期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
用深能级瞬态谱方法研究多晶硅薄膜的晶粒界面态
被引量：
2
1
作者
舒畅
包宗明
桑野博
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期263-270,共8页
本文发展了一个改进的深能级瞬态谱方法——C^2DLTS方法,并将该方法应用于硅离于注入再结晶法处理的多晶硅薄膜的晶粒界面态的研究。实验结果表明:多晶硅薄膜的晶粒界面态和硅离子注入后多晶硅薄膜的晶粒组成结构是密切相关的。
关键词
晶粒界面态
多晶硅
薄膜
C^2DLTS法
在线阅读
下载PDF
职称材料
分次硅离子注入再结晶多晶硅薄膜
2
作者
舒畅
包宗明
桑野博
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第6期344-348,共5页
本文提出了用分次硅离子注入再结晶法来处理多晶硅薄膜,并用透射电镜(TEM)和X射线衍射技术观察分析了处理后的多晶硅薄膜的晶粒尺寸和薄膜组成结构。结果表明:分次注入法确实有助于获得晶粒尺寸。大,同时晶粒晶向一致性好的多晶硅薄膜。
关键词
硅
离子注入
再结晶
多晶硅薄膜
晶向
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
用深能级瞬态谱方法研究多晶硅薄膜的晶粒界面态
被引量：
2
1
作者
舒畅
包宗明
桑野博
机构
复旦大学
日本庆应义塾大学
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期263-270,共8页
文摘
本文发展了一个改进的深能级瞬态谱方法——C^2DLTS方法,并将该方法应用于硅离于注入再结晶法处理的多晶硅薄膜的晶粒界面态的研究。实验结果表明:多晶硅薄膜的晶粒界面态和硅离子注入后多晶硅薄膜的晶粒组成结构是密切相关的。
关键词
晶粒界面态
多晶硅
薄膜
C^2DLTS法
Keywords
Deep level transient spectroscopy, Grain-boundary states, Polysilicon films, Silicon ion implantation and
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
分次硅离子注入再结晶多晶硅薄膜
2
作者
舒畅
包宗明
桑野博
机构
复旦大学
日本庆应义塾大学
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第6期344-348,共5页
基金
上海市青年科学基金
文摘
本文提出了用分次硅离子注入再结晶法来处理多晶硅薄膜,并用透射电镜(TEM)和X射线衍射技术观察分析了处理后的多晶硅薄膜的晶粒尺寸和薄膜组成结构。结果表明:分次注入法确实有助于获得晶粒尺寸。大,同时晶粒晶向一致性好的多晶硅薄膜。
关键词
硅
离子注入
再结晶
多晶硅薄膜
晶向
Keywords
Fractionally implanted by sillicon ion and recrystallized
Polysilicon films
Grain sizes
Orientation
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用深能级瞬态谱方法研究多晶硅薄膜的晶粒界面态
舒畅
包宗明
桑野博
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
分次硅离子注入再结晶多晶硅薄膜
舒畅
包宗明
桑野博
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
