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白光LED的光生物安全性 被引量:9
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作者 张硕 刘立莉 +1 位作者 杨华 段瑞飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期329-334,370,共7页
随着蓝光激发荧光粉转换白光LED在照明领域的商业化应用不断扩展,其光生物安全问题逐渐成为了照明领域专家和公众间的热点话题。综述了可见光中的蓝光波段对人体视网膜与昼夜节律可能产生的危害影响及其作用机理,对比分析了LED与传统照... 随着蓝光激发荧光粉转换白光LED在照明领域的商业化应用不断扩展,其光生物安全问题逐渐成为了照明领域专家和公众间的热点话题。综述了可见光中的蓝光波段对人体视网膜与昼夜节律可能产生的危害影响及其作用机理,对比分析了LED与传统照明灯具的功率分布光谱和蓝光危害评估。色温可以作为一个对光源蓝光危害和对褪黑素分泌水平的影响进行有效评估的参数,对不同类型白光光源的对比分析结果表明,在相同的色温与照度下,白光LED对人体并不产生更加严重的蓝光危害。最后简要介绍了目前照明行业所采用光源生物安全性认证标准,市面上符合评级标准要求的照明白光LED不会对人体造成蓝光危害。 展开更多
关键词 白光LED 蓝光危害 功率分布光谱 光生物安全 色温
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使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED 被引量:3
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作者 杜泽杰 段瑞飞 +5 位作者 魏同波 张硕 王军喜 曾一平 冉军学 李晋闽 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期675-680,共6页
高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN... 高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN外延层质量的影响。通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对成核层AlN薄膜的表面形貌进行表征;使用高分辨X射线衍射仪对AlN外延层晶体质量进行表征,结果表明:在溅射成核层上生长的AlN外延层的晶体质量有显著提高。使用大型工业MOCVD在蓝宝石衬底上成功制备出中心波长为282 nm的可商用深紫外LED,在注入电流为20 m A时,单颗深紫外LED芯片的光输出功率达到了1.65 m W,对应的外量子效率为1.87%,饱和光输出功率达到4.31 mW。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 氮化铝(AlN) 深紫外发光二极管(UV-LED) 成核层 磁控溅射
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Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 被引量:5
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作者 胡强 魏同波 +4 位作者 段瑞飞 羊建坤 霍自强 卢铁城 曾一平 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2009年第9期211-214,共4页
Thick GaN films of high quality are directly grown on wet-etching patterned sapphire in a vertical hydride vapour phase epitaxy reactor. The optical and structural properties of GaN films are studied using scanning el... Thick GaN films of high quality are directly grown on wet-etching patterned sapphire in a vertical hydride vapour phase epitaxy reactor. The optical and structural properties of GaN films are studied using scanning electronic microscopy and cathodoluminescence. Test results show that initial growth of hydride vapour phase epitaxy GaN occurs not only on the mesas but also on the two asymmetric sidewalls of the V-shaped grooves without selectivity. After the two-step coalescence near the interface, the GaN films near the surface keep on growing along the direction perpendicular to the long sidewall. Based on Raman results, GaN of the coalescence region in the grooves has the maximum residual stress and poor crystalline quality over the whole GaN film, and the coalescence process can release the stress. Therefore, stress-free thick GaN films are prepared with smooth and crack-free surfaces by this particular growth mode on wet-etching patterned sapphire substrates. 展开更多
关键词 sea surface nonliear interaction numerical method
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ITO/Al复合透明导电薄膜对紫外LED光电性能的提升 被引量:2
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作者 王雪 崔志勇 +5 位作者 王兵 薛建凯 张向鹏 段瑞飞 曾一平 李晋闽 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期680-684,共5页
通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜... 通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜上形成粒径约为10 nm的颗粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段透过率的综合性能最佳,在360~410 nm波长的平均透过率大于95%,且方块电阻为22.8Ω/□。采用ITO/Al(100 nm/2 nm)复合透明导电薄膜制备了390 nm紫外发光二极管(LED)芯片(尺寸为325μm×275μm),与用ITO薄膜制备的LED芯片相比,其光电转换效率提升了约3%,饱和电流提升了15.00%,饱和光功率提升了15.04%。研究结果表明,采用ITO/Al复合透明导电薄膜可有效提升紫外LED的光电性能。 展开更多
关键词 氧化铟锡(ITO) ITO/Al 透明导电膜 紫外发光二极管(LED) 光电性能
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Direct growth of graphene on gallium nitride by using chemical vapor deposition without extra catalyst 被引量:1
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作者 赵云 王钢 +8 位作者 杨怀超 安铁雷 陈闽江 余芳 陶立 羊建坤 魏同波 段瑞飞 孙连峰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第9期358-363,共6页
Graphene on gallium nitride (GaN) will be quite useful when the graphene is used as transparent electrodes to improve the performance of gallium nitride devices. In this work, we report the direct synthesis of graph... Graphene on gallium nitride (GaN) will be quite useful when the graphene is used as transparent electrodes to improve the performance of gallium nitride devices. In this work, we report the direct synthesis of graphene on GaN without an extra catalyst by chemical vapor deposition. Raman spectra indicate that the graphene films are uniform and about 5-6 layers in thickness. Meanwhile, the effects of growth temperatures on the growth of graphene films are systematically studied, of which 950 ℃ is found to be the optimum growth temperature. The sheet resistance of the grown graphene is 41.1 Ω/square, which is close to the lowest sheet resistance of transferred graphene reported. The mechanism of graphene growth on GaN is proposed and discussed in detail. XRD spectra and photoluminescence spectra indicate that the quality of GaN epi-layers will not be affected after the growth of graphene. 展开更多
关键词 GRAPHENE PHOTOLUMINESCENCE gallium nitride chemical vapor deposition Raman spectroscopy
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Columnar Structures and Stress Relaxation in Thick GaN Films Grown on Sapphire by HVPE
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作者 魏同波 马平 +3 位作者 段瑞飞 王军喜 李晋闽 曾一平 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第3期822-824,共3页
Thick GaN films with high quality are directly grown on sapphire in a home-built vertical hydride vapour phase epitaxy (HVPE) reactor. The optical and structural properties of large scale columnar domains near the i... Thick GaN films with high quality are directly grown on sapphire in a home-built vertical hydride vapour phase epitaxy (HVPE) reactor. The optical and structural properties of large scale columnar domains near the interface are studied using cathodoluminescence and micro-Raman scattering. These columnar domains show a strong emission intensity due to extremely high free carrier concentration up to 2 × 10^19 cm^-3, which are related with impurities trapped in structural defects. The compressive stress in GaN film clearly decreases with increasing distance from interface. The quasi-continuous columnar domains play an important role in the stress relaxation for the upper high quality layer. 展开更多
关键词 VAPOR-PHASE EPITAXY LIGHT-EMITTING-DIODES CATHODOLUMINESCENCE MICROSCOPY RAMAN
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