加提 《中国防痨杂志》 北大核心 2025年第8期1044-1052,共9页
目的:探索利用多期胸部CT扫描的深度学习模型,预测肺结核药物治疗效果。方法:收集2020年1月至2024年1月在新疆喀什地区第一人民医院住院接受治疗的279例肺结核患者的多时序胸部CT影像数据,包括治疗前CT和治疗后CT。提取3386个影像组学特... 目的:探索利用多期胸部CT扫描的深度学习模型,预测肺结核药物治疗效果。方法:收集2020年1月至2024年1月在新疆喀什地区第一人民医院住院接受治疗的279例肺结核患者的多时序胸部CT影像数据,包括治疗前CT和治疗后CT。提取3386个影像组学特征,构建包括基于治疗前、治疗后、结合治疗前后的胸部CT影像组学模型、基于治疗后与治疗前影像特征变化、基于治疗前后的深度学习ResNet18模型等5种预测模型。模型性能通过受试者工作特征曲线下面积(AUC)等指标进行评估,并采用SHAP和Grad-CAM技术进行模型解释和可视化。结果:结合治疗前和治疗后CT数据的模型,在训练集和测试集上分别取得了0.845和0.770的AUC。深度学习模型在训练集和验证集上的AUC分别达到0.883和0.858。结论:基于纵向胸部CT影像的深度学习模型在肺结核疗效预测中展现出良好的性能,能够为个性化治疗和资源优化提供支持。 展开更多
关键词 结核 治疗结果 预测 人工智能 放射摄影术
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