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基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻
被引量：
5
1
作者
季振国
黄东
+2 位作者
席俊华
柯伟青
周荣富
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期9-11,共3页
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜。I-V测试结果表明,这...
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜。I-V测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻。
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关键词
氧化锌
柱状薄膜
压敏电阻
超低阈值
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职称材料
利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压
被引量：
1
2
作者
季振国
张春萍
+2 位作者
冯丹丹
柯伟青
毛启楠
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期5-7,共3页
利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜...
利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加。I-V特性曲线表明,基于Al/Zn1-xMgxO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节。上述现象表明,Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn1-xMgxO薄膜中电子的本征跃迁有关。
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关键词
Zn1-xMgxO
薄膜压敏电阻器
Mg掺杂
阈值电压
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职称材料
题名
基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻
被引量：
5
1
作者
季振国
黄东
席俊华
柯伟青
周荣富
机构
杭州电子科技大学电子信息学院
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期9-11,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60576063)
教育部博士点基金资助项目(20050335036)
“985”等资助项目
文摘
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜。I-V测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻。
关键词
氧化锌
柱状薄膜
压敏电阻
超低阈值
Keywords
ZnO
columnar structure
varistors
super low threshold
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压
被引量：
1
2
作者
季振国
张春萍
冯丹丹
柯伟青
毛启楠
机构
杭州电子科技大学电子信息学院
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期5-7,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60576063)
浙江省科技计划资助项目(2008F70015)
文摘
利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加。I-V特性曲线表明,基于Al/Zn1-xMgxO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节。上述现象表明,Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn1-xMgxO薄膜中电子的本征跃迁有关。
关键词
Zn1-xMgxO
薄膜压敏电阻器
Mg掺杂
阈值电压
Keywords
Zn1-xMgxO
thin film varistors
Mg doping
threshold
分类号
TN304.93 [电子电信—物理电子学]
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻
季振国
黄东
席俊华
柯伟青
周荣富
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009
5
在线阅读
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职称材料
2
利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压
季振国
张春萍
冯丹丹
柯伟青
毛启楠
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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