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氧与激光辐照对多孔硅光致发光光谱的影响
被引量：
2
1
作者
段家怟
毛晋昌
+2 位作者
张丽珠
张伯蕊
秦国刚
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期401-405,共5页
将化学腐蚀后的多孔硅样品分别置于大气和氧气中,用激光连续辐照其表面.观察到多孔硅的光致发光光谱峰位随辐照时间增加发生蓝移,最后达到稳定,在真空中作同样处理的多孔硅光致发光峰位却没有移动.X射线光电子谱测量结果表明,在大气及...
将化学腐蚀后的多孔硅样品分别置于大气和氧气中,用激光连续辐照其表面.观察到多孔硅的光致发光光谱峰位随辐照时间增加发生蓝移,最后达到稳定,在真空中作同样处理的多孔硅光致发光峰位却没有移动.X射线光电子谱测量结果表明,在大气及氧气中激光辐照的多孔硅层内并未探测到二氧化硅,结合红外吸收光谱实验,认为蓝移的原因可能是氧置换了多孔硅内表面的硅,出现Si-O-Si结构的结果.
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关键词
多孔硅
光致发光
激光辐照
氧
硅
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职称材料
激光促进多孔硅内表面氧化与光致发光的退化
2
作者
张丽珠
毛晋昌
+3 位作者
段家怟
张伯蕊
秦国刚
朱培新
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第4期1-6,共6页
本文对刚制备的以及分别经以下三种情况:1.样品在1大气压的氧气中经激光(Ar^+激光器的48.80nm线,功率密度为1.77W/cm^2)连续照射1小时;2.样品在1大气压的氧气中在没有激光照射的情况下保持1小时;3.样品在1.3×10~2Pa真空度下用激光...
本文对刚制备的以及分别经以下三种情况:1.样品在1大气压的氧气中经激光(Ar^+激光器的48.80nm线,功率密度为1.77W/cm^2)连续照射1小时;2.样品在1大气压的氧气中在没有激光照射的情况下保持1小时;3.样品在1.3×10~2Pa真空度下用激光连续照射1小时处理后的多孔硅在室温下进行了光致发光谱和傅里叶变换红外吸收测量,研究了处理前后光谱的变化。实验发现经第一种情况处理后光致发光峰位蓝移了约0.1eV,发光强度衰减了二十几倍,相应的其红外光谱中与氧有关的吸收峰强度大幅度增长,而经第二,三两种情况处理后它们的光致发光及红外吸收谱则无大的变化。研究表明在氧气中激光辐照能大大加速多孔硅内表面的氧化。我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移,由氧化作用产生的非辐射复合中心导致光致发光效率的下降。
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关键词
多孔硅膜
光致发光
红外吸收
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职称材料
题名
氧与激光辐照对多孔硅光致发光光谱的影响
被引量：
2
1
作者
段家怟
毛晋昌
张丽珠
张伯蕊
秦国刚
机构
北京大学物理系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期401-405,共5页
基金
国家教委博士点基金资助课题
文摘
将化学腐蚀后的多孔硅样品分别置于大气和氧气中,用激光连续辐照其表面.观察到多孔硅的光致发光光谱峰位随辐照时间增加发生蓝移,最后达到稳定,在真空中作同样处理的多孔硅光致发光峰位却没有移动.X射线光电子谱测量结果表明,在大气及氧气中激光辐照的多孔硅层内并未探测到二氧化硅,结合红外吸收光谱实验,认为蓝移的原因可能是氧置换了多孔硅内表面的硅,出现Si-O-Si结构的结果.
关键词
多孔硅
光致发光
激光辐照
氧
硅
Keywords
porous silicon, photoluminescence, oxygen and laser illumination.
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
激光促进多孔硅内表面氧化与光致发光的退化
2
作者
张丽珠
毛晋昌
段家怟
张伯蕊
秦国刚
朱培新
机构
北京大学物理系
冶金部北京有色金属研究总院
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第4期1-6,共6页
基金
国家自然科学基金~~
文摘
本文对刚制备的以及分别经以下三种情况:1.样品在1大气压的氧气中经激光(Ar^+激光器的48.80nm线,功率密度为1.77W/cm^2)连续照射1小时;2.样品在1大气压的氧气中在没有激光照射的情况下保持1小时;3.样品在1.3×10~2Pa真空度下用激光连续照射1小时处理后的多孔硅在室温下进行了光致发光谱和傅里叶变换红外吸收测量,研究了处理前后光谱的变化。实验发现经第一种情况处理后光致发光峰位蓝移了约0.1eV,发光强度衰减了二十几倍,相应的其红外光谱中与氧有关的吸收峰强度大幅度增长,而经第二,三两种情况处理后它们的光致发光及红外吸收谱则无大的变化。研究表明在氧气中激光辐照能大大加速多孔硅内表面的氧化。我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移,由氧化作用产生的非辐射复合中心导致光致发光效率的下降。
关键词
多孔硅膜
光致发光
红外吸收
Keywords
Porous silicon
Photoluminescena
FTIR
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧与激光辐照对多孔硅光致发光光谱的影响
段家怟
毛晋昌
张丽珠
张伯蕊
秦国刚
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
激光促进多孔硅内表面氧化与光致发光的退化
张丽珠
毛晋昌
段家怟
张伯蕊
秦国刚
朱培新
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
在线阅读
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职称材料
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参考文献
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