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用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长
1
作者
汪韬
杨瑾
+4 位作者
尹飞
王警卫
胡雅楠
张立臣
殷景致
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期511-513,550,555,共5页
用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材...
用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材料可以响应10μm的长波,且具有良好的表面形貌和外延层质量.
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关键词
INAS/GASB超晶格
禁带宽度
金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)
原子力显微镜(AFM)
光致发光(PL)谱
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职称材料
题名
用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长
1
作者
汪韬
杨瑾
尹飞
王警卫
胡雅楠
张立臣
殷景致
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室
中国科学院研究生院
吉林大学集成光电子国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期511-513,550,555,共5页
基金
国家自然科学基金(60676039)
文摘
用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材料可以响应10μm的长波,且具有良好的表面形貌和外延层质量.
关键词
INAS/GASB超晶格
禁带宽度
金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)
原子力显微镜(AFM)
光致发光(PL)谱
Keywords
InAs/GaSb superlattice
band gap
metal organic chemical vapor deposition（MOCVD）
atomic force microscope（AFM）
PL spectra
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长
汪韬
杨瑾
尹飞
王警卫
胡雅楠
张立臣
殷景致
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
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