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非晶硅钝化膜的热稳定性及其在可控硅元件上的应用
1
作者
殷晨钟
何宇亮
+2 位作者
孙月珍
陈春仙
谢启耀
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期154-158,共5页
实验报导了α-Si:H薄膜作为优质的硅器件钝化保护膜在可控硅元件上的应用.指出,它能大幅度提高元件的正反向击穿电压,改善温度特性,具有明显的经济效益.还指出,α-Si:H钝化膜能吸取c-Si界面上的杂质进一步促使硅器件的优化.本文还讨论...
实验报导了α-Si:H薄膜作为优质的硅器件钝化保护膜在可控硅元件上的应用.指出,它能大幅度提高元件的正反向击穿电压,改善温度特性,具有明显的经济效益.还指出,α-Si:H钝化膜能吸取c-Si界面上的杂质进一步促使硅器件的优化.本文还讨论了提高α-Si:H钝化保护膜热稳定性的途径.
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关键词
非晶硅膜
热稳定
应用
晶闸管
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职称材料
题名
非晶硅钝化膜的热稳定性及其在可控硅元件上的应用
1
作者
殷晨钟
何宇亮
孙月珍
陈春仙
谢启耀
机构
江南大学电子工程系
南京大学物理系
上海测试技术研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期154-158,共5页
文摘
实验报导了α-Si:H薄膜作为优质的硅器件钝化保护膜在可控硅元件上的应用.指出,它能大幅度提高元件的正反向击穿电压,改善温度特性,具有明显的经济效益.还指出,α-Si:H钝化膜能吸取c-Si界面上的杂质进一步促使硅器件的优化.本文还讨论了提高α-Si:H钝化保护膜热稳定性的途径.
关键词
非晶硅膜
热稳定
应用
晶闸管
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶硅钝化膜的热稳定性及其在可控硅元件上的应用
殷晨钟
何宇亮
孙月珍
陈春仙
谢启耀
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991
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