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负偏压对高界面强度类金刚石薄膜制备的影响 被引量:1
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作者 郑锦华 李志雄 +1 位作者 刘青云 梅诗阳 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期93-100,共8页
为解决类金刚石(DLC)薄膜与金属基材间的界面结合强度和厚膜化问题,提出一种使用a-Si:C:H键合层和H-DLC过渡层的新工艺。利用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)方法,在45钢基材上沉积不同负偏压条件下的复合DLC薄膜,并对薄膜的厚... 为解决类金刚石(DLC)薄膜与金属基材间的界面结合强度和厚膜化问题,提出一种使用a-Si:C:H键合层和H-DLC过渡层的新工艺。利用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)方法,在45钢基材上沉积不同负偏压条件下的复合DLC薄膜,并对薄膜的厚度、表面粗糙度、结构成分、残余应力、膜基结合力以及摩擦学性能进行测定和分析。结果表明:当顶层薄膜的制备负偏压从600 V增加至1200 V时,薄膜表面粗糙度增大,总膜厚增加,最大达到16.3μm;薄膜中的残余应力呈增大趋势,结合力减小;薄膜的平均磨损率增大,耐磨性逐渐下降。顶层薄膜制备负偏压为600 V时,复合DLC薄膜的综合性能最优,结合力达到了54.6 N,平均磨损率为1.5×10^(-16) m^(3)/(N·m),使45钢的耐磨性提高了30倍。 展开更多
关键词 H-DLC 界面强度 直流等离子体增强化学气相沉积 负偏压 摩擦磨损
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磁场及靶基距对CrAlN薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 郑锦华 梅诗阳 +1 位作者 李志雄 刘青云 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第18期2627-2635,共9页
为了改善CrAlN薄膜与基材间的结合强度,提高其耐磨性能。利用阴极弧溅射技术,在45钢基材上沉积了CrAlN薄膜。分析了磁场和靶基距对CrAlN薄膜性能的作用机理,考察了磁场对薄膜的厚度、表面形貌、结合力以及耐磨性能的影响,同时与无磁场... 为了改善CrAlN薄膜与基材间的结合强度,提高其耐磨性能。利用阴极弧溅射技术,在45钢基材上沉积了CrAlN薄膜。分析了磁场和靶基距对CrAlN薄膜性能的作用机理,考察了磁场对薄膜的厚度、表面形貌、结合力以及耐磨性能的影响,同时与无磁场时沉积的薄膜进行了对比。结果表明:薄膜膜厚、表面粗糙度、液滴沉积尺寸及数量随着靶基距增大而减小;相较于无磁场样品,有磁场样品的表面粗糙度更小,曲率半径更大,结合力得到了提高。有磁场时界面结合力约为60 N,且随着靶基距变化不大,而无磁场时结合力变化较大。两者在同条件下对比,结合力提高了20%~80%不等;薄膜摩擦系数与磨损率随靶基距增大而减小,同靶基距时有磁场样品的摩擦系数及磨损率较小。当存在磁场且靶基距在160~180 mm时,沉积的CrAlN薄膜性能最优。该研究结果为制备具有更高性能的CrAlN薄膜提供了重要参考。 展开更多
关键词 磁场 靶基距 液滴 结合力 磨损率
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