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题名不同结构二维光子晶体的带隙特性
被引量：2
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作者
江力森.吾拉汗
宗明吉
张裕仕
闫昕
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机构
伊犁师范学院物理与电子信息学院
枣庄学院光电工程学院
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出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期21-22,共2页
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基金
国家"973"计划(No.2007CB310403)
山东省2011年高等学校科技计划项目(No.J11LG74)
枣庄市科学技术发展计划项目(No.201127)资助
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文摘
应用平面波展开法数值模拟了不同结构二维光子晶体TE模带隙特性,数值模拟得到正方形、正三边形和正六边形圆柱光子晶体结构的TE模带隙特性,比较得到正三边形圆柱结构光子晶体能够形成较宽TE模带隙结构。改变正方形圆柱光子晶体结构形成正方形椭圆柱结构和长方形圆柱结构光子晶体,比较得到长方形圆柱结构光子晶体形成带隙宽度较宽。研究就论为制作TE模滤波器件提供理论参考。
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关键词
光子晶体
带隙特性
不同结构
平面波展开法
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Keywords
photonic crystal
band gap properties
structure
the plane wave expansion method
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分类号
O431.1
[机械工程—光学工程]
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题名椭圆柱二维光子晶体带隙特性的数值模拟
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作者
江力森.吾拉汗
闫昕
李院平
宗明吉
张裕仕
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机构
伊犁师范学院电子与信息工程学院
枣庄学院光电工程学院
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出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期30-32,共3页
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基金
山东省2013年科技发展计划项目(2013GGA04021)
山东省2013年高等学校科技计划项目(J13LN07)资助课题
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文摘
本文应用平面波展开法数值模拟了椭圆柱二维光子晶体TM模带隙特性,数值模拟椭圆长短半轴对带隙特性的影响,结果得到:当椭圆长短半轴趋于相等时形成带隙宽度逐渐增加。数值模拟四种材料即SiC、GaAs、Ge和ZnO构成椭圆柱正方晶格二维光子晶体时,TM模带隙特性和第一带隙变化情况,结果得到介电常数高的材料形成较宽带隙,随着介电常数的增加,第一带隙上下边界的归一化频率逐渐降低,但是,第一带隙带隙宽度逐渐增加。
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关键词
椭圆柱光子晶体
带隙特性
平面波展开法
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Keywords
Elliptic cylinder photonic crystal
Band gap properties
The plane wave expansion method
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分类号
O431.1
[机械工程—光学工程]
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