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Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷的电传导及各向异性 被引量:1
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作者 孟佳源 李毅 +4 位作者 赵裕春 武浩荣 汪雪松 骆婉君 虞澜 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期163-169,共7页
采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,... 采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,探讨了Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷电导率各向异性的机制。当x≤0.030时,多晶为菱方R3m单相结构,随着掺杂量的增加,晶粒在面内充分长大,气孔和晶界减少,致密度逐渐提高,多晶呈现热激活半导体电输运行为;当x=0.030时,面内取向因子F((00l))达到最高值0.912,面内c轴择优取向远优于厚度方向,面内和厚度方向的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶室温电阻率分别显著下降至1.80×10^(-3)和3.16×10^(-3)Ω·m,这是由于其结构各向异性的差异,热激活能均减小至0.03 eV,c轴择优取向对热激活能影响并不明显,最大载流子浓度比母相均增加3个量级,晶界缺陷更少,平均自由程增大,输运能力更强,电导率更高。实验表明最优掺杂量为x=0.030,当掺杂量x高于0.030时,出现MgCr_(2)O_(4)尖晶石杂相,样品的微观结构和电输运性能变差。 展开更多
关键词 c轴择优 CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶 各向异性 电阻率 晶界缺陷 电输运
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透明导电CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)薄膜的固溶度扩展和c轴外延生长 被引量:2
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作者 沈艳 刘丹丹 +4 位作者 宋世金 唐艳艳 胡一丁 武浩荣 虞澜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期10008-10012,共5页
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在0~15°斜切的α-Al_(2)O_(3)(0001)衬底上生长了c轴外延的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)系列薄膜。随Mg掺杂量增加,薄膜均为单相铜铁矿结构,表现出符合Arrhenius热激活模式的半导体电输运行为,室温... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在0~15°斜切的α-Al_(2)O_(3)(0001)衬底上生长了c轴外延的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)系列薄膜。随Mg掺杂量增加,薄膜均为单相铜铁矿结构,表现出符合Arrhenius热激活模式的半导体电输运行为,室温电阻率单调下降2~3个数量级,热激活能由0.22 eV下降至0.025 eV,由此推断薄膜中Mg的固溶度至少为0.08,与多晶(~0.03)相比显著扩展。这是由于PLD薄膜生长具有非平衡、瞬时爆炸特征,使靶材第二相(MgCr_(2)O_(4))中的Mg重新以等离子态定向运输到衬底上,迁移固溶到薄膜晶格中,固溶度扩展。薄膜(x=0,0.02)在380~780 nm可见光区的透过率为60%~80%,直接光学带隙E g分别为3.06 eV、3.04 eV。更多Mg^(2+)替代Cr^(3+)时,会在价带顶上方引入受主能级并展宽,使热激活能显著下降,产生更多空穴载流子,透过率和光学带隙略有下降;Mg固溶到晶格中,促进薄膜层状晶粒长大,外延性提高,使电阻率进一步下降。 展开更多
关键词 CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)薄膜 透明导电 脉冲激光沉积 固溶度扩展 c轴外延生长
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紫外辐射加速老化高温硫化硅橡胶的X射线光电子能谱研究 被引量:5
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作者 李敬敬 武浩荣 +1 位作者 张晓东 虞澜 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期720-726,共7页
高温硫化硅橡胶具有优良的电气性能、机械性能、憎水性而广泛应用于特高压输电线路,但亦会受外界环境的影响而老化,其抗紫外老化性能受到关注。课题组模拟户外紫外辐射环境,设计搭建了可调式紫外辐射加速老化试验箱,对A、B两个厂家的高... 高温硫化硅橡胶具有优良的电气性能、机械性能、憎水性而广泛应用于特高压输电线路,但亦会受外界环境的影响而老化,其抗紫外老化性能受到关注。课题组模拟户外紫外辐射环境,设计搭建了可调式紫外辐射加速老化试验箱,对A、B两个厂家的高温硫化硅橡胶样品进行了紫外辐射(0,500和1000 h)加速老化实验,重点对辐射前后的试样进行X射线光电子能谱全谱扫描和窄区谱分析、确定元素化学位移及相对含量,分析紫外辐射对高温硫化硅橡胶表面化学态的影响,进而判断紫外辐射加速高温硫化硅橡胶老化机制。结果表明:高温硫化硅橡胶主要元素为O_(1S),C_(1S),Si 2p,其中O_(1S)主要以O—Si—O(532.4 eV)的形式存在,紫外辐射后,拟合分峰观察到534 eV的—OH的小峰,积分面积随辐照时间延长而增加;C_(1S)为C—H,C—C(284.8 eV)或C—O(286.3 eV),随着辐射时间的延长,C—H和C—C结合能峰积分面积减小,C—O结合能峰的积分面积略微增加;Si_(2p)为Si—C(102.39 eV),紫外辐射后新增SiO_(x)(x=3~4)结合能峰(103.6 eV)且积分面积随辐射时间延长而增加。分析认为紫外辐射加速老化的机理是紫外线切断硅橡胶中键能较低的部分Si—C,C—C和C—H键,裂解后的自由基可相互结合发生交联反应形成SiO_(x)(x=3~4);辐射产生高活性的臭氧氧化自由基生成—COOH。XPS技术能够探究高温硫化硅橡胶的表面化学态从而促进其老化机理的研究。 展开更多
关键词 X射线光电子能谱 高温硫化硅橡胶 紫外辐射加速老化 微观机制
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Mg掺杂调制铜铁矿结构CuAlO_(2)多晶的微结构和电热传导
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作者 李毅 武浩荣 +7 位作者 胡一丁 孟佳源 宋宏远 唐艳艳 黎振华 陈亮维 刘斌 虞澜 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第8期1422-1430,共9页
采用固相反应法制备铜铁矿结构的CuAl_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.01、0.02、0.03、0.04)多晶,研究了Mg掺杂对CuAlO_(2)多晶结构和性能的影响。Mg掺杂量x从0增加到0.02,样品均为菱方R3m单相,密度依次提高;所有样品呈半导体的热激... 采用固相反应法制备铜铁矿结构的CuAl_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.01、0.02、0.03、0.04)多晶,研究了Mg掺杂对CuAlO_(2)多晶结构和性能的影响。Mg掺杂量x从0增加到0.02,样品均为菱方R3m单相,密度依次提高;所有样品呈半导体的热激活电输运行为,x=0.02样品在室温下的电阻率是未掺杂样品的1/19,热激活能显著下降(x=0时,ρ_(300 K)~5.54Ω·m,E_(a)~0.328 eV;x=0.02时,ρ_(300 K)~0.29Ω·m,E_(a)~0.218 eV),载流子浓度增加1个量级,主要因为Mg^(2+)取代Al^(3+),引入新的受主能级。x>0.02时,MgAl_(2)O_(4)尖晶石杂相出现,使其电导率和热导率降低。CuAl_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶的晶格热导率在总热导率中占绝对优势,且随温度升高(300~500 K)而下降,晶格热导Callaway模型模拟表明,所有样品的热阻主要源于点缺陷-声子散射。与x=0相比,x=0.02样品的室温热导率增大1倍(κ~13.0650 W/(m·K)),声速增大,点缺陷-声子散射减弱,分析认为掺Mg形成强的Mg—O键,提高了晶体的弹性模量和声子频率,减弱了本征点缺陷、Mg掺杂引起的质量波动和应变场波动对声子的散射,同时Mg掺杂样品的密度提高也有利于增加热导率。 展开更多
关键词 CuAl_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶 微结构 电阻率 晶格热导率 点缺陷-声子散射 Mg—O键
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