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用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜被引量：3: 1; 作者楚振生李炳生 +3 位作者刘益春申德振范希武刘毅南《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-384,共2页; 报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向 (0 0 0 2 )的ZnO薄膜。通过X ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构 ,择优取向 ,晶粒尺寸大约在 2 2 0nm。并通过原子力显微... 展开更多; 关键词氧化锌薄膜等离子体增强化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量: 2; 作者楚振生朱永福 +2 位作者袁建峰马凯黄锡珉《液晶与显示》 CAS CSCD 1996年第4期286-291,共6页; 本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得... 展开更多; 关键词非晶硅空间电荷限制法体隙态密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

淀积条件对GD_(a)-SiN_(x)薄膜电学特性的影响被引量：1: 3; 作者楚振生朱永福 +2 位作者袁剑锋马凯黄锡珉《液晶与显示》 CAS CSCD 1997年第1期21-25,共5页; 本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件，制备了优质非晶氮化硅薄膜，其介电常数为７．５、击穿强度为５．５ＭＶ／ｃｍ、电导率为１０－... 展开更多; 关键词氮化硅辉光放电法薄膜液晶显示器电学性质; 全文增补中

PECVD介质膜性能研究: 4; 作者崔翔天楚振生 +4 位作者高鹏涛王志军常威郑喜凤孟宪信《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期230-234,共5页; 本文讨论了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜．结果表明这种介质膜达到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标，是一种具有重要应用价值的介质薄... 展开更多; 关键词 PECVD 氮化硅薄膜介电性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜被引量：3: 1; 作者楚振生李炳生刘益春申德振范希武刘毅南; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院激发态物理开放研究实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-384,共2页; 基金中国科学院百人计划项目(ZJ00Y18D) 国家自然科学基金重大项目资助(No.69977019); 文摘报道了用金属锌有机源和二氧化碳混合气源等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)的方法成功地制备高质量择优取向 (0 0 0 2 )的ZnO薄膜。通过X ray衍射谱进行了结构分析得到六方结构 ,择优取向 ,晶粒尺寸大约在 2 2 0nm。并通过原子力显微镜分析更进一步验证了晶粒的尺寸。通过透射谱分析观察到了典型的激子吸收线。这种方法的特点是可以在低温条件下在任何衬底上生长大面积均匀性好。; 关键词氧化锌薄膜等离子体增强化学气相沉积; Keywords ZnO thin film PECVD; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量: 2; 作者楚振生朱永福袁建峰马凯黄锡珉; 机构中国科学院长春物理研究所; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1996年第4期286-291,共6页; 文摘本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。; 关键词非晶硅空间电荷限制法体隙态密度; Keywords amorphous silicon, space -charge-limited - current, density of energy gap; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TN304.07 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名淀积条件对GD_(a)-SiN_(x)薄膜电学特性的影响被引量：1: 3; 作者楚振生朱永福袁剑锋马凯黄锡珉; 机构中国科学院长春物理研究所; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1997年第1期21-25,共5页; 文摘本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件，制备了优质非晶氮化硅薄膜，其介电常数为７．５、击穿强度为５．５ＭＶ／ｃｍ、电导率为１０－１３（Ωｃｍ）－１。; 关键词氮化硅辉光放电法薄膜液晶显示器电学性质; 分类号 O484.42 [理学—固体物理]; 全文增补中

题名PECVD介质膜性能研究: 4; 作者崔翔天楚振生高鹏涛王志军常威郑喜凤孟宪信; 机构中国科学院长春物理研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期230-234,共5页; 文摘本文讨论了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜．结果表明这种介质膜达到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标，是一种具有重要应用价值的介质薄膜材料．; 关键词 PECVD 氮化硅薄膜介电性质; Keywords PECVD, SiN_x, film, dielectric properties; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜	楚振生李炳生刘益春申德振范希武刘毅南	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量	楚振生朱永福袁建峰马凯黄锡珉	《液晶与显示》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	淀积条件对GD_(a)-SiN_(x)薄膜电学特性的影响	楚振生朱永福袁剑锋马凯黄锡珉	《液晶与显示》 CAS CSCD	1997	1	全文增补中
4	PECVD介质膜性能研究	崔翔天楚振生高鹏涛王志军常威郑喜凤孟宪信	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料