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ZnO基稀磁半导体材料研究进展 被引量:3
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作者 周勋 沈益斌 +2 位作者 段满益 徐明 令狐荣锋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期106-109,共4页
随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总... 随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度。 展开更多
关键词 ZNO 稀磁半导体 铁磁序 反铁磁序 电子结构
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高压下超导体YBa_2Cu_3O_7弹性性质的第一性原理研究(英文) 被引量:4
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作者 王和雪松 周晓林 +2 位作者 逯来玉 常景 段满益 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期624-629,共6页
通过从头算密度泛函理论研究了YBa2Cu3O7的结构和弹性性质.发现c轴最容易压缩.另外,我们还计算了各种弹性性质与压强的关系,例如弹性模量,剪切模量,杨氏模量,泊松比.最后,我们获得了不同压强下的德拜温度和声速.
关键词 第一性原理 弹性性质 高压 YBA2CU3O7
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Si/SiNx/SiO2多层膜的光致发光 被引量:3
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作者 陈青云 段满益 +6 位作者 周海平 董成军 魏屹 纪红萱 黄劲松 陈卫东 徐明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期363-370,共8页
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分... 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 展开更多
关键词 Si/SiNx/SiO2多层膜 红外吸收 光致发光
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Fe、Ni共掺杂ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究 被引量:2
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作者 胡志刚 周勋 +8 位作者 徐明 刘方舒 段满益 吴定才 董成军 陈尚荣 吴艳南 纪红萱 令狐荣锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期257-261,共5页
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe,Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜。产物的显微照片及XRD图谱结果表明,该方法所制备的ZnO薄膜表面均匀致密,都存在(002)择优取向,具有六角纤锌矿结构,晶粒尺寸平均在13nm左右,振动样品磁强... 采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe,Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜。产物的显微照片及XRD图谱结果表明,该方法所制备的ZnO薄膜表面均匀致密,都存在(002)择优取向,具有六角纤锌矿结构,晶粒尺寸平均在13nm左右,振动样品磁强计(VSM)测试结果显示掺杂ZnO薄膜均存在室温铁磁性。光致发光(PL)测量表明所有样品薄膜的PL谱主要由较强的紫外发光峰(394nm)、蓝光峰(420nm)、绿光峰(480nm)组成。Fe、Ni单掺杂和共掺杂并不改变ZnO薄膜的发光峰位置,但掺杂后该紫外发光峰减弱,420nm处的蓝光峰增强。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 FE Ni掺杂 光致发光 溶胶-凝胶法 室温铁磁性
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