AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取

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作者 吴淇暄 张贺秋 +4 位作者 朱江 宁思源 代晓 王子坤 梁红伟 《大连理工大学学报》 CAS 北大核心 2025年第1期105-110,共6页

有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了... 有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了两组AlGaN/GaN HEMT器件,这两组器件的源漏间距为80μm,栅源间距为10μm.其中一组器件固定栅宽为400μm,栅长分别为10、20、30、40、50、60μm;另一组器件固定栅长为40μm,栅宽分别为200、300、400、500、600、800μm.通过研究源漏之间的总电阻随栅长和栅宽变化规律,获得栅长与有效栅长的差值为0.48989μm,栅宽与有效栅宽的差值为-11.12191μm. 展开更多

关键词 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 器件参数 有效栅长 有效栅宽

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AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析 被引量：1

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作者 陈欢欢 张贺秋 +9 位作者 邢鹤 夏晓川 张振中 蔡涛 叶宇帆 郭文平 席庆南 黄慧诗 梁晓华 梁红伟 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期90-95,共6页

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极... AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极泄漏电流机制.随着HTGB时间的增加,栅极泄漏电流持续增大,受到应力器件在室温下静置后栅极泄漏电流密度恢复约20%.结果表明,在正向偏置范围内,栅极泄漏电流是由热电子发射(TE)引起的.在反向偏置范围内,普尔-弗伦克尔(PF)发射在小电压范围内占主导地位.阈值电压附近的范围由势垒层中的陷阱辅助隧穿(TAT)引起;在大电压范围内,福勒-诺德海姆(FN)隧穿导致栅极发生泄漏. 展开更多

关键词 AlGaN/GaN HEMT 高温栅偏置应力 栅极泄漏电流机制

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AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测

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作者 叶宇帆 张贺秋 +4 位作者 夏晓川 郭文平 黄慧诗 梁晓华 梁红伟 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期412-417,共6页

采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基MOSFET.T... 采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基MOSFET.TCAD的仿真结果通过与测试结果的比较进行了修正.通过Multisim仿真结果与搭建的AlGaN/GaN HEMT共源共栅放大电路的测试结果对放大电路的放大特性进行了验证.以此为基础,利用TCAD模拟改变了结构参数的器件特性并采用改进了结构参数的AlGaN/GaN HEMT设计共源共栅放大电路.仿真结果表明,该放大电路在低频和室温下的电压放大能力可达6 200倍. 展开更多

关键词 AlGaN/GaN HEMT TCAD仿真 放大增益 小信号模型

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利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜 被引量：12

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作者 梁红伟 吕有明 +4 位作者 申德振 刘益春 李炳辉 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期275-278,共4页

利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的... 利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因。 展开更多

关键词 P-MBE ZNO薄膜 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延 X射线衍射 光致发光 薄膜生长 硅衬底

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用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜 被引量：9

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作者 梁红伟 颜建锋 +7 位作者 吕有明 申德振 刘益春 赵东旭 李炳辉 张吉英 范希武 范景田 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期147-150,共4页

利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10^(16) cm^(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。 展开更多

关键词 氧化锌单晶薄膜 薄膜生长 分子束外延 等离子体辅助 蓝宝石衬底 反射式高能衍射仪 光电材料

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改良L型内眦赘皮矫正术对女性轻中度内眦赘皮患者的临床效果 被引量：4

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作者 梁红伟 孟天骄 张羽森 《河南医学研究》 CAS 2020年第22期4066-4068,共3页

目的研究改良L型内眦赘皮矫正术对女性轻中度内眦赘皮患者的临床效果。方法选取2017年9月至2018年9月郑州人民医院收治的96例女性轻中度内眦赘皮患者。按照手术方式将患者分为对照组(48例)和观察组(48例)。给予对照组患者“横切纵缝”... 目的研究改良L型内眦赘皮矫正术对女性轻中度内眦赘皮患者的临床效果。方法选取2017年9月至2018年9月郑州人民医院收治的96例女性轻中度内眦赘皮患者。按照手术方式将患者分为对照组(48例)和观察组(48例)。给予对照组患者“横切纵缝”内眦赘皮矫正术治疗。给予观察组患者改良L型内眦赘皮矫正术治疗。于术后3个月采用患者和观测者瘢痕评价量表(POSAS)评估瘢痕情况,包括观察者瘢痕评价量表(OSAS)、患者瘢痕评价量表(PSAS)。比较两组手术前后内眦间距(ICD)、睑裂长度(HLFL)、ICD/HLFL。比较两组患者术后3个月复发情况和满意度。结果与对照组相比,观察组PSAS评分和OSAS评分均较低(均P<0.05)。术后,观察组ICD、ICD/HLFL小于对照组,HLFL大于对照组(均P<0.05)。对照组和观察组复发率分别为18.75%(9/48)、4.17%(2/48)。对照组和观察组满意度分别为72.92%(35/48)、91.67%(44/48)。观察组复发率低于对照组,观察组满意度高于对照组(均P<0.05)。结论采用改良L型内眦赘皮矫正术治疗女性轻中度内眦赘皮,能改善瘢痕情况,提高美学效果,有助于减少复发,提高满意度。 展开更多

关键词 轻中度内眦赘皮 改良L型内眦赘皮矫正术 美观效果 瘢痕情况

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信息化背景下高中语文群文阅读高效课堂构建 被引量：7

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作者 梁红伟 《中国新通信》 2021年第24期172-173,共2页

在高中语文的学习阶段,想要提高学生的阅读能力、培养学生语言组织与表达能力、加强学生语文素养,阅读是一个非常重要的途径。而运用群文阅读的教学方式,加上信息化的教学手段进行辅助,能够有效地活跃学生的语文思维,帮助他们更专注、... 在高中语文的学习阶段,想要提高学生的阅读能力、培养学生语言组织与表达能力、加强学生语文素养,阅读是一个非常重要的途径。而运用群文阅读的教学方式,加上信息化的教学手段进行辅助,能够有效地活跃学生的语文思维,帮助他们更专注、以及深层次地理解文章的主题和内涵,令学生领略到阅读的魅力,最终能够促进学生质量的提高。 展开更多

关键词 高中语文 信息化 群文阅读 高效课堂 措施

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慢性阻塞性肺疾病稳定期的血栓前状态以及与肺功能之间的相关性研究 被引量：1

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作者 梁红伟 《中国医学工程》 2015年第10期160-160,163,共2页

目的分析研究慢性阻塞性肺疾病稳定期的血栓前状态以及与肺功能之间的关系。方法选取2011年12月-2012年10月在我院接收慢性阻塞性肺疾病稳定期的患者60例,另随机选取15例健康志愿者作为健康对照组,分析研究患者血栓前状态与肺功能之间... 目的分析研究慢性阻塞性肺疾病稳定期的血栓前状态以及与肺功能之间的关系。方法选取2011年12月-2012年10月在我院接收慢性阻塞性肺疾病稳定期的患者60例,另随机选取15例健康志愿者作为健康对照组,分析研究患者血栓前状态与肺功能之间的关系。结果各组间进行比较,D-二聚体、Fb水平、Pa CO2均为极重度患者>重度患者>中度患者>轻度患者>对照组,Pa O2则相反,组间差异均有统计学意义(P<0.05)。结论慢性阻塞性肺疾病稳定期也存在血栓前状态,并且随着病情严重程度的上升,D-二聚体以及纤维蛋白原也随之升高,因此,当病情严重时可适当采取抗凝治疗,使肺栓塞发生率明显减少,积极改善患者病情。 展开更多

关键词 慢性阻塞性肺疾病稳定期 血栓前状态 肺功能

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Ag掺杂对ZnO薄膜的光电性能影响 被引量：14

9

作者 王经纬 边继明 +3 位作者 梁红伟 孙景昌 赵涧泽 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期460-464,共5页

采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体,以硝酸银水溶液为Ag掺杂源,以高纯O2为载气生长了Ag掺杂ZnO(ZnO∶Ag)薄膜。研究了Ag掺杂ZnO薄膜的表面结构、电学和光学性质。结果表明所得ZnO∶Ag薄膜表面结构良好,扫描电子... 采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体,以硝酸银水溶液为Ag掺杂源,以高纯O2为载气生长了Ag掺杂ZnO(ZnO∶Ag)薄膜。研究了Ag掺杂ZnO薄膜的表面结构、电学和光学性质。结果表明所得ZnO∶Ag薄膜表面结构良好,扫描电子显微镜(SEM)测试表明薄膜表面光滑平整,结构致密均匀;在室温光致发光(PL)光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰;透射光谱中观测到非常陡峭的紫外吸收截止边和较高的可见光区透过率,表明薄膜具有较高的晶体质量与较好的光学特性;霍尔效应测试表明,在550℃下获得了p型导电的ZnO∶Ag薄膜。 展开更多

关键词 ZnO:Ag薄膜 超声喷雾热分解 P型掺杂 Hall效应

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p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望 被引量：9

10

作者 王新胜 杨天鹏 +4 位作者 刘维峰 徐艺滨 梁红伟 常玉春 杜国同 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期104-108,共5页

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多说异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂。ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题。目前在p型,ZnO的掺杂理论和实验方面... ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多说异的的光电性能。但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂。ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题。目前在p型,ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 P型掺杂 第一性原理 MOCVD MBE

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分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 被引量：6

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作者 矫淑杰 梁红伟 +5 位作者 吕有明 申德振 颜建锋 张振中 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期460-462,共3页

用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0... 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0W的条件下 ,获得了重复性很好的p型ZnO ,且载流子浓度最大可达 1.2× 10 19cm-3 ,迁移率为 0 .0 5 35cm2 ·V-1·s-1,电阻率为 9.5Ω·cm。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 P型掺杂 一氧化氮 射频等离子体 分了束外延

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水热法制备Co掺杂ZnO纳米棒及其光学性能 被引量：8

12

作者 李庆伟 边继明 +4 位作者 王经纬 孙景昌 梁红伟 骆英民 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期253-257,共5页

采用水热法在石英衬底上以Zn(CH3COO)2.2H2O和Co(NO3)2.6H2O水溶液为源溶液,以C6H12N4(HMT)溶液作为催化剂,在较低温度下制备了Co掺杂的ZnO纳米棒。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所生长ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌进行... 采用水热法在石英衬底上以Zn(CH3COO)2.2H2O和Co(NO3)2.6H2O水溶液为源溶液,以C6H12N4(HMT)溶液作为催化剂,在较低温度下制备了Co掺杂的ZnO纳米棒。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所生长ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌进行了表征,考察了Co掺杂对ZnO纳米棒微观结构和对发光性能影响的机制。结果表明:Co掺杂的ZnO纳米棒呈六方纤锌矿结构,具有沿(002)面择优生长特性,Co掺杂使ZnO纳米棒的直径变细;同时室温光致发光(PL)谱检测显示Co掺杂ZnO纳米棒具有很强的近带边紫外发光峰,而与深能级相关的缺陷发光峰则很弱。本研究采用水热法在石英衬底上于较低温度下生长出了具有较高光学质量的Co掺杂ZnO纳米棒。 展开更多

关键词 ZNO纳米棒 CO掺杂 光致发光 水热法

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高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征 被引量：3

13

作者 冯秋菊 冯宇 +7 位作者 梁红伟 王珏 陶鹏程 蒋俊岩 赵涧泽 李梦轲 宋哲 孙景昌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期154-158,共5页

在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂Zn... 在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。 展开更多

关键词 As掺杂 ZNO纳米线阵列 化学气相沉积 光致发光

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取向Zn(1-x)MgxO纳米线阵列的制备及光学特性 被引量：3

14

作者 魏强 李梦轲 +3 位作者 杨志 曹璐 张威 梁红伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第5期793-798,共6页

采用化学气相沉积(CVD)法,以高纯ZnO、Mg和活性C混合粉末为原料,在Si(111)衬底上制备了不同配比的取向Zn1-xMgxO纳米线阵列.用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM),能量色散X射线分析(EDAX)及光致发光(PL)光谱分析仪对样品的晶体结构、形貌... 采用化学气相沉积(CVD)法,以高纯ZnO、Mg和活性C混合粉末为原料,在Si(111)衬底上制备了不同配比的取向Zn1-xMgxO纳米线阵列.用X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM),能量色散X射线分析(EDAX)及光致发光(PL)光谱分析仪对样品的晶体结构、形貌、成分组成和光致发光特性进行了分析.用霍尔效应测量系统测试了不同配比样品的载流子浓度.实验发现,当Zn1-xMgxO纳米线阵列中Mg原子相对Zn原子摩尔比x值较小时(x<0.29),XRD衍射谱中只有ZnO晶体标准衍射峰,没有MgO晶体衍射峰,说明此时制备的Zn1-xMgxO纳米线样品晶格结构以ZnO纤锌矿结构为主,Mg原子只是作为替位或填隙原子分布在ZnO晶体中.但当样品中x>0.53时,ZnO与MgO的特征衍射峰同时出现在样品的衍射谱图中,说明随原料中Mg原子摩尔比的增加,制备的Zn1-xMgxO纳米阵列样品中ZnO纤锌矿结构与MgO岩盐结构同时存在,样品呈现多晶体结构形式.实验还对比了制备的纯ZnO与不同配比的Zn1-xMgxO纳米线阵列的光致发光光谱和载流子浓度,发现随Mg含量的增加,Zn1-xMgxO阵列紫光发光峰出现了较明显的蓝移现象,同时,测试结果也表明,随Mg含量的增加,Zn1-xMgxO阵列的紫光和绿光峰发光强度都有所减弱,样品的载流子浓度也随之下降.文章对实验结果进行了分析和探讨. 展开更多

关键词 Zn1-xMgxO 化学气相沉积 纳米线阵列 光致发光

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SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响(英文) 被引量：3

15

作者 宋世巍 梁红伟 +4 位作者 申人升 柳阳 张克雄 夏晓川 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1017-1021,共5页

研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的... 研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力。同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高。最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数。 展开更多

关键词 SIN 应力弛豫 插入层

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单根磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线日盲紫外探测器性能 被引量：3

16

作者 冯秋菊 解金珠 +4 位作者 董增杰 高冲 梁硕 刘玮 梁红伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1653-1660,共8页

β-Ga_(2)O_(3)是一种新兴的超宽带隙半导体材料,由于具有4.9 eV的带隙、较高的击穿电场(8 MV/cm)及较高的热稳定性和化学稳定性等优良特性,使其成为一种很有前途的半导体材料,在高功率电子器件、气体探测器和日盲紫外(UV)光电探测器等... β-Ga_(2)O_(3)是一种新兴的超宽带隙半导体材料,由于具有4.9 eV的带隙、较高的击穿电场(8 MV/cm)及较高的热稳定性和化学稳定性等优良特性,使其成为一种很有前途的半导体材料,在高功率电子器件、气体探测器和日盲紫外(UV)光电探测器等领域有着较为广阔的应用前景。本文采用化学气相沉积法(CVD)生长出大尺寸的厘米级磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线,并对微米线的表面形貌、晶体结构和成分进行了研究,发现微米线的长度可达0.6~1 cm,直径约为40μm。基于生长出的磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线制作了单根磷掺杂微米线的日盲紫外探测器,研究表明未掺杂和磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线对254 nm紫外光都具有良好的响应,其中磷含量为2.3%微米线制作的器件,其光电探测性能最好。该磷含量微米线器件在光功率550μW/cm^(2)时,其光电流为3.1μA,暗电流为1.56 nA,光暗电流比约为2×10^(3),上升和下降时间分别为47 ms和31 ms。当光功率为100μW/cm^(2)时,器件的光响应度和外量子效率最大,分别为6.57 A/W和3213%。此外,还对器件的紫外探测机理进行了研究。 展开更多

关键词 化学气相沉积 磷掺杂 β-Ga_(2)O_(3)微米线 紫外探测器

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利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究 被引量：1

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作者 颜建锋 梁红伟 +5 位作者 吕有明 刘益春 李炳辉 申德振 张吉英 范希武 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期103-106,共4页

在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,... 在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81～ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延法 光致发光 半导体材料 X射线衍射分析

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ZnS纳米棒阵列的结构和光学特性 被引量：1

18

作者 冯秋菊 申德振 +3 位作者 张吉英 梁红伟 吕有明 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期627-630,共4页

采用等离子体辅助的低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在没有引入任何金属催化剂的条件下,在c平面的蓝宝石衬底上制备出高取向的ZnS纳米棒阵列。从样品的场发射扫描电镜(SEM)和透射电镜的照片(TEM)中可以看到,获得的ZnS纳米棒具... 采用等离子体辅助的低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在没有引入任何金属催化剂的条件下,在c平面的蓝宝石衬底上制备出高取向的ZnS纳米棒阵列。从样品的场发射扫描电镜(SEM)和透射电镜的照片(TEM)中可以看到,获得的ZnS纳米棒具有均一的直径和长度,其直径和长度约为60,400 nm;X射线衍射(XRD)和选区电子衍射(SAED)谱指出获得的ZnS纳米棒为单晶的六角结构。此外,在光致发光(PL)谱中还观测到了发光峰位于335 nm强的近带边发射。 展开更多

关键词 ZnS纳米棒 金属有机化学气相沉积 光致发光

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卒中性偏侧舞蹈症40例临床分析 被引量：2

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作者 王运武 朱一玲 +1 位作者 沈如晖 梁红伟 《临床荟萃》 CAS 北大核心 2001年第3期126-,共1页

关键词 偏侧舞蹈症 不随意运动 锥体外系 氟哌啶醇 左侧肢体 偏侧共济失调

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动脉硬化疾病患者血浆内皮素和降钙素基因相关肽的检测及其临床意义 被引量：2

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作者 王运武 朱一玲 +3 位作者 李树裕 梁红伟 全观伟 梁青 《临床荟萃》 2000年第3期100-101,共2页

目的 :探讨内皮素 (ET)和降钙素基因相关肽 (CGRP) ,在动脉硬化 (AS)疾病 (包括脑梗死、冠心病和高血压病 )发病中的作用及意义。方法 :用放免法检测 30例健康者和 32例 AS疾病者治疗前、后的血浆 ET和 CGRP含量。结果 :AS疾病者治疗前... 目的 :探讨内皮素 (ET)和降钙素基因相关肽 (CGRP) ,在动脉硬化 (AS)疾病 (包括脑梗死、冠心病和高血压病 )发病中的作用及意义。方法 :用放免法检测 30例健康者和 32例 AS疾病者治疗前、后的血浆 ET和 CGRP含量。结果 :AS疾病者治疗前 ET和 CGRP比对照组显著升高 (90 .6± 2 3.3) ng/ L比 (44 .5± 11.8) ng/ L ,t=10 .0 2 ;(76 .8± 2 7.6 )ng/ L比 (6 4.1± 11.2 ) ng/ L ,t=2 .39,P分别 <0 .0 1,<0 .0 5 ;治疗后与治疗前比较 ET显著下降 (5 6 .7± 16 .1) ng/ L比(90 .6± 2 3.3) ng/ L,t=11.0 9,P<0 .0 1,也显著升高 (10 0 .5± 8.8) ng/ L比 (76 .8± 2 7.6 ) ng/ L,t=4.77,P<0 .0 1,也高于对照组 (10 0 .5± 8.8) ng/ L比 (6 4.1± 11.2 ) ng/ L,t=14.0 0 ,P<0 .0 1。结论 :ET和 CGRP在 AS疾病的发病中可能起一定作用 ; 展开更多

关键词 内皮素 CGRP 动脉硬化

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