电化学过程中的局域核反应及动态Casimir效应 被引量：3

1

作者 江兴流 文雄伟 +1 位作者 张建刚 韩丽君 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期729-732,共4页

通过CR 3 9固体径迹探测器、钯阴极的辐射自照相等方法观察到了电解过程中的局域核反应 .综合国内外相关研究数据 ,认为电解过程中 ,电极尖端处出现的动态Casimir效应 ,及涡漩运动与零点能相干效应而提取真空能 ,是电化学异常放热的来... 通过CR 3 9固体径迹探测器、钯阴极的辐射自照相等方法观察到了电解过程中的局域核反应 .综合国内外相关研究数据 ,认为电解过程中 ,电极尖端处出现的动态Casimir效应 ,及涡漩运动与零点能相干效应而提取真空能 ,是电化学异常放热的来源 ,少量具有滞后和积累效应的、高度定向的极化核反应 ,可以用具有轴向高能宇宙射线的类星体涡旋模型加以解释 .讨论了真空零点电磁涨落和挠场理论 ,及有关实验现象 .利用推出的类星体涡旋模型理论 。 展开更多

关键词 电化学 零点能 核反应 动态Casimir效应 挠场理论 电解

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强流脉冲电子束与固体介质相互作用的研究 被引量：3

2

作者 江兴流 唐璧玉 宋志敏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1993年第2期198-202,共5页

采用强流脉冲电子束轰击固体介质样品,研究了强流脉冲电子束与固体介质的相互作用。对晶体中出现的开裂和有机聚合物中出现的树枝状径迹进行了讨论,认为电子束的能量及电荷沉积导致了上述现象。

关键词 电子束 固体 相互作用 开裂

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“冷核聚变”现象与动态卡西米尔效应 被引量：1

3

作者 江兴流 周晓平 +3 位作者 王立英 贺苗 彭伟明 乐小云 《北京石油化工学院学报》 2009年第3期57-63,共7页

"冷核聚变"是一道跨世纪的科学难题,近20年来,许多实验室研究人员得到重复性很好的实验结果,但由于没有一种合理的理论解释,大多数研究者又一味寻求以现有的核物理理论为基础的理论解释,因而陷入理论困境,为此也受到主流科学... "冷核聚变"是一道跨世纪的科学难题,近20年来,许多实验室研究人员得到重复性很好的实验结果,但由于没有一种合理的理论解释,大多数研究者又一味寻求以现有的核物理理论为基础的理论解释,因而陷入理论困境,为此也受到主流科学界的排斥。基于大量的实验事实,结合量子真空零点能理论和动态卡西米尔(Casimir)效应,笔者提出涡旋动力学和挠场理论,对"冷核聚变"实验中的异常放热、微量核辐射、广谱核嬗变以及滞后放热等现象进行合理解释,受到国际科技界的广泛重视。笔者将对部分实验结果以及核力的超短程卡西米尔力解释等理论进行分析,并讨论"冷核聚变"现象在能源应用方面的前景。 展开更多

关键词 零点能 卡西米尔力 冷核聚变 挠场

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纳米硅二极管的电输运特性 被引量：4

4

作者 刘明 余明斌 +1 位作者 何宇亮 江兴流 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期72-74,共3页

用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定... 用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定性解释． 展开更多

关键词 量子点 共振隧穿 量子台阶 纳米 硅二极管 硅

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45号钢脉冲电子束熔凝处理及微结构研究 被引量：6

5

作者 刘志坚 韩丽君 +1 位作者 江兴流 乐小云 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2005年第5期20-24,共5页

利用多极板赝火花放电装置产生的高功率脉冲电子束对45号钢进行轰击,通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电镜(TEM)的观察,研究了电子束在金属表面和纵向深度上引起的组织结构的变化。结果表明轰击区表面瞬态骤熔急冷,形成了微晶或无序层;剖... 利用多极板赝火花放电装置产生的高功率脉冲电子束对45号钢进行轰击,通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电镜(TEM)的观察,研究了电子束在金属表面和纵向深度上引起的组织结构的变化。结果表明轰击区表面瞬态骤熔急冷,形成了微晶或无序层;剖面组织区域分为熔凝区,马氏体区,热影响区和基体。熔凝区在极高的温度梯度下,具有自淬火效应。马氏体区和热影响区在多脉冲的作用下,相当于经历了多次退火和回火过程,材料组织明显细化。轰击后样品表面的显微硬度与耐腐蚀性测试结果表明,显微组织的细化,改善了金属材料表面的物化性能。采用适当的脉冲数对金属材料表面改性作用效果明显。 展开更多

关键词 脉冲电子束 赝火花 熔凝处理 显微组织

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测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响 被引量：2

6

作者 彭英才 刘明 +3 位作者 何宇亮 江兴流 李国华 韩和相 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期56-59,共4页

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在... 利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用． 展开更多

关键词 光致发光 带隙收缩 单晶硅 氢化 薄膜 测试温度

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赝火花脉冲电子束烧蚀制备纳米薄膜 被引量：3

7

作者 韩丽君 江兴流 文雄伟 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2002年第2期24-28,共5页

类似于脉冲激光束烧蚀法制备薄膜 ,利用纳秒赝火花脉冲电子束与靶材料相互作用 ,通过靶材料的瞬间熔化、蒸发或以团簇抛出的方式 ,在低温衬底上重新成核、凝结 ,得到了与靶材的化学计量比相同的薄膜。讨论了材料烧蚀和沉积过程中出现的... 类似于脉冲激光束烧蚀法制备薄膜 ,利用纳秒赝火花脉冲电子束与靶材料相互作用 ,通过靶材料的瞬间熔化、蒸发或以团簇抛出的方式 ,在低温衬底上重新成核、凝结 ,得到了与靶材的化学计量比相同的薄膜。讨论了材料烧蚀和沉积过程中出现的诸多现象 ,并给出高分辨电子显微镜、X射线衍射、光电子能谱分析等方法的测试结果。研究表明 ,由于赝火花脉冲电子束高功率密度 (10 9W cm2 )的瞬态烧蚀作用 ,为研究和制备多元素氧化物薄膜、难熔金属多层膜或氧化物 展开更多

关键词 赝火花脉冲电子束 烧蚀 制备 纳米薄膜

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纳秒级强脉冲电子束和Ar~＋离子束诱导的烟草种子DNA的损伤修复合成 被引量：1

8

作者 王崇英 汪丽虹 +4 位作者 高清祥 王新宇 杨汉民 江兴流 宋志敏 《辐射研究与辐射工艺学报》 CSCD 北大核心 1996年第4期222-225,共4页

用３Ｈ－ＴｄＲ（氚标记的胸腺嘧啶脱氧核苷）掺入法结合ＤＮＡ合成抑制剂处理，研究了纳秒级强脉冲电子束和Ａｒ＋离子束诱导的烟草种子的ＤＮＡ损伤修复合成。受辐照种子在萌发的２８～４４ｈ较正常种子有较多的３Ｈ－ＴｄＲ的掺入，... 用３Ｈ－ＴｄＲ（氚标记的胸腺嘧啶脱氧核苷）掺入法结合ＤＮＡ合成抑制剂处理，研究了纳秒级强脉冲电子束和Ａｒ＋离子束诱导的烟草种子的ＤＮＡ损伤修复合成。受辐照种子在萌发的２８～４４ｈ较正常种子有较多的３Ｈ－ＴｄＲ的掺入，在萌发早期（６０ｈ内）出现了两个ＤＮＡ合成峰，而正常种子仅有一个。受辐照种子内的第一个ＤＮＡ合成峰受到ＤＮＡ修复抑制剂咖啡因的强烈抑制，而第二个ＤＮＡ合成峰受到ＤＮＡ复制抑制剂羟基脲的强烈抑制。说明纳秒强脉冲电子束和Ａｒ＋离子束诱发了烟草种子ＤＮＡ的损伤和修复。烟草种子的ＤＮＡ修复合成开始于种子萌发的第２８ｈ，３６ｈ或４０ｈ达到高峰，较ＤＮＡ复制高峰早１２ｈ或１６ｈ。本文还对ＤＮＡ合成抑制剂的作用进行了讨论。 展开更多

关键词 脉冲电子束 DNA修复合成 烟草种子 氩离子

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纳秒级强脉冲电子束与Ar~＋离子束辐照作物种子后自由基产额的变化

9

作者 高清祥 王勇 +2 位作者 杨汉民 江兴流 宋志敏 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期79-83,共5页

应用多极板放电室产生的纳秒级强脉冲电子束与Ａｒ＾＋离子束辐照蕃茄、黄瓜、辣椒和小麦的种子，分别测定辐照种子中的自由基产额，统计胚根根尖细胞中的染色体畸变频率和咱子的萌发能力，以及种子的萌发能力密切相关。辐照处理时间长... 应用多极板放电室产生的纳秒级强脉冲电子束与Ａｒ＾＋离子束辐照蕃茄、黄瓜、辣椒和小麦的种子，分别测定辐照种子中的自由基产额，统计胚根根尖细胞中的染色体畸变频率和咱子的萌发能力，以及种子的萌发能力密切相关。辐照处理时间长，自由基产额高，染色全变率高，萌发生长能力低。四种作物种子的重复实验证明，电子脉冲的辐射效应明显强于Ａｒ＾＋离子脉冲。 展开更多

关键词 自由基 电子束 离子束 辐照效应 作物 种子

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赝火花脉冲电子束束流传输特性分析

10

作者 文雄伟 江兴流 +1 位作者 李路明 刘志坚 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2004年第6期537-540,共4页

对赝火花放电实验中观察到的脉冲电子束的椭圆形束斑、自箍缩以及细丝效应进行了介绍,并用电磁动力学分析了其成因和影响因素。

关键词 流传输 脉冲电子束 特性分析 束流 椭圆形 电磁 动力学分析 火花放电 用电

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纳米硅薄膜的氧化特性

11

作者 刘明 傅东锋 +1 位作者 崔志燮 江兴流 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期96-99,共4页

将ｎｃＳｉ：Ｈ薄膜进行等离子和高温氧化处理，测量了样品的氢、氧含量，Ｒａｍａｎ谱、红外吸收谱、光致发光（ＰＬ）．结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中，但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同，Ｒａｍａｎ谱表明氧化处理... 将ｎｃＳｉ：Ｈ薄膜进行等离子和高温氧化处理，测量了样品的氢、氧含量，Ｒａｍａｎ谱、红外吸收谱、光致发光（ＰＬ）．结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中，但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同，Ｒａｍａｎ谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响．用晶粒表面模型对氧化引起的光致发光（ＰＬ）蓝移进行了解释． 展开更多

关键词 光致发光 量子效应 表面态 纳米硅 薄膜

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开环光纤陀螺的数字接口研究

12

作者 杨远洪 张惟叙 江兴流 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期43-45,共3页

为了提高开环光纤陀螺 (FOG)的性能 ,对它的输出进行了分析并建立了相应的数学模型 .在此基础上设计了一种数字化接口 ,该接口是一种小型的微控制系统 ,由增益可控的A D转换器和相应控制软件组成并具有自动分档功能 ,它除了将开环FOG的... 为了提高开环光纤陀螺 (FOG)的性能 ,对它的输出进行了分析并建立了相应的数学模型 .在此基础上设计了一种数字化接口 ,该接口是一种小型的微控制系统 ,由增益可控的A D转换器和相应控制软件组成并具有自动分档功能 ,它除了将开环FOG的模拟输出数字化外 ,还实现了数字输出的线性化 .利用一种全保偏开环FOG进行了实验研究 ,在采用这种接口后 ,FOG的输出在± 1 0 0 (°) s范围内 ,其标度非线性值可由 1 0 -2 量级减小到 1 0 展开更多

关键词 数字接口 线性化 分档 光纤陀螺

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强流脉冲电子束烧蚀法沉积LiNbO_3铁电薄膜

13

作者 韩丽君 谭轶平 江兴流 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2002年第3期46-49,54,共5页

介绍用脉冲电子束烧蚀法在不同温度的单晶硅 (1 1 0 )衬底上沉积铌酸锂铁电薄膜 ,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的实验结果 ;使用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、光电子能谱 (XPS)等方法 ,对薄膜的成份、晶体结构及表面形... 介绍用脉冲电子束烧蚀法在不同温度的单晶硅 (1 1 0 )衬底上沉积铌酸锂铁电薄膜 ,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的实验结果 ;使用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、光电子能谱 (XPS)等方法 ,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试。采用表面轮廓仪测定 LN薄膜的膜厚分布均匀性等。文中探讨了靶材料烧蚀和沉积过程中出现的诸多现象。研究表明 ,这种薄膜制备方法有许多独特之处 ,随着该项技术的不断改进和发展 。 展开更多

关键词 脉冲电子束烧蚀法 铁电薄膜 铌酸锂 制备

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赝火花放电产生的异常加速高能粒子

14

作者 文雄伟 江兴流 雷锦志 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1141-1144,共4页

　在赝火花放电过程中观察到异常加速的高能粒子,利用分析磁铁证实了这一物理现象。对照超快激光打靶产生的数百MeV量级的脉冲离子束,以及类星体涡旋结构产生超高能准直宇宙射线等现象,作者提出用涡旋动力学产生的挠场轴向加速来解释这... 　在赝火花放电过程中观察到异常加速的高能粒子,利用分析磁铁证实了这一物理现象。对照超快激光打靶产生的数百MeV量级的脉冲离子束,以及类星体涡旋结构产生超高能准直宇宙射线等现象,作者提出用涡旋动力学产生的挠场轴向加速来解释这些发生在不同物质运动层次的异常加速现象。阐述了集体场或尾场加速理论在解释这种理论时的不足之处。 展开更多

关键词 赝火花 电子束 涡旋结构

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强流脉冲电子束轰击法引起晶体色心的形成

15

作者 唐璧玉 江兴流 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第3期64-66,共3页

本文报道了晶体在强流脉冲电子束轰击下出现色心的现象,并根据脉冲电子束与物质相互作用的规律探讨了晶体色心的形成机理。

关键词 脉冲电子束 晶体 色心 面心

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纳秒脉冲电子束冲击强化金属表面的研究 被引量：8

16

作者 韩丽君 阿舍尔 +1 位作者 江兴流 康文 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期497-500,共4页

讨论了纳秒强脉冲电子束 (功率密度为 1 0 9W/cm2 )辐射金属表面后产生的强化作用 .纳秒脉冲电子束瞬间在材料表面局部区域注入巨大能量 ,使金属表面微区瞬间产生高温高压和冲击作用 ,并产生骤热急冷过程 ,使材料表面硬度、耐腐蚀性和... 讨论了纳秒强脉冲电子束 (功率密度为 1 0 9W/cm2 )辐射金属表面后产生的强化作用 .纳秒脉冲电子束瞬间在材料表面局部区域注入巨大能量 ,使金属表面微区瞬间产生高温高压和冲击作用 ,并产生骤热急冷过程 ,使材料表面硬度、耐腐蚀性和其他物化性能发生明显变化 .文中讨论了脉冲电子束导致快速熔凝的热传导过程 ,并分析了从扫描电镜照片观察到的金属急冷过程的显微结构 . 展开更多

关键词 脉冲 电子束 显微结构 快速凝固

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掺磷纳米硅薄膜的微结构 被引量：4

17

作者 于晓梅 王金良 +1 位作者 江兴流 王天民 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期547-549,共3页

采用喇曼 (Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜 (HRTEM)和原子力显微镜 (AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析 ,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨 .结果表明 :掺磷纳米硅薄膜由尺寸为 2～ 4nm的晶粒和 2～ 3个原子层厚的非晶界面... 采用喇曼 (Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜 (HRTEM)和原子力显微镜 (AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析 ,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨 .结果表明 :掺磷纳米硅薄膜由尺寸为 2～ 4nm的晶粒和 2～ 3个原子层厚的非晶界面构成 ,计算得到薄膜的晶态比为 40 %～ 5 5 % .与本征纳米硅薄膜相比 ,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化 ,电导率却提高了 2个数量级 .随着掺磷浓度增加 ,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大 .AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于 1 5～ 2 0nm的团簇构成 。 展开更多

关键词 硅薄膜 晶粒 团簇 纳米材料 晶态

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衬底温度可控强脉冲电子束烧蚀沉积LiNbO3薄膜工艺研究

18

作者 文雄伟 李路明 +2 位作者 江兴流 韩丽君 潭轶平 《航空制造技术》 北大核心 2004年第z1期205-208,共4页

介绍了在不同衬底温度下,用强脉冲电子束在单晶硅(110)衬底上沉积LiNbO3薄膜的工艺过程,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的试验结果.使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)等方法,对薄膜的成份、晶体结构及表面... 介绍了在不同衬底温度下,用强脉冲电子束在单晶硅(110)衬底上沉积LiNbO3薄膜的工艺过程,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的试验结果.使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)等方法,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试.采用表面轮廓仪测定LN薄膜的膜厚分布均匀性等. 展开更多

关键词 电子束 铁电薄膜 薄膜沉积

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