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题名Bi2Se3/MoS2异质结的光学性质
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作者
刘燚
王龙龙
胡国锋
刘雪璐
武宏利
李晓莉
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机构
河北大学物理科学与技术学院
深圳大学物理与光电工程学院
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
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出处
《河北大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2020年第3期249-254,共6页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金项目(11504077)
河北大学研究生创新资助项目(hbu2020ss077)
+1 种基金
河北大学研究生创新资助项目(hbu2019ss033)
河北大学大学生创新资助项目(2019150)。
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文摘
对单层MoS2与纳米级别厚度的Bi2Se3薄片进行组合构建超薄异质结,利用HR-Evolution显微共聚焦拉曼光谱系统,结合反射、拉曼和荧光光谱学测试技术,对Bi2Se3/MoS2异质结中的激子发光、异质结中的界间相互作用和电荷转移等行为进行了深入而系统的研究.首先,利用干法转移技术将不同厚度的Bi2Se3薄片转移到CVD生长的单层MoS2上构建Bi2Se3/MoS2异质结.然后,利用反射光谱和拉曼光谱技术探测异质结的平整度和界面耦合质量,表明异质结的2种材料发生堆叠后具有良好的平整度,按照不同厚度对白光保留着良好的透光性;2种材料堆叠时没有引入附加应力,形成的异质结具有良好的界面耦合质量.最后,通过对异质结的荧光光谱研究发现下层母体材料MoS2的A、B激子峰的发光效率大大减弱,同时它们的发光波长随着上层Bi2Se3薄片的厚度增加逐渐减小,半高宽随着上层Bi2Se3薄片的厚度增加逐渐变窄,这说明电子传递到Bi2Se3/MoS2界面后发生退激发,使得MoS2的发光发生明显猝灭,而且该结果可能还包括异质结的电子能带结构变化导致电荷发生重新分布的的更深层次原因.该研究对新型光电子器件的设计和应用具有一定的意义和指导作用.
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关键词
二维材料
Bi2Se3
MOS2
异质结
荧光光谱
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Keywords
2D material
Bi2Se3
MoS2
heterojunction
fluorescence spectrum
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分类号
O433.4
[机械工程—光学工程]
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