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题名真空环境温度对聚酰亚胺表面充电特性的影响
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作者
原青云
张希军
段赛赛
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机构
陆军工程大学石家庄校区电磁环境效应国家级重点实验室
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出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2024年第10期1172-1179,共8页
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文摘
空间环境温度的变化会对航天器表面介质材料的带电程度造成不同的影响,为此,本文基于电流平衡方程建立了温度对聚酰亚胺表面充电影响的数值模型。在此基础上,利用航天器材料表面充电模拟实验系统,研究电子辐照下温度变化对聚酰亚胺表面充电特性的影响。仿真结果表明,当温度一定,束流密度分别为0.5 nA/cm^(2)、1 nA/cm^(2)、2 nA/cm^(2)时,聚酰亚胺表面充电平衡电位随着束流密度的增大而增大;当束流密度一定时,在243~363 K范围内,聚酰亚胺表面充电平衡电位随着温度的升高而减小。束流密度越大,温度变化对平衡电位的影响越小,这一研究结论可为航天器介质材料面对温度变化时带电防护提供参考。
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关键词
束流密度
平衡电位
聚酰亚胺
表面充电
温度
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Keywords
beam density
equilibrium potential
polyimide
surface charging
temperature
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分类号
TN386.5
[电子电信—物理电子学]
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题名沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响
被引量：2
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作者
于成磊
王伟
段赛赛
于龙宇
刘孟杰
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机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第7期553-557,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61774054)
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文摘
研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量。在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得了大面积的图形化石墨烯薄膜。去除Ni后,将图形化的石墨烯保留在绝缘衬底上,采用原子力显微镜(AFM)和喇曼光谱对3种不同沉积温度下合成的石墨烯薄膜的表面形貌和质量进行了表征,研究了沉积温度对Ni辅助合成石墨烯表面形貌和导电性能的影响。结果表明,借助图形化牺牲层Ni能够在绝缘衬底Ta2O5上直接合成图形化的石墨烯,沉积温度对石墨烯的表面形貌和质量有很大影响,沉积温度在600℃时,制备的石墨烯具有较高的质量和良好的导电性能。
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关键词
石墨烯
沉积温度
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
牺牲层Ni
图形化
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Keywords
graphene
deposition temperature
plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
sacrificial layer Ni
patterned
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分类号
TQ127.11
[化学工程—无机化工]
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