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Al_2O_3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究 被引量:1
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作者 梁柱荣 毕卓能 +2 位作者 靳虎 梅凤娇 徐雪青 《新能源进展》 2015年第4期245-250,共6页
量子点敏化纳米TiO2太阳电池(QDSSCs)因成本低廉,近年来得到广泛关注。但是其光电转换效率仍然较低,其中主要的原因是量子点表面缺陷密度高,表面与界面电子复合严重。本文以Al2O3为纳米TiO2/CdSe QDs的界面修饰层,采用暗态下的电化学阻... 量子点敏化纳米TiO2太阳电池(QDSSCs)因成本低廉,近年来得到广泛关注。但是其光电转换效率仍然较低,其中主要的原因是量子点表面缺陷密度高,表面与界面电子复合严重。本文以Al2O3为纳米TiO2/CdSe QDs的界面修饰层,采用暗态下的电化学阻抗谱(EIS)以及开路电压衰减谱考察了Al2O3对抑制电子复合所起的作用,并简析了其中的作用机理。研究结果表明,TiO2表面修饰Al2O3后,其导带边上移;此外,TiO2/QDs界面缺陷态降低,界面电子复合降低,使器件的短路电流、开路电压以及填充因子提高,光电转换性能得到改善。 展开更多
关键词 量子点 太阳电池 AL2O3 界面修饰 电子复合
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