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155 Mbit/s和622 Mbit/s速率0.6μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片被引量：4: 1; 作者梁帮立王志功 +2 位作者田俊章丽熊明珍《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第10期1-4,共4页; 采用国内的CSMC HJ 0 .6 μmCMOS工艺实现了 15 5Mb/s和 6 2 2Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片。芯片测试结果表明 ,激光二极管驱动电路(LDD) ,前置放大器 (Pre Amp)和限幅放大器 (LA)集成电路达到了世界同类集成电路... 展开更多; 关键词光纤通信激光二极管驱动电路前置放大器集成电路限幅放大器集成电路 CMOS工艺芯片; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种用于神经信号检测的低压前馈补偿运算跨导放大器: 2; 作者梁帮立王志功 +3 位作者王余峰吕晓迎章丽熊明珍《中国生物医学工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期192-196,201,共6页; 采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计实现了低压、低功耗的多级运算跨导放大器。本设计引入了无密勒电容的前馈补偿技术,规避了芯片集成电容以降低噪声并减小成本,获得了高达630MHz的单位增益带宽以及79度裕度的高稳定性。电路工作于2·... 展开更多; 关键词神经信号检测运算跨导放大器前馈补偿 CMOS工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度被引量：2: 3; 作者梁帮立夏冠群 +2 位作者黄志明范叔平褚君浩《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期188-190,共3页; 采用红外椭圆偏振光谱研究了与 Ga Sb衬底近晶格匹配的不同组分 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱 .根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效应确定了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品的... 展开更多; 关键词半导体材料红外椭圆偏振光谱禁带宽度; 在线阅读下载PDF 职称材料

用拉曼散射谱与远红外反射谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)四元混晶的长波光学声子被引量：1: 4; 作者梁帮立蒋春萍 +2 位作者夏冠群范叔平褚君浩《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期315-317,共3页; 报道了 MBE外延生长的 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱 ,并从拉曼散射谱中观察到了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的晶格振动四模行为 ;从实验中还观察到低于 180 cm- 1的若干散射峰 ,提出它们可能是与... 展开更多; 关键词四元混晶拉曼散射谱红外反射谱长波光学声子红外探测器材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

1.25Gbit/s光接收机CMOS共栅前置放大器被引量：1: 5; 作者田俊王志功 +6 位作者梁帮立冯军胡艳章丽熊明珍施毅郑有炓《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期574-577,共4页; 设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的CMOS前置放大器 .电路采用共栅结构取代常用的共源结构 ,大大降低了输入电阻 ,使得光检测器的寄生电容只影响非主极点 ,从而获得宽带 .提出了一种优于电阻反馈的有源反馈 ,可获得比普... 展开更多; 关键词前置放大器 CMOS工艺有源电流负反馈共栅结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名155 Mbit/s和622 Mbit/s速率0.6μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片被引量：4: 1; 作者梁帮立王志功田俊章丽熊明珍; 机构东南大学射频与光电集成电路研究所; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第10期1-4,共4页; 基金 86 3计划 (86 3 SOC Y 4 2 )资助项目; 文摘采用国内的CSMC HJ 0 .6 μmCMOS工艺实现了 15 5Mb/s和 6 2 2Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片。芯片测试结果表明 ,激光二极管驱动电路(LDD) ,前置放大器 (Pre Amp)和限幅放大器 (LA)集成电路达到了世界同类集成电路的水平。; 关键词光纤通信激光二极管驱动电路前置放大器集成电路限幅放大器集成电路 CMOS工艺芯片; Keywords Optic access network, SDH, CMOS technology, High speed IC; 分类号 TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种用于神经信号检测的低压前馈补偿运算跨导放大器: 2; 作者梁帮立王志功王余峰吕晓迎章丽熊明珍; 机构东南大学射频与光电集成电路研究所东南大学生物科学与医学工程系; 出处《中国生物医学工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期192-196,201,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(69825101) 国家自然科学基金重大研究计划重点资助项目(90377013); 文摘采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计实现了低压、低功耗的多级运算跨导放大器。本设计引入了无密勒电容的前馈补偿技术,规避了芯片集成电容以降低噪声并减小成本,获得了高达630MHz的单位增益带宽以及79度裕度的高稳定性。电路工作于2·5V±1·25V),功耗16mW,开环直流增益85dB,3dB带宽116kHz,可基本满足神经信号检测的应用要求。; 关键词神经信号检测运算跨导放大器前馈补偿 CMOS工艺; Keywords nerve signal recording operational transconducance amplifier feedforward compensation CMOS; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学] Q424 [生物学—神经生物学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度被引量：2: 3; 作者梁帮立夏冠群黄志明范叔平褚君浩; 机构中国科学院上海冶金研究所苏州大学物理系中国科学院红外物理国家实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期188-190,共3页; 基金国家 8 63高技术研究发展计划!(编号 863- 71 5- 0 1 52 )资助项目&&; 文摘采用红外椭圆偏振光谱研究了与 Ga Sb衬底近晶格匹配的不同组分 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱 .根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效应确定了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品的禁带宽度 ,并发现在组分 x=0 .2～ 0 .3之间禁带宽度随组分 x近似于线性变化 .; 关键词半导体材料红外椭圆偏振光谱禁带宽度; Keywords Ga x In 1- x As y Sb 1- y , refractive index spectra, room temperature, band gap energy.; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用拉曼散射谱与远红外反射谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)四元混晶的长波光学声子被引量：1: 4; 作者梁帮立蒋春萍夏冠群范叔平褚君浩; 机构中国科学院上海冶金研究所苏州大学物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期315-317,共3页; 基金国家 8 63高技术研究基金 (编号 863 -0 0 1-0 15 2 )资助项目~~; 文摘报道了 MBE外延生长的 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱 ,并从拉曼散射谱中观察到了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的晶格振动四模行为 ;从实验中还观察到低于 180 cm- 1的若干散射峰 ,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关 ;从拉曼散射谱和红外反射谱中观察到了与 Gax In1 - xAsy Sb1 -; 关键词四元混晶拉曼散射谱红外反射谱长波光学声子红外探测器材料; Keywords GaxIn1-xAsySb1-y quaternary mixed crystal Raman scattering spectra IR reflection spectra; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1.25Gbit/s光接收机CMOS共栅前置放大器被引量：1: 5; 作者田俊王志功梁帮立冯军胡艳章丽熊明珍施毅郑有炓; 机构东南大学射频与光电集成电路研究所东南大学射频与光电集成电路研究所南京大学物理系; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期574-577,共4页; 基金国家 8 63计划资助项目 (2 0 0 2AA3 12 2 40 ) .; 文摘设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的CMOS前置放大器 .电路采用共栅结构取代常用的共源结构 ,大大降低了输入电阻 ,使得光检测器的寄生电容只影响非主极点 ,从而获得宽带 .提出了一种优于电阻反馈的有源反馈 ,可获得比普通共栅结构更宽的带宽 .测试结果表明 ,在输入 80 5 μA的光电流时 ,电路的单端输出电压摆幅大于 64mV(峰峰值 ) ,均方根抖动在 36ps以下 ,可稳定工作在 1 2 5Gbit/s的速率上 .; 关键词前置放大器 CMOS工艺有源电流负反馈共栅结构; Keywords Bandwidth Jitter Photocurrents Photodetectors Signal receivers; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	155 Mbit/s和622 Mbit/s速率0.6μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片	梁帮立王志功田俊章丽熊明珍	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种用于神经信号检测的低压前馈补偿运算跨导放大器	梁帮立王志功王余峰吕晓迎章丽熊明珍	《中国生物医学工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度	梁帮立夏冠群黄志明范叔平褚君浩	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2000	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	用拉曼散射谱与远红外反射谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)四元混晶的长波光学声子	梁帮立蒋春萍夏冠群范叔平褚君浩	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	1.25Gbit/s光接收机CMOS共栅前置放大器	田俊王志功梁帮立冯军胡艳章丽熊明珍施毅郑有炓	《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料