期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于参数尺度变换的多谐波自适应前馈主动控制方法
1
作者
段宁远
范文焜
+3 位作者
宋怡欣
刘博
童宗鹏
华宏星
《振动与冲击》
EI
CSCD
北大核心
2024年第21期300-309,共10页
螺旋桨脉动力会产生与轴频、叶频及倍频相关的周期激励信号,在频谱中表现为多个低频窄带线谱。此外,激励幅值、频率及相位会随着轴系转速、油膜润滑等条件的变化而产生未知波动,具有显著的时变特征。该文针对船舶动力系统的时变多谐波...
螺旋桨脉动力会产生与轴频、叶频及倍频相关的周期激励信号,在频谱中表现为多个低频窄带线谱。此外,激励幅值、频率及相位会随着轴系转速、油膜润滑等条件的变化而产生未知波动,具有显著的时变特征。该文针对船舶动力系统的时变多谐波线谱振动特征,提出了一种基于参数尺度变换的自适应前馈主动控制方法。基于多跨多支承推进轴系动力学模型,进行了多谐波自适应前馈算法仿真验证,实现了对多个未知窄带干扰的有效衰减。考虑通道耦合响应关系,建立了多输入-多输出系统的多通道振动主动控制策略,开展了多通道交叉耦合谐波振动控制效果分析。结果表明,该文所提出的基于参数尺度变换的自适应前馈主动控制方法对多跨多支承推进轴系的时变多线谱振动具有良好的控制效果。
展开更多
关键词
主动控制
前馈控制
自适应算法
线谱振动
尺度变换
在线阅读
下载PDF
职称材料
用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
2
作者
战俊
粟雅娟
+3 位作者
罗军
贾昆鹏
段宁远
闫祥宇
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第4期229-234,共6页
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制...
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制的MoS_2FET器件的开关比可达到1.45×10~6,器件的电子载流子场效应迁移率约为1 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。对等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiN_x)工艺掺杂MoS_2材料进行了研究,掺杂后器件的驱动电流提高了3倍多,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的有效性。通过控制PECVD SiN_x时间工艺参数对SiN_x薄膜厚度与掺杂浓度的关系进行了研究,随着SiN_x薄膜厚度增加器件的驱动电流逐渐增强,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的可控性。最后,对PECVD SiN_x工艺掺杂MoS_2材料的机理进行了讨论。
展开更多
关键词
二硫化钼场效应晶体管(MoS2
FET)
掺杂
二维(2D)半导体材料
过渡金属硫化物(TMD)
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
在线阅读
下载PDF
职称材料
运算放大器的闭环参数测试
被引量：
7
3
作者
孙铣
段宁远
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期64-67,共4页
介绍了运算放大器闭环参数的测试原理,分析了影响运算放大器闭环参数测试精度和稳定性的诸多原因和因素,及所采取的针对性措施,还探讨了闭环参数的测试精度、测试稳定性和测试适应性的评价问题。介绍了STS 2107C模拟器件测试系统。
关键词
运算放大器
闭环参数
测试精度
稳定性
适应性
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于参数尺度变换的多谐波自适应前馈主动控制方法
1
作者
段宁远
范文焜
宋怡欣
刘博
童宗鹏
华宏星
机构
中国船舶集团有限公司第七一一研究所
先进船舶发动机技术全国重点实验室
上海交通大学机械系统与振动全国重点实验室
出处
《振动与冲击》
EI
CSCD
北大核心
2024年第21期300-309,共10页
基金
先进船舶发动机技术全国重点实验室资助项目。
文摘
螺旋桨脉动力会产生与轴频、叶频及倍频相关的周期激励信号,在频谱中表现为多个低频窄带线谱。此外,激励幅值、频率及相位会随着轴系转速、油膜润滑等条件的变化而产生未知波动,具有显著的时变特征。该文针对船舶动力系统的时变多谐波线谱振动特征,提出了一种基于参数尺度变换的自适应前馈主动控制方法。基于多跨多支承推进轴系动力学模型,进行了多谐波自适应前馈算法仿真验证,实现了对多个未知窄带干扰的有效衰减。考虑通道耦合响应关系,建立了多输入-多输出系统的多通道振动主动控制策略,开展了多通道交叉耦合谐波振动控制效果分析。结果表明,该文所提出的基于参数尺度变换的自适应前馈主动控制方法对多跨多支承推进轴系的时变多线谱振动具有良好的控制效果。
关键词
主动控制
前馈控制
自适应算法
线谱振动
尺度变换
Keywords
active control
feedforward control
adaptive algorithm
tonal vibration
scale transformation
分类号
O328 [理学—一般力学与力学基础]
TB535 [理学—声学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
2
作者
战俊
粟雅娟
罗军
贾昆鹏
段宁远
闫祥宇
机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
中国科学院大学
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第4期229-234,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61306124)
文摘
通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制的MoS_2FET器件的开关比可达到1.45×10~6,器件的电子载流子场效应迁移率约为1 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。对等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiN_x)工艺掺杂MoS_2材料进行了研究,掺杂后器件的驱动电流提高了3倍多,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的有效性。通过控制PECVD SiN_x时间工艺参数对SiN_x薄膜厚度与掺杂浓度的关系进行了研究,随着SiN_x薄膜厚度增加器件的驱动电流逐渐增强,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的可控性。最后,对PECVD SiN_x工艺掺杂MoS_2材料的机理进行了讨论。
关键词
二硫化钼场效应晶体管(MoS2
FET)
掺杂
二维(2D)半导体材料
过渡金属硫化物(TMD)
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
Keywords
molybdenum disulfide field effect transistor（MoS2 FET）
doping
two-dimensional（2D） semiconductor material
transition metal dichalcogenide（TMD）
plasma enhanced chemical vapor deposition（PECVD）
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
运算放大器的闭环参数测试
被引量：
7
3
作者
孙铣
段宁远
机构
北京华峰测控技术公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期64-67,共4页
文摘
介绍了运算放大器闭环参数的测试原理,分析了影响运算放大器闭环参数测试精度和稳定性的诸多原因和因素,及所采取的针对性措施,还探讨了闭环参数的测试精度、测试稳定性和测试适应性的评价问题。介绍了STS 2107C模拟器件测试系统。
关键词
运算放大器
闭环参数
测试精度
稳定性
适应性
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于参数尺度变换的多谐波自适应前馈主动控制方法
段宁远
范文焜
宋怡欣
刘博
童宗鹏
华宏星
《振动与冲击》
EI
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性
战俊
粟雅娟
罗军
贾昆鹏
段宁远
闫祥宇
《微纳电子技术》
北大核心
2017
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
运算放大器的闭环参数测试
孙铣
段宁远
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
