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SiO_2/Ge:SiO_2/SiO_2夹层结构红外光发射的起源
被引量：
3
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作者
沈今楷
吴兴龙
+3 位作者
袁仁宽
谭超
邓树胜
鲍希茂
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期339-342,共4页
我们借助傅立叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）以及光致激发谱（ＰＬＥ），研究了 ＳｉＯ_２／Ｇｅ：ＳｉＯ_２／ＳｉＯ_２夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明，该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位...
我们借助傅立叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）以及光致激发谱（ＰＬＥ），研究了 ＳｉＯ_２／Ｇｅ：ＳｉＯ_２／ＳｉＯ_２夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明，该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位，而与锗的氧化物紧密相关。ＰＬＥ的结果证实它们来源于ＧｅＯ色心ＴⅡ’→Ｓ０的光学跃迁，给出的ＧｅＯ电子态模型描述了载流子激发和复合的过程。
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关键词
光荧光
磁控溅射
红外光发射
GeO色心
SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构
二氧化硅
锗
混合物薄膜
氧化锗
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职称材料
压力传感器芯片的低温玻璃封接技术
被引量：
5
2
作者
沈今楷
孙以材
+4 位作者
常志宏
贾德贵
孟庆浩
高振斌
杨瑞霞
《传感器技术》
CSCD
1999年第1期10-12,共3页
在硅杯背面制备过渡层，然后用低温玻璃焊料将压力传感器芯片与玻璃基座封接在一起，有效地降低了热应力。采用这种新工艺制造出的压力传感器，性能良好，封接强度达７ＭＰａ，提高了可靠性与稳定性。
关键词
压力传感器
芯片封接技术
低温玻璃
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职称材料
题名
SiO_2/Ge:SiO_2/SiO_2夹层结构红外光发射的起源
被引量：
3
1
作者
沈今楷
吴兴龙
袁仁宽
谭超
邓树胜
鲍希茂
机构
南京大学物理系固体微结构国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期339-342,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(59832100
59772038)
文摘
我们借助傅立叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）以及光致激发谱（ＰＬＥ），研究了 ＳｉＯ_２／Ｇｅ：ＳｉＯ_２／ＳｉＯ_２夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明，该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位，而与锗的氧化物紧密相关。ＰＬＥ的结果证实它们来源于ＧｅＯ色心ＴⅡ’→Ｓ０的光学跃迁，给出的ＧｅＯ电子态模型描述了载流子激发和复合的过程。
关键词
光荧光
磁控溅射
红外光发射
GeO色心
SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构
二氧化硅
锗
混合物薄膜
氧化锗
Keywords
photoluminescence
magnetron sputtering
infrared light emission
GeO color center
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
压力传感器芯片的低温玻璃封接技术
被引量：
5
2
作者
沈今楷
孙以材
常志宏
贾德贵
孟庆浩
高振斌
杨瑞霞
机构
河北工业大学电子工程系
出处
《传感器技术》
CSCD
1999年第1期10-12,共3页
基金
河北省自然科学基金
文摘
在硅杯背面制备过渡层，然后用低温玻璃焊料将压力传感器芯片与玻璃基座封接在一起，有效地降低了热应力。采用这种新工艺制造出的压力传感器，性能良好，封接强度达７ＭＰａ，提高了可靠性与稳定性。
关键词
压力传感器
芯片封接技术
低温玻璃
Keywords
Pressure sensors Chip mounting technique Low temperatrue glass
分类号
TH812.06 [机械工程—精密仪器及机械]
TQ171.737 [化学工程—玻璃工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiO_2/Ge:SiO_2/SiO_2夹层结构红外光发射的起源
沈今楷
吴兴龙
袁仁宽
谭超
邓树胜
鲍希茂
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
3
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职称材料
2
压力传感器芯片的低温玻璃封接技术
沈今楷
孙以材
常志宏
贾德贵
孟庆浩
高振斌
杨瑞霞
《传感器技术》
CSCD
1999
5
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职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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