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难混溶体系Al/Pb金属多层膜的Pb膜微观形貌和生长方式
被引量：
3
1
作者
段林昆
孙勇
+1 位作者
郭中正
沈黎
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期14-17,共4页
用磁控溅射法在载玻片上镀制了难混溶体系Al/Pb金属纳米多层膜,考察了调制波长对Pb膜成膜的影响,借用Philip XL370型扫描电子显微镜研究了成膜质量、表面形貌及膜层断面结构形貌,并采用X射线观测了样品中Al、Pb相的存在形式和膜层结构...
用磁控溅射法在载玻片上镀制了难混溶体系Al/Pb金属纳米多层膜,考察了调制波长对Pb膜成膜的影响,借用Philip XL370型扫描电子显微镜研究了成膜质量、表面形貌及膜层断面结构形貌,并采用X射线观测了样品中Al、Pb相的存在形式和膜层结构变化。结果表明,当Pb膜达到一定厚度时,可得到均一、致密的难混溶体系Al/Pb金属纳米多层膜。探讨了膜的形成机理,给出了成核过程模型,并进一步修正了传统成膜机制。
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关键词
难混溶体系
Al/Pb金属纳米多层膜
成膜质量
表面形貌
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职称材料
磁控溅射共沉积Al-Pb复合薄膜微观结构及电性能
被引量：
3
2
作者
郭中正
孙勇
+2 位作者
段林昆
李玉阁
彭明军
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第16期12-15,共4页
采用磁控溅射共沉积法制备Al-Pb复合薄膜,运用TEM、SEM、EDX和电阻-温度仪对薄膜微观结构和电性能进行研究。结果表明,Al-Pb薄膜具有温度敏感性,电阻温度系数(TCR)可达8.4×10-3℃-1。薄膜微观结构含富Al基体相和富Pb第二相,呈两相...
采用磁控溅射共沉积法制备Al-Pb复合薄膜,运用TEM、SEM、EDX和电阻-温度仪对薄膜微观结构和电性能进行研究。结果表明,Al-Pb薄膜具有温度敏感性,电阻温度系数(TCR)可达8.4×10-3℃-1。薄膜微观结构含富Al基体相和富Pb第二相,呈两相组织。随着厚度的增大,第二相粒子及基体相晶粒粒度增大,界面密度降低,界面电子散射效应减弱,电阻率下降,TCR值增大。与Al膜和移去Al基体形成的Pb膜的电性能对比研究显示,Al-Pb薄膜存在并联导电机制,电阻率受两相电阻率和体积分数的影响。
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关键词
Al-Pb复合薄膜
磁控共沉积
微观结构
温度敏感性
电阻温度系数
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职称材料
题名
难混溶体系Al/Pb金属多层膜的Pb膜微观形貌和生长方式
被引量：
3
1
作者
段林昆
孙勇
郭中正
沈黎
机构
昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期14-17,共4页
基金
云南省自然科学基金资助项目(2004E0004Z
2006E0018Q)
文摘
用磁控溅射法在载玻片上镀制了难混溶体系Al/Pb金属纳米多层膜,考察了调制波长对Pb膜成膜的影响,借用Philip XL370型扫描电子显微镜研究了成膜质量、表面形貌及膜层断面结构形貌,并采用X射线观测了样品中Al、Pb相的存在形式和膜层结构变化。结果表明,当Pb膜达到一定厚度时,可得到均一、致密的难混溶体系Al/Pb金属纳米多层膜。探讨了膜的形成机理,给出了成核过程模型,并进一步修正了传统成膜机制。
关键词
难混溶体系
Al/Pb金属纳米多层膜
成膜质量
表面形貌
Keywords
immiscible system, Al/Pb metal nano-multilayer, film formation properties, surface appearance
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
磁控溅射共沉积Al-Pb复合薄膜微观结构及电性能
被引量：
3
2
作者
郭中正
孙勇
段林昆
李玉阁
彭明军
机构
昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第16期12-15,共4页
基金
云南省自然科学基金重点资助项目(2004E0004Z)
云南省自然科学基金资助项目(2006E0018Q)
文摘
采用磁控溅射共沉积法制备Al-Pb复合薄膜,运用TEM、SEM、EDX和电阻-温度仪对薄膜微观结构和电性能进行研究。结果表明,Al-Pb薄膜具有温度敏感性,电阻温度系数(TCR)可达8.4×10-3℃-1。薄膜微观结构含富Al基体相和富Pb第二相,呈两相组织。随着厚度的增大,第二相粒子及基体相晶粒粒度增大,界面密度降低,界面电子散射效应减弱,电阻率下降,TCR值增大。与Al膜和移去Al基体形成的Pb膜的电性能对比研究显示,Al-Pb薄膜存在并联导电机制,电阻率受两相电阻率和体积分数的影响。
关键词
Al-Pb复合薄膜
磁控共沉积
微观结构
温度敏感性
电阻温度系数
Keywords
Al-Pb composite thin films, magnetron co-deposition, microstructure, temperature-sensitive, temperature coefficient of resistivity
分类号
TB43 [一般工业技术]
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
难混溶体系Al/Pb金属多层膜的Pb膜微观形貌和生长方式
段林昆
孙勇
郭中正
沈黎
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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职称材料
2
磁控溅射共沉积Al-Pb复合薄膜微观结构及电性能
郭中正
孙勇
段林昆
李玉阁
彭明军
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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职称材料
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