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船用热释光读出仪设计
1
作者 柏松 胡颖睿 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第3期435-440,共6页
本文介绍了一种船用热释光读出仪设备,克服了传统热释光读出仪无法适用于船用条件的问题。该设备将热释光卡片固定在加热装置上以保证船身摇摆时能够正常读数,首先由光电倍增管收集热释光片发出的微弱光信号,由前端电路进行调理,然后送... 本文介绍了一种船用热释光读出仪设备,克服了传统热释光读出仪无法适用于船用条件的问题。该设备将热释光卡片固定在加热装置上以保证船身摇摆时能够正常读数,首先由光电倍增管收集热释光片发出的微弱光信号,由前端电路进行调理,然后送入ADC将信号进行模数转换,利用FPGA对波形脉宽与幅度进行判别,并对判别后的有效方波信号进行计数,最后由单片机读取计数值并将加热曲线与发光曲线显示在串口屏,并同时将数据上传至终端。实验表明,该设备具有线性好,稳定性高,环境适应能力强等优点,能够在船用环境下进行测量工作。 展开更多
关键词 热释光读出仪 I/V变换 发光曲线
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Cr含量对低Cu/Mg比Al-Cu-Mg-Ag合金微观组织和力学性能的影响
2
作者 杨国强 刘志义 +2 位作者 柏松 李苏望 曹靖 《矿冶工程》 北大核心 2025年第2期193-196,204,共5页
研究了Cr含量(质量分数)对低Cu/Mg比Al-Cu-Mg-Ag合金微观组织和力学性能的影响。结果表明:在低Cu/Mg比Al-Cu-Mg-Ag合金中添加Cr,合金中形成了Al-Cr相和Al_(1.6)TiCr_(0.4)相;Cr含量由0.17%提高到0.22%,合金的抗拉强度由463 MPa提高到484... 研究了Cr含量(质量分数)对低Cu/Mg比Al-Cu-Mg-Ag合金微观组织和力学性能的影响。结果表明:在低Cu/Mg比Al-Cu-Mg-Ag合金中添加Cr,合金中形成了Al-Cr相和Al_(1.6)TiCr_(0.4)相;Cr含量由0.17%提高到0.22%,合金的抗拉强度由463 MPa提高到484 MPa,提升了4.5%;屈服强度由288 MPa提高到319 MPa,提升了10.8%。合金力学性能的提升主要来源于Cr的固溶强化和S′相的析出强化。 展开更多
关键词 微合金化 Cu/Mg比 固溶强化 析出强化 Cr AL-CU-MG-AG合金 析出相 欠时效 力学性能
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固溶时间对Al-Cu-Mg-Ag合金力学性能和晶间腐蚀性能的影响
3
作者 王吉祥 毛盼 +1 位作者 柏松 刘志义 《矿冶工程》 北大核心 2025年第1期138-142,共5页
采用拉伸试验、晶间腐蚀测试、电化学腐蚀分析、透射电子显微镜、扫描电子显微镜和电子背散射衍射技术研究了固溶时间对Al-Cu-Mg-Ag合金力学性能、抗晶间腐蚀性能和微观组织的影响。结果表明,固溶时间从5min增加到120min,残余第二相逐... 采用拉伸试验、晶间腐蚀测试、电化学腐蚀分析、透射电子显微镜、扫描电子显微镜和电子背散射衍射技术研究了固溶时间对Al-Cu-Mg-Ag合金力学性能、抗晶间腐蚀性能和微观组织的影响。结果表明,固溶时间从5min增加到120min,残余第二相逐渐溶解,Ω相尺寸和数量逐渐增大,合金力学性能显著提高,但抗晶间腐蚀性能显著降低。晶界无沉淀析出带(PFZ)与基体的电位差是增大晶间腐蚀速率的决定性因素,而PFZ宽度对抗晶间腐蚀性能无明显影响。 展开更多
关键词 AL-CU-MG-AG合金 固溶处理 Ω相 无沉淀析出带 晶间腐蚀 残余第二相
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基于4H-SiC的高温驱动电路设计与制造
4
作者 田源 黄润华 +4 位作者 倪朝辉 刘涛 张国斌 杨勇 柏松 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期23-28,共6页
为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题,设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路,用于改善电路整体的耐高温能力,并且分别在常温(25℃)和高温(300℃)条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条... 为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题,设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路,用于改善电路整体的耐高温能力,并且分别在常温(25℃)和高温(300℃)条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条件下的上升沿延迟和下降沿延迟分别为2.496μs和1.32μs,高温下两者分别为1.61μs和0.816μs。在输出功率为100 W、输出电压为56 V、母线电压为320 V的条件下对驱动电路进行带负载测试,常温下驱动电流的充电电流峰值为129 mA,放电电流峰值为120 mA;高温下驱动电流的充电电流峰值为264 mA,放电电流峰值为221 mA。测试结果表明,该驱动电路可在环境温度为300℃时正常工作,且随着环境温度在25~300℃范围内逐渐上升,该驱动电路的驱动能力以及响应速度逐渐提升。 展开更多
关键词 碳化硅 驱动电路 金属氧化物半导体晶体管
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水中氟化物污染与去除方法研究进展
5
作者 柏松 纪昳 +3 位作者 赵明明 沈莹 胡军 谈超群 《净水技术》 2025年第2期33-43,55,共12页
【目的】文章综述了水体的氟化物污染现状及氟化物对人体健康的影响,概述了国内外对各种水体中氟离子(F^(-))含量的要求,大多数国家饮用水中的F^(-)含量遵循世界卫生组织的规定(<1.5 mg/L),一些国家如我国、印度尼西亚、摩洛哥甚至... 【目的】文章综述了水体的氟化物污染现状及氟化物对人体健康的影响,概述了国内外对各种水体中氟离子(F^(-))含量的要求,大多数国家饮用水中的F^(-)含量遵循世界卫生组织的规定(<1.5 mg/L),一些国家如我国、印度尼西亚、摩洛哥甚至更严格。【方法】概括了目前含氟废水治理的常用方法与技术,重点介绍了沉淀法、吸附法、离子交换法、膜分离法和电化学法,总结了各类技术对F^(-)的去除机制和应用进展。说明了当前工业生产活动等过程导致的氟化物污染情况并比较了不同除氟工艺在实际应用的除氟效果,阐述了在实际进行废水除氟时,应根据水质特点、F^(-)初始浓度、效率速度、成本效益、环境友好、灵活适用性、安全性、市场可行性、排放标准及实际工艺情况等选择合适的工艺,同时优化联合除氟工艺参数,从而实现含氟废水的高效净化。【结果】随着环保政策及企业对水质的要求不断提高,传统工业废水除氟方法已难以满足当前的水质排放标准和可持续发展的要求。对于除氟工艺的发展方向,关键在于开发操作简单、高效经济、容易再生、不产生二次污染、应用范围广的除氟技术,从而满足国家对水体中F^(-)浓度的排放要求。【结论】对于实际废水中的多种污染物联合去除是未来的重要发展方向,进一步开发低成本、高效率、多功能的除氟技术对于环境和人类健康至关重要。 展开更多
关键词 氟离子(F^(-)) 除氟技术 含氟废水 工艺参数 排放要求
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单体种类对光固化增材制造5052铝合金的影响 被引量：1
6
作者 刘明信 乔聪卓 +3 位作者 彭超群 王日初 柏松 王小锋 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第2期145-152,共8页
针对光固化增材制造5052铝合金时存在的浆料不稳定、烧结体密度偏低和碳残留量较高等问题,研究了树脂单体种类对铝合金光固化增材制造的影响。结果表明,单体种类对光固化增材制造5052铝合金的成型工艺和烧结体性能具有重要影响。采用单... 针对光固化增材制造5052铝合金时存在的浆料不稳定、烧结体密度偏低和碳残留量较高等问题,研究了树脂单体种类对铝合金光固化增材制造的影响。结果表明,单体种类对光固化增材制造5052铝合金的成型工艺和烧结体性能具有重要影响。采用单体TMPTA或PEG400DA的铝浆黏度大于30 Pa·s,沉降时间大于120 h,成型的铝合金坯体结构完整但表面孔洞较多;采用单体PEG200DA或HDDA的铝浆黏度低于30 Pa·s,但沉降时间小于16 h,成型的铝合金坯体表面无孔洞但结构易残缺;采用单体PS-PCL的铝浆黏度低于30 Pa·s且稳定不易沉降,坯体表面无孔洞且结构完整。采用优选单体PS-PCL制备固含量55%铝浆,打印成型并烧结后,其相对密度大于95%,碳残留量相对较低(0.259 17%),断口烧结颈明显,硬度相对较高(29.94HV)。 展开更多
关键词 5052铝合金 增材制造 光固化 3D打印 单体 铝浆黏度 相对密度
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铬含量对Al-Cu-Mg-Ag合金微观组织和热暴露性能的影响 被引量：1
7
作者 唐漫 刘志义 +1 位作者 柏松 李苏望 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第3期166-169,175,共5页
研究了Cr含量对Al-Cu-Mg-Ag合金微观组织和热暴露性能的影响。结果表明,随着Cr含量增加,合金室温强度呈先上升后下降的变化趋势,含0.2%Cr的合金表现出优异的室温力学性能。透射定量计算结果表明,向合金中添加0.2%Cr,促进了热暴露后合金... 研究了Cr含量对Al-Cu-Mg-Ag合金微观组织和热暴露性能的影响。结果表明,随着Cr含量增加,合金室温强度呈先上升后下降的变化趋势,含0.2%Cr的合金表现出优异的室温力学性能。透射定量计算结果表明,向合金中添加0.2%Cr,促进了热暴露后合金中Ω相的析出,提高了Ω相的抗粗化性能。Cr添加量超过0.3%后,合金晶界处析出(Al,Cr,Mn,Ti)富集相,导致晶粒粗大。 展开更多
关键词 AL-CU-MG-AG合金 力学性能 晶粒细化 热暴露 微合金化 铬
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200 V全碳化硅集成技术
8
作者 顾勇 马杰 +5 位作者 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2183-2189,共7页
本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物... 本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出. 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体
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4H-SiC CMOS高温集成电路设计与制造
9
作者 陈浩炜 刘奥 +3 位作者 黄润华 杨勇 刘涛 柏松 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期109-112,118,共5页
设计、制造并测试了基于碳化硅材料的横向MOSFET器件和CMOS电路。常温时,N型和P型MOSFET在片测试的阈值电压分别约为5.4 V和-6.3 V;温度达到300℃时,N型和P型MOSFET的阈值电压分别为4.3 V和-5.3 V。由N型和P型MOSFET组成的CMOS反相器在... 设计、制造并测试了基于碳化硅材料的横向MOSFET器件和CMOS电路。常温时,N型和P型MOSFET在片测试的阈值电压分别约为5.4 V和-6.3 V;温度达到300℃时,N型和P型MOSFET的阈值电压分别为4.3 V和-5.3 V。由N型和P型MOSFET组成的CMOS反相器在常温下输出的上升时间为1.44μs,下降时间为2.17μs,且在300℃高温条件下仍可正常工作。由CMOS反相器级联成的环形振荡器在常温下的测试工作频率为147 kHz,在高温下也可正常工作。 展开更多
关键词 碳化硅 CMOS 集成电路 反相器 环形振荡器
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1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制
10
作者 张跃 柏松 +3 位作者 李士颜 陈谷然 黄润华 杨勇 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第3期F0003-F0003,共1页
碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁... 碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁移率和较大的元胞尺寸,难以充分发挥SiC器件的材料优势,后者将导电沟道由横向改为纵向,既明显改善了沟道迁移率,又大幅提升了沟道密度,使得器件导通电阻显著降低,代表着SiCMOSFET的未来发展方向。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 MOSFET器件 导通电阻 迁移率 平面型 功率器件 沟道密度 新能源汽车
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熔体超声处理对Al-Cu-Mg-Ag合金微观组织和硬度的影响
11
作者 毛盼 王吉祥 +1 位作者 柏松 刘志义 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第6期139-143,共5页
利用超声波处理Al-Cu-Mg-Ag合金熔体,研究了熔体超声处理对其微观组织和硬度的影响。结果表明,相较于未超声处理的铸态合金,熔体超声处理90 s和180 s所得铸态合金硬度分别提升了12.7%和11.2%。熔体超声处理降低了合金成分偏析,加快200℃... 利用超声波处理Al-Cu-Mg-Ag合金熔体,研究了熔体超声处理对其微观组织和硬度的影响。结果表明,相较于未超声处理的铸态合金,熔体超声处理90 s和180 s所得铸态合金硬度分别提升了12.7%和11.2%。熔体超声处理降低了合金成分偏析,加快200℃/2 h时效过程中Ω相的析出。定量分析结果表明:熔体超声处理虽然能减小铸态合金的晶粒尺寸,但细晶强化效果有限;固溶强化和析出强化分别提高了铸态和T6态合金的硬度。 展开更多
关键词 AL-CU-MG-AG合金 超声处理 硬度 微观组织 固溶强化 析出强化 T6热处理
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门冬胰岛素30联合二甲双胍治疗2型糖尿病临床观察 被引量：18
12
作者 柏松 时艺珊 +3 位作者 王晓蕾 石峰 鞠巍 赵冬 《中国医药导报》 CAS 2009年第33期57-58,共2页
目的:采用门冬胰岛素30联合二甲双胍治疗2型糖尿病(T2DM),以评价其临床疗效。方法:将62例T2DM患者随机分为两组,对照组单用门冬胰岛素30治疗,观察组在注射门冬胰岛素30基础上加用二甲双胍口服,观察12周。比较两组治疗前后血糖、HbA1c、... 目的:采用门冬胰岛素30联合二甲双胍治疗2型糖尿病(T2DM),以评价其临床疗效。方法:将62例T2DM患者随机分为两组,对照组单用门冬胰岛素30治疗,观察组在注射门冬胰岛素30基础上加用二甲双胍口服,观察12周。比较两组治疗前后血糖、HbA1c、胰岛素用量、BMI(体重指数)、低血糖发生次数。结果:对照组和观察组均能显著降低患者的血糖和HbA1c;观察组胰岛素用量少、BMI无明显变化、低血糖发生次数较少。结论:门冬胰岛素30联合二甲双胍治疗T2DM能更有效地控制血糖,且胰岛素用量少,不增加体重,减少低血糖的发生。 展开更多
关键词 门冬胰岛素30 二甲双胍 2型糖尿病 治疗
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岷江上游干旱河谷海拔梯度上的土壤发生特征 被引量：16
13
作者 柏松 黄成敏 唐亚 《土壤》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期980-985,共6页
了解岷江上游干旱河谷的土壤发生特征对区域植被恢复有着指导意义,为此选择不同海拔梯度上7个典型土壤剖面进行土壤发生特性分析。结果表明,受区域成土环境影响,土壤化学风化和成土作用弱;土壤质地较粗,土壤机械组成以粉砂为主,黏化作... 了解岷江上游干旱河谷的土壤发生特征对区域植被恢复有着指导意义,为此选择不同海拔梯度上7个典型土壤剖面进行土壤发生特性分析。结果表明,受区域成土环境影响,土壤化学风化和成土作用弱;土壤质地较粗,土壤机械组成以粉砂为主,黏化作用不强。土壤全Fe含量和Fe游离度一般<50g/kg和<30%;交换性盐基组成在土壤剖面中无明显分异。随海拔升高,土壤黏粉比、全Fe含量、Fe游离度增加。土壤表土有机碳同位素δ13C值随海拔升高偏负,反映区域植被类型由低海拔半干旱气候条件下的C4型灌丛植被向高海拔凉润气候条件下C3型针阔叶林自然过渡。基于干旱河谷地区土壤特征,其植被恢复应以提高土壤质量为基础,并应遵循海拔梯度上自然植被分布特征进行植被恢复和生态重建。 展开更多
关键词 岷江上游干早河谷 土壤发生 土壤特征 土壤有机碳稳定同位素
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土壤有机碳稳定同位素的古环境指示意义及影响因素 被引量：7
14
作者 柏松 黄成敏 唐亚 《土壤》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期148-152,共5页
土壤有机C稳定同位素受控于生长其上的植物类型及其生物量,而后者又取决于环境条件。因此利用土壤有机质δ13C值可以反映地质历史时期C3、C4植被变化,从而进一步揭示环境变化进程。目前,土壤有机C稳定同位素特征分析已成为古生态与古环... 土壤有机C稳定同位素受控于生长其上的植物类型及其生物量,而后者又取决于环境条件。因此利用土壤有机质δ13C值可以反映地质历史时期C3、C4植被变化,从而进一步揭示环境变化进程。目前,土壤有机C稳定同位素特征分析已成为古生态与古环境恢复、古气候重建、全球变化研究的重要内容。由于大气湿度、CO2分压、温度和微生物分解等众多因素的影响,土壤有机质δ13C特征、C3与C4植物组成比例、区域环境(主要是气候)三者间并不完全呈现一一对应关系,因此,其应用机理和影响因素尚需要进一步探讨。今后应着重加强现代地表植被特征与土壤有机质δ13C关系、人类活动方式对土壤有机C稳定同位素特征的影响、土壤-植物-大气系统C循环过程等方面研究,才能使土壤有机C稳定同位素特征研究获得更为广泛的应用。 展开更多
关键词 土壤有机质 碳稳定同位素 古气候 古生态 全球变化
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微波大功率SiC MESFET及MMIC 被引量：5
15
作者 柏松 陈刚 +3 位作者 吴鹏 李哲洋 郑惟彬 钱峰 《中国电子科学研究院学报》 2009年第2期137-139,共3页
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率... 利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320W,增益8.6dB。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2～4GHz频带内小信号增益大于10dB,脉冲输出功率最大超过10W。 展开更多
关键词 SIC MESFET 微波功率 宽带 MMIC
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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管 被引量：2
16
作者 柏松 吴鹏 +6 位作者 陈刚 冯忠 李哲洋 林川 蒋幼泉 陈辰 邵凯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期F0003-F0003,共1页
关键词 S波段 功率管 SIC 内匹配 脉冲 微波功率器件 南京电子器件研究所 MESFET
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S波段SiC MESFET微波功率MMIC 被引量：1
17
作者 柏松 陈刚 +8 位作者 冯忠 钱峰 陈征 吴鹏 任春江 李哲洋 郑惟彬 蒋幼泉 陈辰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期244-246,共3页
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8~3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32V时带内脉冲输出功率超过5W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MI M电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。 展开更多
关键词 碳化硅 金属半导体场效应晶体管 微波功率 单片微波集成电路
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4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究 被引量：5
18
作者 柏松 韩春林 陈刚 《电子工业专用设备》 2005年第11期59-61,共3页
对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善... 对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤。工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1。制成的4H-SiCMESFET直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350mAmm。 展开更多
关键词 4H-SIC MESFET 反应离子刻蚀 牺牲氧化 肖特基势垒
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酿酒污水资源化应用性能及风险分析 被引量：1
19
作者 何静 柏松 +3 位作者 谢光杰 罗玲 黄治国 卫春会 《中国酿造》 CAS 北大核心 2024年第1期113-118,共6页
酿酒污水因其有机物浓度高而难以高效处理,但城镇污水处理厂面临着因有机物不足而导致的低碳氮比(C/N)污水反硝化效果差的问题。因此,该实验考察了以酿酒污水作为碳源强化低C/N污水的亚硝酸盐氮(NO3--N)去除效果,对水力停留时间(HRT)进... 酿酒污水因其有机物浓度高而难以高效处理,但城镇污水处理厂面临着因有机物不足而导致的低碳氮比(C/N)污水反硝化效果差的问题。因此,该实验考察了以酿酒污水作为碳源强化低C/N污水的亚硝酸盐氮(NO3--N)去除效果,对水力停留时间(HRT)进行了优化,并对关键微生物和技术风险进行了分析。结果表明,在HRT为12~36 h、酿酒污水和低C/N污水体积比500∶1、进水总氮(TN)19.7 mg/L的条件下,处理后化学需氧量(COD)、TN、NO3--N浓度可以满足污水处理厂尾水排放标准。HRT优化过程造成了菌群差异,其中食酸菌属(Acidovorax)是同步去除COD和NO3--N的主要异养反硝化菌属。此外,致病和移动元件表型富集表明,在HRT为12 h时微生物致病和传播综合风险最低。综上,酿酒污水的资源化利用技术是可行的,并且HRT为12 h是最高效、安全的技术参数。研究可为酿酒污水处理提供理论指导和参考。 展开更多
关键词 酿酒污水 低C/N污水 微生物特性 风险分析
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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管
20
作者 柏松 吴鹏 +6 位作者 陈刚 冯忠 李哲洋 林川 蒋幼泉 陈辰 邵凯 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2008年第3期F0003-F0003,共1页
关键词 S波段 功率管 内匹配 脉冲 SIC 微波功率器件 南京电子器件研究所 器件应用
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