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低导通压降MOS控制晶闸管的研制
1
作者
刘中梦雪
黄伟
+4 位作者
刘垚
张海峰
段懿晨
丁继洪
赵建强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期476-481,487,共7页
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行...
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。
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关键词
MOS控制晶闸管(MCT)
导通压降
正向阻断电压
p基区
静态特性
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职称材料
题名
低导通压降MOS控制晶闸管的研制
1
作者
刘中梦雪
黄伟
刘垚
张海峰
段懿晨
丁继洪
赵建强
机构
华东光电集成器件研究所
复旦大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期476-481,487,共7页
文摘
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。
关键词
MOS控制晶闸管(MCT)
导通压降
正向阻断电压
p基区
静态特性
Keywords
MOS controlled thyristor(MCT)
on⁃state voltage drop
forward blocking voltage
p⁃base
static characteristic
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低导通压降MOS控制晶闸管的研制
刘中梦雪
黄伟
刘垚
张海峰
段懿晨
丁继洪
赵建强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
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职称材料
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