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题名快速热处理下镍对锗单晶电学性能的影响
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作者
梁萍兰
郑忠云
张存磊
王少锋
席珍强
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机构
浙江理工大学材料工程中心
西南油气田分公司
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出处
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2012年第2期259-262,共4页
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文摘
采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜,通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响,以及镍在锗中的扩散行为。结果表明:镍在锗中具有向内扩散和向外扩散两种行为,并以受主状态存在,改变了锗内部的载流子的分布;775℃热处理后,镍受主完全补偿原有的施主,使锗由n型转变为p型,随着热处理时间的增加,电阻率下降,镍受主浓度增加。即使微量的镍就可以使锗的少子寿命直线下降至零点几微秒,这表明镍在锗中会引入深能级。
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关键词
锗单晶
镍
快速热处理
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Keywords
single-crystalline germanium
nickel
rapid thermal processing
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分类号
TN304.11
[电子电信—物理电子学]
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题名快速热处理对PECVD碳化硅薄膜性能的影响
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作者
问明亮
周陈菊
杨成林
梁萍兰
席珍强
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机构
浙江理工大学材料工程中心
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出处
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2011年第4期571-574,共4页
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文摘
使用PECVD在p型单晶硅衬底上沉积非晶碳化硅薄膜,研究快速热处理对薄膜的钝化性能和光学性能的影响。结果显示:随着热处理温度从450℃升高到850℃,薄膜厚度迅速减小;在650℃及以下温度进行热处理后折射率基本不变,但温度继续上升折射率迅速上升;同时热处理对薄膜的厚度和折射率的影响能在很短时间内完成,使薄膜迅速致密化。在低于750℃热处理时,衬底少子寿命增加,在热处理温度高于750℃后少子寿命急剧下降。碳化硅薄膜的反射率在快速热处理之后基本不变。
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关键词
碳化硅薄膜
快速热处理
减反射
少子寿命
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Keywords
SiC thin films
RTP
antireflection performance
minority carrier lifetime
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分类号
TM914.41
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名氧化物对(111)锗片表面少子寿命的影响研究
被引量：1
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作者
杨成林
梁萍兰
问明亮
席珍强
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机构
浙江理工大学材料工程中心
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出处
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2011年第4期567-570,共4页
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文摘
为了提高(111)锗片表面少子寿命,分别采用体积分数30%过氧化氢和硝酸作为氧化剂,对试样表面进行湿化学氧化,得到表面的氧化层。利用微波光电导衰减仪测量试样在氧化反应前后的少子寿命变化情况,采用X射线光电子能谱测试样的Ge3d谱图,并进行机理分析。结果发现:经过过氧化氢处理的试样少子寿命得到很大提高,分析是由于GeO2钝化了锗表面悬挂键而达到了钝化效果。
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关键词
过氧化氢
锗
氧化物
少子寿命
XPS
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Keywords
hydrogen dioxide
germanium
oxides
minority lifetime
XPS
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分类号
TN304.0
[电子电信—物理电子学]
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题名太阳能电池用铸造多晶硅的碳浓度分布研究
被引量：1
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作者
刘耀南
梁萍兰
张存磊
席珍强
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机构
浙江理工大学材料工程中心
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出处
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2013年第2期250-253,共4页
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文摘
用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测定定向凝固太阳能电池用多晶硅的轴向碳浓度分布。结果表明:实验样品的轴向碳浓度分布符合分凝规律。用经典分凝公式模拟该铸造多晶硅的轴向碳浓度分布,得到该铸造多晶硅的有效分凝系数为0.45。取硅熔点温度为定向凝固过程温度,通过BPS公式计算得到,碳在定向凝固过程中的扩散速度在4.72×10-8～4.72×10-7 cm/s的范围。
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关键词
铸造多晶硅
碳浓度
分布
FTIR
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Keywords
casting me-Si
carbon concentration
distribution
FTIR
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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