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基于GaAs界面的长波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器研制
1
作者
周旭昌
蒋志
+13 位作者
班雪峰
王海澎
孔金丞
邓功荣
岳彪
黄俊博
木迎春
雷晓虹
陈蕊
王海虎
陈杰
周艳
段碧雯
李淑芬
《红外与激光工程》
北大核心
2025年第8期56-63,共8页
开展了基于GaAs界面的InAs/GaSb超晶格红外探测器材料和焦平面探测器研究。采用分子束外延(MBE)技术在InAs衬底上生长了高质量的PB1nB2N双势垒超晶格材料,通过GaAs界面的引入来提高了超晶格材料生长温度来改善材料晶体质量并降低暗电流...
开展了基于GaAs界面的InAs/GaSb超晶格红外探测器材料和焦平面探测器研究。采用分子束外延(MBE)技术在InAs衬底上生长了高质量的PB1nB2N双势垒超晶格材料,通过GaAs界面的引入来提高了超晶格材料生长温度来改善材料晶体质量并降低暗电流;同时通过结构设计将电场加载到宽带隙的电子和空穴势垒阻挡层,实现了窄带隙吸收层与耗尽区分离,减小产生-复合暗电流。采用ICP干法刻蚀技术制备出光滑台面,通过硫化/介质膜复合钝化技术实现了低侧壁漏电,研制出长波640×512焦平面探测器组件,截止波长为10.14μm,NETD达到17.8 mK,有效像元率达到99.89%,量子效率达到37%,成像验证展现出优良的光电性能。
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关键词
GaAs界面
INAS/GASB超晶格
长波
焦平面
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职称材料
题名
基于GaAs界面的长波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器研制
1
作者
周旭昌
蒋志
班雪峰
王海澎
孔金丞
邓功荣
岳彪
黄俊博
木迎春
雷晓虹
陈蕊
王海虎
陈杰
周艳
段碧雯
李淑芬
机构
昆明物理研究所
红外探测全国重点实验室
出处
《红外与激光工程》
北大核心
2025年第8期56-63,共8页
基金
云南省科技厅项目(2023032A08001)。
文摘
开展了基于GaAs界面的InAs/GaSb超晶格红外探测器材料和焦平面探测器研究。采用分子束外延(MBE)技术在InAs衬底上生长了高质量的PB1nB2N双势垒超晶格材料,通过GaAs界面的引入来提高了超晶格材料生长温度来改善材料晶体质量并降低暗电流;同时通过结构设计将电场加载到宽带隙的电子和空穴势垒阻挡层,实现了窄带隙吸收层与耗尽区分离,减小产生-复合暗电流。采用ICP干法刻蚀技术制备出光滑台面,通过硫化/介质膜复合钝化技术实现了低侧壁漏电,研制出长波640×512焦平面探测器组件,截止波长为10.14μm,NETD达到17.8 mK,有效像元率达到99.89%,量子效率达到37%,成像验证展现出优良的光电性能。
关键词
GaAs界面
INAS/GASB超晶格
长波
焦平面
Keywords
GaAs interface
InAs/GaSb superlattice
long wavelength
focal plane array
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GaAs界面的长波InAs/GaSb超晶格红外焦平面探测器研制
周旭昌
蒋志
班雪峰
王海澎
孔金丞
邓功荣
岳彪
黄俊博
木迎春
雷晓虹
陈蕊
王海虎
陈杰
周艳
段碧雯
李淑芬
《红外与激光工程》
北大核心
2025
0
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