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低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究 被引量：1
1
作者 江德生 吕振东 +3 位作者 崔丽秋 周向前 孙宝权 徐仲英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期7-10,共4页
研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）样品的稳态和瞬态发光．从２００℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激子峰有一定蓝移．此外，发现在体ＧａＡｓ上生长ＬＴＧ－Ｇ... 研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）样品的稳态和瞬态发光．从２００℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激子峰有一定蓝移．此外，发现在体ＧａＡｓ上生长ＬＴＧ－ＧａＡｓ薄膜可大大减小体ＧａＡｓ衬底材料中本征发光的衰减时间，但对（ｅ，Ａ°）发光影响不大．用上转换方法对退火和未退火ＬＴＧ－ＧａＡｓ样品瞬态发光进行了测量，获得了关于ＬＴＧ－ＧａＡｓ中复合中心和陷阱中心的信息． 展开更多
关键词 光致发光 砷化镓 分子束外延 瞬态测量 低温
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MOCVD生长AlGaInN外延层的光学性质研究 被引量：1
2
作者 江德生 刘建平 杨辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期193-197,共5页
对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AlInGaN外延层中V-形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系.同时,用波长为325纳米的短波长激光研究了AlInGaN外延薄层的拉曼散射,测... 对AlInGaN四元合金进行了微区发光和拉曼散射研究.根据V-形缺陷周围扫描电镜图像和阴极荧光光谱的分析,确定AlInGaN外延层中V-形缺陷的形成与铟的分凝之间的关系.同时,用波长为325纳米的短波长激光研究了AlInGaN外延薄层的拉曼散射,测量了合金铝组分改变引起的A1(LO)声子的频率移动,观测到了出射共振引起的LO声子拉曼散射谱的共振加强,此共振过程的机制是一种类级联的电子—多声子互作用机制. 展开更多
关键词 氮化物 阴极荧光 拉曼散射 半导体 声波频率 薄膜生长
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GaNAs的声子拉曼散射研究 被引量：1
3
作者 江德生 孙宝权 +2 位作者 谭平恒 李连 和潘钟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期11-14,共4页
对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带... 对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带模 .通过样品在 850度快速热退火前后拉曼谱的对比 。 展开更多
关键词 GaNAs 拉曼散射 局域模振动 分子束外延生长 带模振动 近红外光电子学
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GaInAs／AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究
4
作者 江德生 刘伟 +2 位作者 张耀辉 张永航 K.Ploog 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期121-125,共5页
研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带两个子带填充电子。发光强度则表明，导带第二子带电子波函数在空间上... 研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带两个子带填充电子。发光强度则表明，导带第二子带电子波函数在空间上更扩展，与空间分离的空穴产生发光复合的几率较大。激发光谱提供了样品中异质结结构直接带边附近光吸收过程的信息。 展开更多
关键词 调制掺杂结构 光学性质 砷 镓 铟 铝 外延生长
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量子阱光反射光谱的电调制机理
5
作者 江德生 汤寅生 夏建白 《红外研究》 CSCD 北大核心 1989年第1期15-21,共7页
研究了量子阱材料光反射光谱的电调制机理,根据斯塔克效应,对量子阱中非激子的带间跃迁和激子跃迁两种情况,分析了电场引起的介电函数的改变和相应的光反射调制光谱线形,对GaAs/AlGaAs量子阱所得光反射光谱的实验结果与理论分析基本符合.
关键词 量子阱 调制光谱 光反射
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GaN基激光器的特性 被引量：3
6
作者 张立群 张书明 +3 位作者 江德生 朱建军 赵德刚 杨辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第1期41-44,共4页
GaN基激光器具有广泛的应用。如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一。通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度。当外延片厚度减薄至50μm时,获得近似镜面的腔面。激... GaN基激光器具有广泛的应用。如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一。通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度。当外延片厚度减薄至50μm时,获得近似镜面的腔面。激光器的测量证实了腔面的改善可以降低阈值电流,增加斜率效率。利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响。计算结果说明,增加脊形高度可以增加限制因子,降低远场纵横比。通过测量具有不同脊形高度的器件,证实了脊形高度增加,阈值电流降低、远场纵横比减小。 展开更多
关键词 腔面 脊形高度 阈值电流 斜率效率
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Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性 被引量：2
7
作者 王海龙 朱海军 +4 位作者 封松林 宁东 汪辉 王晓东 江德生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期20-23,共4页
首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响 ,发光强度明显变弱。相信... 首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响 ,发光强度明显变弱。相信该研究对 In As自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。 展开更多
关键词 量子点 光致发光 掺杂 铍 砷化铟
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GaAsSb /GaAs量子阱激光器结构的发光研究 被引量：2
8
作者 江德生 王江波 +8 位作者 C.Navarro 陈志标 俞水清 S.Chaparro S.Johnson 曹勇 张永航 江德生 梁晓甘 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期7-10,共4页
研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光... 研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点．应变补偿量子阱激光器在波长为１．３μｍ附近激射,阈值电流密度约为１．８ｋＡ/ｃｍ２． 展开更多
关键词 GaAsSb 量子阱 激光 光致发光.
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用静压光致发光研究GaAs/AlAs短周期超晶格的Ⅰ一Ⅱ类超晶格转变点 被引量：2
9
作者 李国华 江德生 +2 位作者 韩和相 汪兆平 K.Ploog 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期36-36,共1页
近年来,GaAs/AlAs短周期超晶格的研究受到越来越多的重视。
关键词 光致发光 GAAS/ALAS 晶格 转变点
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半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究 被引量：1
10
作者 陈宜保 江德生 +2 位作者 王若桢 郑红军 孙宝权 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期15-18,共4页
利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面复合而在样品表面形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片... 利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面复合而在样品表面形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法. 展开更多
关键词 表面光伏谱 无损检测 砷化镓 半导体
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p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算 被引量：1
11
作者 吴文刚 张万荣 +1 位作者 江德生 罗晋生 《电子科学学刊》 CSCD 1996年第6期639-643,共5页
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变... 针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～3×10^(19)cm^(-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。 展开更多
关键词 锗硅合金 应变 重掺杂 能带结构 半导体
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玻璃球形微腔中量子点发光行为研究
12
作者 贾锐 江德生 +4 位作者 陈京好 谭平恒 孙宝权 张敬波 林源 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期421-425,共5页
制备出了尺寸在 μm量级的球形玻璃微腔 ,在球形微腔中嵌入了 Cd Se S半导体纳米团簇结构 .用一束激光激发单个微球时 ,球形微腔中 Cd Se S量子点的发光通过全内反射实现了球形回音壁模式的腔模共振 。
关键词 球形微腔 玻璃微球 CdSeS 量子点 回音壁模式 发光 半导体纳米团簇结构 腔模共振 镉 硒 硫
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非对称耦合双阱P—I—N结构的光伏谱研究
13
作者 徐士杰 江德生 +2 位作者 张耀辉 罗昌平 罗晋生 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期89-94,共6页
首次报道了GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs(50(?)/40(?)/100(?))非对称耦合双阱P-I-N结构的室温光伏谱,清楚地观察到双阱的轻、重空穴激子峰,这些激子峰的能量位置与光荧光和光电流谱得到的数据吻合得很好,而且光伏谱谱形非常类似于光... 首次报道了GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs(50(?)/40(?)/100(?))非对称耦合双阱P-I-N结构的室温光伏谱,清楚地观察到双阱的轻、重空穴激子峰,这些激子峰的能量位置与光荧光和光电流谱得到的数据吻合得很好,而且光伏谱谱形非常类似于光电流谱,呈现清晰的台阶状结构。此外,还观察到轻、重空穴激子跃迁对激发光偏振态的依赖,并讨论了产生光伏谱的机制。 展开更多
关键词 光伏谱 量子阱 P-I-N结构 双阱
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GaAs／AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系
14
作者 徐士杰 刘剑 +2 位作者 李国华 郑厚植 江德生 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期77-80,共4页
报道了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ非对称耦合双量子附Ｐｉｎ结构在不同温度下的光荧光谱，观察到宽附与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系，结果表明窄阱电子的热发射是导致窄附光荧光强度随温度上升而较快下降... 报道了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ非对称耦合双量子附Ｐｉｎ结构在不同温度下的光荧光谱，观察到宽附与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系，结果表明窄阱电子的热发射是导致窄附光荧光强度随温度上升而较快下降的主要原因．同时观测到宽阱轻空穴激子峰强度特殊的温度依赖关系，并分析了其物理机制， 展开更多
关键词 光荧光 量子阱 温度相关 砷化镓
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In_xGa_(1-x)As/GaAs应变量子阱光学性质
15
作者 李锋 张耀辉 +1 位作者 江德生 王佑祥 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期340-346,共7页
研究了用分子束外延方法生长在GaAs(100)衬底上的In_xGa_(1-x)As/GaAs(x=0.1)应变多量子阱样品,观察了其光荧光谱和光调制反射谱的光谱结构,讨论了有关基态光跃迁和激发态光跃迁性质.根据实验结果给出了能带偏移比值为Q_c=0.69(Q_v=1-Q_... 研究了用分子束外延方法生长在GaAs(100)衬底上的In_xGa_(1-x)As/GaAs(x=0.1)应变多量子阱样品,观察了其光荧光谱和光调制反射谱的光谱结构,讨论了有关基态光跃迁和激发态光跃迁性质.根据实验结果给出了能带偏移比值为Q_c=0.69(Q_v=1-Q_c=0.31),并提出有关轻空穴束缚于GaAs层而形成Ⅱ类超晶格的重要佐证. 展开更多
关键词 应变量子阱 能带偏移 砷化镓 光谱
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P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算
16
作者 吴文刚 江德生 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期90-92,共3页
本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２～３×１０１９ｃｍ－３后，它在某一... 本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２～３×１０１９ｃｍ－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降．与实验报道的对比证实了本模型的有效性． 展开更多
关键词 锗硅合金 应变 重掺杂 能带结构 半导体
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高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算 被引量：1
17
作者 曹子坤 刘宗顺 +3 位作者 江德生 朱建军 陈平 赵德刚 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期707-713,共7页
介绍了GaN基pin雪崩探测器的制作过程和测试结果。制作的器件在71 V反向偏压下发生雪崩,倍增因子达到5×104。我们发现,p层载流子浓度是影响器件性能的重要参数。结合电场强度分布的分析,本文提出了一种估算p层载流子浓度的方法,进... 介绍了GaN基pin雪崩探测器的制作过程和测试结果。制作的器件在71 V反向偏压下发生雪崩,倍增因子达到5×104。我们发现,p层载流子浓度是影响器件性能的重要参数。结合电场强度分布的分析,本文提出了一种估算p层载流子浓度的方法,进一步计算得到刚好雪崩击穿时的最大电场值为2.6 MV/cm,与以往GaN雪崩器件所报道的研究结果相似。最后,霍尔测试和SIMS测量p层载流子浓度的结果与模型计算的估算值吻合。 展开更多
关键词 氮化镓 雪崩探测器 泊松方程
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GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光
18
作者 屈玉华 江德生 +3 位作者 边历峰 孙征 牛智川 徐晓华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期507-512,共6页
嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3 μm附近的低能峰和一个较弱的... 嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3 μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰.变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150 K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征.他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好.同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法. 展开更多
关键词 量子阱 光致发光 GaAsSb/GaInAs
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GaAs/GaAlAs异质NIPI超晶格的光荧光谱
19
作者 汤寅生 江德生 +1 位作者 庄蔚华 K.Ploog 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期354-357,共4页
异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs-pGaAlAs-不掺杂GaAs四层结构,其中Ⅰ代表不掺杂层。它是组分超晶格和掺杂超晶格结合,因而具有许多新的性质,... 异质NIPI超晶格结构的基本单元是由n型和p型的宽禁带材料薄层及插在它们中间的不掺杂窄禁带材料层组成,如nGaAlAs-不掺杂GaAs-pGaAlAs-不掺杂GaAs四层结构,其中Ⅰ代表不掺杂层。它是组分超晶格和掺杂超晶格结合,因而具有许多新的性质,例如空间电荷分离,载流子局域在未掺杂区内等。这个结构最早是由德国的Dohler等所研究。 展开更多
关键词 GAAS GAALAS 超晶格 荧光光谱
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量子阱红外探测器
20
作者 徐士杰 江德生 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期317-326,共10页
评述了半导体量子阱内子带间光跃迁的主要特性以及量子阱红外探测器的物理问题和器件结构特点,介绍了国外在此领域研究的最新进展,讨论了有关子带间跃迁和量子阱红外探测器研究的若干发展趋势.
关键词 量子阱 红外探测器 砷化镓
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