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在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究: 1; 作者樊路嘉秦明《电子器件》 CAS 2002年第2期157-159,共3页; 本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火 (RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特性。对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜 ,测试了其到衬底的泄漏电流 ,发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质。采用准静态C V方法研究了多晶硅栅... 展开更多; 关键词硅化物多晶栅耗尽效应硅化镍膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究被引量：1: 2; 作者冯耀兰宋安飞 +1 位作者樊路嘉张正璠《电子器件》 CAS 2002年第4期324-326,共3页; 本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ ); 关键词高温SOI CMOS倒相器互补金属-氧化物-半导体倒相器瞬态特性宽温区; 在线阅读下载PDF 职称材料

辐射敏感PMOS管的研制: 3; 作者陈德英蔡振波 +3 位作者姜岩峰张旭王成樊路嘉《电子器件》 CAS 2002年第4期345-348,共4页; 本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度 (L )和宽长比 (W/ L )的敏感管 ,并给出样品的直流参数的测试结果。; 关键词 PMOS管辐射敏感阈值电压漂移阈值吸收剂量; 在线阅读下载PDF 职称材料

紫外可见光谱法测量光刻胶的膜厚(英文): 4; 作者王乐刘力宇 +7 位作者张浩康樊路嘉张鲁川杨勇黄瑞坤周昕杰李栋良张平《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期402-406,共5页; 在液晶显示器的制造过程中,光刻是极为重要的制造工艺过程之一。将厚的独立的负胶膜或者将光刻胶涂敷在二氧化硅衬底上以后,可以测量其膜厚,因为光刻胶膜厚决定其光刻工艺的工艺条件。能够快速地测量光刻胶的膜厚,是液晶显示器制造过程... 展开更多; 关键词紫外可见吸收光谱 Beer-Lambert's LAW 光刻胶薄膜厚度吸收; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究: 1; 作者樊路嘉秦明; 机构东南大学微电子中心MEMS教育部重点实验室; 出处《电子器件》 CAS 2002年第2期157-159,共3页; 文摘本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火 (RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特性。对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜 ,测试了其到衬底的泄漏电流 ,发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质。采用准静态C V方法研究了多晶硅栅和纯硅化镍栅的多晶栅耗尽效应 (PDE) ,并探讨了硅化镍栅掺杂浓度和栅氧化层厚度对PDE的影响。结果表明 :即使在未被掺杂的纯硅化镍栅膜 ,也未曾观察到PDE。; 关键词硅化物多晶栅耗尽效应硅化镍膜; Keywords silicide PDE nickel silicide film; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究被引量：1: 2; 作者冯耀兰宋安飞樊路嘉张正璠; 机构东南大学微电子中心信息产业部电子第; 出处《电子器件》 CAS 2002年第4期324-326,共3页; 基金模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4); 文摘本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ ); 关键词高温SOI CMOS倒相器互补金属-氧化物-半导体倒相器瞬态特性宽温区; Keywords high temperature CMOS inverter transient characteristics; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名辐射敏感PMOS管的研制: 3; 作者陈德英蔡振波姜岩峰张旭王成樊路嘉; 机构 MEMS重点实验室东南大学航天部五院信息部第; 出处《电子器件》 CAS 2002年第4期345-348,共4页; 文摘本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度 (L )和宽长比 (W/ L )的敏感管 ,并给出样品的直流参数的测试结果。; 关键词 PMOS管辐射敏感阈值电压漂移阈值吸收剂量; Keywords radioactive sensitive PMOS drift of threshold voltage; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名紫外可见光谱法测量光刻胶的膜厚(英文): 4; 作者王乐刘力宇张浩康樊路嘉张鲁川杨勇黄瑞坤周昕杰李栋良张平; 机构东南大学集成电路学院东南大学电子工程系南京东南大学化学工程系; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期402-406,共5页; 基金 Supported by Southeast University(No .4027001001 ,No .1127000003); 文摘在液晶显示器的制造过程中,光刻是极为重要的制造工艺过程之一。将厚的独立的负胶膜或者将光刻胶涂敷在二氧化硅衬底上以后,可以测量其膜厚,因为光刻胶膜厚决定其光刻工艺的工艺条件。能够快速地测量光刻胶的膜厚,是液晶显示器制造过程的先决性工作的一部分。文章提出了测量上述光刻胶膜厚的新方法,即利用紫外可见吸收光谱法中的Beer-Lambert定律来确定膜厚。在我们的研究中,采用acrylic负胶作为基质(resin) ,它分别具有50μm和100μm的膜厚。在350 nm时,50μm的薄膜的最大吸收为0 .728 ,而100μm的最大吸收为1 .468 5。而在正胶的研究中,采用novolac作为基质(resin)。它的膜厚通常是1 ～5μm。在紫外可见吸收光谱测膜厚的实验中,当重氮荼醌的吸收波长为403 .8 nm时,5 .93μm厚的薄膜的最大吸收为1 .757 4 ,其膜厚是由扫描电镜测得的。而另一个正胶薄膜在403 .8 nm的最大吸收为0 .982 3 ,其薄膜厚度计算得到为3 .31μm。利用这些数据,我们得到了这两种光刻胶薄膜的紫外可见吸收光强与其膜厚关系的两个校准曲线。; 关键词紫外可见吸收光谱 Beer-Lambert's LAW 光刻胶薄膜厚度吸收; Keywords UV-vis absorbance spectroscopy Beer-Lambert＇s Law resist film thickness absorbance; 分类号 TN27 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究	樊路嘉秦明	《电子器件》 CAS	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究	冯耀兰宋安飞樊路嘉张正璠	《电子器件》 CAS	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	辐射敏感PMOS管的研制	陈德英蔡振波姜岩峰张旭王成樊路嘉	《电子器件》 CAS	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	紫外可见光谱法测量光刻胶的膜厚(英文)	王乐刘力宇张浩康樊路嘉张鲁川杨勇黄瑞坤周昕杰李栋良张平	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料