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优化基于PVP的有机双稳态存储器的电性能
1
作者
陆杨
朱睿
+3 位作者
江紫玲
吴国良
张奥
张婕
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第8期1193-1200,共8页
在未来非易失性存储器的应用中,有机双稳态存储器具有良好的发展潜力,但仍缺少对提升存储器性能的简单方法的探究。制备了一系列基于聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)的三明治结构的柔性存储器,发现结构为氧化铟锡(ITO)/聚(3-己基噻吩)(P3HT)(二氯...
在未来非易失性存储器的应用中,有机双稳态存储器具有良好的发展潜力,但仍缺少对提升存储器性能的简单方法的探究。制备了一系列基于聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)的三明治结构的柔性存储器,发现结构为氧化铟锡(ITO)/聚(3-己基噻吩)(P3HT)(二氯苯(DCB))/PVP/Cu的存储器写入电压最低。使用全溶液方法在柔性基底上制备此结构的存储器,并测试了其电性能。结果表明,写入电压为1.0 V,开关(ON/OFF)比为1×10^(5),保留时间达到2×10^(4)s。同时,通过分析其开关机理解释了结构和材料影响存储器性能的原理,加入修饰层P3HT和将金属电极由Al改为Cu,均可使介电层和电极之间的能级更匹配,从而降低载流子运输需克服的势垒;使用X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见(UV-Vis)光谱仪验证了将P3HT的溶剂氯苯换为二氯苯,可增强P3HT分子的有序形态和结晶度,从而提高电荷传输能力以降低存储器写入电压。这将从设计材料和优化结构方面为提高有机存储器性能提供参考。
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关键词
有机双稳态存储器
柔性材料
聚(3-己基噻吩)(P3HT)溶剂效应
氧化铟锡(ITO)
全溶液方法
三明治结构
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职称材料
全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能
2
作者
江紫玲
朱睿
张婕
《半导体技术》
2025年第5期449-458,共10页
有机场效应晶体管(OFET)因其低成本和优异的可兼容特性,是柔性电子领域的重要器件。通过构建聚丙烯酸(PAA)/SU-8双层介电结构,结合全溶液法制备了基于6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯半导体层的OFET。通过原子力显微镜(AFM...
有机场效应晶体管(OFET)因其低成本和优异的可兼容特性,是柔性电子领域的重要器件。通过构建聚丙烯酸(PAA)/SU-8双层介电结构,结合全溶液法制备了基于6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯半导体层的OFET。通过原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪分析表面特性,PAA/SU-8双层薄膜的均方根(RMS)粗糙度(0.284 nm)较PAA单层薄膜(2.77 nm)显著降低,表面接触角(83°)接近SU-8单层薄膜(85°)且明显高于PAA单层薄膜(60°)。采用傅里叶变换红外(FTIR)光谱和LCR测试仪分析不同介电层的界面极性和介电性能,揭示了双介电层通过高电容与低极性界面的协同作用,有效改善了器件的电荷传输效率与稳定性。对PAA/SU-8双层结构OFET的性能进行测试,结果表明,PAA/SU-8双层器件表现出低阈值电压(1.0 V)、高电流开关比(>10^(4))、高迁移率(0.244 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))和良好的亚阈值摆幅(2.5 V/dec),显著优于SU-8单层器件。
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关键词
有机场效应晶体管(OFET)
双层介电结构
聚丙烯酸(PAA)聚电解质
SU-8光刻胶
溶液法
6
13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯
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职称材料
题名
优化基于PVP的有机双稳态存储器的电性能
1
作者
陆杨
朱睿
江紫玲
吴国良
张奥
张婕
机构
江南大学机械工程学院
江南大学先进技术研究院
江南大学江苏省先进食品装备技术重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第8期1193-1200,共8页
文摘
在未来非易失性存储器的应用中,有机双稳态存储器具有良好的发展潜力,但仍缺少对提升存储器性能的简单方法的探究。制备了一系列基于聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)的三明治结构的柔性存储器,发现结构为氧化铟锡(ITO)/聚(3-己基噻吩)(P3HT)(二氯苯(DCB))/PVP/Cu的存储器写入电压最低。使用全溶液方法在柔性基底上制备此结构的存储器,并测试了其电性能。结果表明,写入电压为1.0 V,开关(ON/OFF)比为1×10^(5),保留时间达到2×10^(4)s。同时,通过分析其开关机理解释了结构和材料影响存储器性能的原理,加入修饰层P3HT和将金属电极由Al改为Cu,均可使介电层和电极之间的能级更匹配,从而降低载流子运输需克服的势垒;使用X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见(UV-Vis)光谱仪验证了将P3HT的溶剂氯苯换为二氯苯,可增强P3HT分子的有序形态和结晶度,从而提高电荷传输能力以降低存储器写入电压。这将从设计材料和优化结构方面为提高有机存储器性能提供参考。
关键词
有机双稳态存储器
柔性材料
聚(3-己基噻吩)(P3HT)溶剂效应
氧化铟锡(ITO)
全溶液方法
三明治结构
Keywords
organic bistable memory
flexible material
poly(3-hexylthiophene)(P3HT)solvent effect
indium tin oxide(ITO)
all-solution method
sandwich structure
分类号
O484.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能
2
作者
江紫玲
朱睿
张婕
机构
江南大学机械工程学院
出处
《半导体技术》
2025年第5期449-458,共10页
文摘
有机场效应晶体管(OFET)因其低成本和优异的可兼容特性,是柔性电子领域的重要器件。通过构建聚丙烯酸(PAA)/SU-8双层介电结构,结合全溶液法制备了基于6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯半导体层的OFET。通过原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪分析表面特性,PAA/SU-8双层薄膜的均方根(RMS)粗糙度(0.284 nm)较PAA单层薄膜(2.77 nm)显著降低,表面接触角(83°)接近SU-8单层薄膜(85°)且明显高于PAA单层薄膜(60°)。采用傅里叶变换红外(FTIR)光谱和LCR测试仪分析不同介电层的界面极性和介电性能,揭示了双介电层通过高电容与低极性界面的协同作用,有效改善了器件的电荷传输效率与稳定性。对PAA/SU-8双层结构OFET的性能进行测试,结果表明,PAA/SU-8双层器件表现出低阈值电压(1.0 V)、高电流开关比(>10^(4))、高迁移率(0.244 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))和良好的亚阈值摆幅(2.5 V/dec),显著优于SU-8单层器件。
关键词
有机场效应晶体管(OFET)
双层介电结构
聚丙烯酸(PAA)聚电解质
SU-8光刻胶
溶液法
6
13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯
Keywords
organic field-effect transistor(OFET)
bilayer dielectric structure
polyacrylic acid(PAA)polyelectrolyte
SU-8 photoresist
solution method
6,13-bis(trisopropylsilylethynyl)(TIPS)-pentacene
分类号
TN321.5 [电子电信]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
优化基于PVP的有机双稳态存储器的电性能
陆杨
朱睿
江紫玲
吴国良
张奥
张婕
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能
江紫玲
朱睿
张婕
《半导体技术》
2025
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职称材料
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