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题名铜掺杂对硒化锌量子点光电子特性的影响
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作者
赵杰
梁关东
李明豫
翟瑞祥
王文刚
李葵英
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机构
燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
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出处
《燕山大学学报》
CAS
北大核心
2018年第3期252-258,共7页
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基金
河北省自然科学基金资助项目(E2017203029
E2013203296)
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文摘
利用水相合成法制备Cu:Zn Se量子点。采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu:Zn Se量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响。结果表明,掺铜后Cu:Zn Se量子点主带隙电荷转移跃迁产生的SPV响应强度比未掺铜Zn Se量子点高一倍。Cu:Zn Se量子点对应的主带隙表面光伏响应峰发生明显红移,表明铜掺杂态的电子能级位于导带底附近,并具有受体能级特征。研究发现,由于掺杂Cu2+离子导致Zn Se量子点光学带隙变小,而且变小的程度随掺杂量的增加而有所提高。实验证实,由于Cu2+离子的引入,Zn Se量子点立方闪锌矿结构(111)晶面X射线衍射峰出现分叉现象,它们分别对应于立方硒铜矿(101)和(102)晶面。
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关键词
ZnSe纳米晶
CU掺杂
表面光电压谱
场诱导表面光电压谱
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Keywords
ZnSe nanocrystals
Cu-doped
surface photovoltage
field induced surface photovoltage
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分类号
O649
[理学—物理化学]
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