跨世纪新学科──纳米电子学 被引量：19

1

作者 林鸿溢 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期59-64,共6页

本世纪最后十年，一个崭新的学科领域──纳米科学技术诞生了，这一新领域为多科性交叉学科，包括纳米电子学、纳米材料科学、纳米生物学、纳米机械学、纳米显微学和纳米制造等，本文讨论了新颖的纳米电子学的提出、设想、内容、现状和... 本世纪最后十年，一个崭新的学科领域──纳米科学技术诞生了，这一新领域为多科性交叉学科，包括纳米电子学、纳米材料科学、纳米生物学、纳米机械学、纳米显微学和纳米制造等，本文讨论了新颖的纳米电子学的提出、设想、内容、现状和前景。纳米科学技术的最终目标是直接操纵单个原子或分子，制造具有特定功能的产品，从而将惊人地改变着人类的生产和生活模式。 展开更多

关键词 纳米电子学 纳米 材料学

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纳米材料与纳米技术 被引量：21

2

作者 林鸿溢 《材料导报》 EI CAS CSCD 1993年第6期42-45,52,共5页

简要介绍了纳米材料的结构、特性和制法,以及纳米技术的兴起及其应用。

关键词 纳米材料 纳米电子学 金属材料

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纳米科学技术的新进展 被引量：10

3

作者 林鸿溢 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期21-27,共7页

纳米科学技术在 2 0世纪最后 1 0年诞生并得到迅速发展。讨论和论述了新兴的纳米科学技术的进展 ,展望了包括量子功能器件、薄膜传感器、纳米材料、生物技术和原子工程等的应用前景 。

关键词 纳米科学技术 纳米材料 纳米电子学 技术发展

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a—Si:H薄膜显微形貌的图象处理 被引量：1

4

作者 林鸿溢 沈庭芝 李映雪 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期91-93,共3页

用动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显徽图象,通过对图象的数字采集和计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火温度下,显徽图像的Sandbox关系曲线。结果表明,在一定条件下所形成的微结构具有分形结构... 用动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显徽图象,通过对图象的数字采集和计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火温度下,显徽图像的Sandbox关系曲线。结果表明,在一定条件下所形成的微结构具有分形结构特性。计算了显徽图象的分维,讨论了a-Si:H薄膜结构驰豫(相变)与分形结构形成的关系。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 退火 晶体 图象处理

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纳米硅薄膜的特点及其制备技术 被引量：2

5

作者 林鸿溢 武旭辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期54-56,共3页

作为一项新的半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。

关键词 半导体薄膜 纳米硅薄膜 等离子体增强化学气相淀积

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分形论在材料科学中的应用 被引量：8

6

作者 林鸿溢 《材料导报》 EI CAS CSCD 1994年第4期5-9,共5页

介绍若干材料中的分形凝聚模型:扩散限制凝聚(DLA)模型、动力学集团凝聚(KCA)模型和扩散与化学限制凝聚(DCLA)模型;着重讨论了材料科学中分形研究的新进展:电化学分形生长、表面分形、高分子聚合物分形、准晶分形、薄膜中的分形凝聚、... 介绍若干材料中的分形凝聚模型:扩散限制凝聚(DLA)模型、动力学集团凝聚(KCA)模型和扩散与化学限制凝聚(DCLA)模型;着重讨论了材料科学中分形研究的新进展:电化学分形生长、表面分形、高分子聚合物分形、准晶分形、薄膜中的分形凝聚、纳米半导体分形生长和断裂面的分形性质。 展开更多

关键词 分形论 材料科学 分形凝聚模型

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非晶态半导体的进展 被引量：8

7

作者 林鸿溢 《材料导报》 EI CAS CSCD 1993年第2期30-35,共6页

从无序概念入手,简要介绍了非晶态半导体的结构及其分析途径,并给出其特殊的能带结构与特有的光电性质,以及非晶态半导体优秀的应用实例与开发前景。

关键词 进展 半导体 无定形半导体

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纳米技术展新程 被引量：2

8

作者 林鸿溢 苏月琼 《电子产品世界》 2001年第11期63-65,共3页

关键词 纳米技术 碳纳米管 纳米激光器

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美感的分形性探讨

9

作者 林鸿溢 崔建霞 《北方论丛》 CSSCI 1994年第5期45-47,共3页

本文试从一个新的角度,用自然科学中分形学的基本思想——自相似性分析美感问题．自相似性是指事物在形态、结构、信息、功能和时间上的相似性．无论是艺术欣赏中美感的产生,还是艺术创作中美的创造,都受自相似性的制约,都是审美主体和... 本文试从一个新的角度,用自然科学中分形学的基本思想——自相似性分析美感问题．自相似性是指事物在形态、结构、信息、功能和时间上的相似性．无论是艺术欣赏中美感的产生,还是艺术创作中美的创造,都受自相似性的制约,都是审美主体和客观对象之间在审美情趣、审美理想和思想感情的某些方面存在着自相似性,也就是一致性,从而情动于衷,产生共鸣． 展开更多

关键词 自相似性 审美主体 审美理想 审美对象 分形性 艺术欣赏 美感的产生 向日葵 主观条件 审美特性

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非晶态半导体中的分形结构

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作者 林鸿溢 《化学研究与应用》 CAS CSCD 1991年第4期34-39,共6页

非晶态半导体硅(α-Si:H)薄膜作为新型的光电子材料,近年来备受关注,发展迅速。但其晶化机理有待深入探索。用分形理论所作的分析表明,在一定条件下,a-Si:H薄膜中形成的微结构具有分形性质。本文计算了分维值,讨论了a-Si:H薄膜结构弛豫... 非晶态半导体硅(α-Si:H)薄膜作为新型的光电子材料,近年来备受关注,发展迅速。但其晶化机理有待深入探索。用分形理论所作的分析表明,在一定条件下,a-Si:H薄膜中形成的微结构具有分形性质。本文计算了分维值,讨论了a-Si:H薄膜结构弛豫(相变)与分形结构形成的关联,和非晶硅薄膜可能的晶化机理。并研究了在高真空中用透射电子显微镜(TEM)及动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位(in situ)退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显微图像。利用图像处理技术对显微像进行光电转换,A/D转换和数字计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火条件下,显微象的Sandbox关系曲线。从而获得薄膜中形成不同分形结构的分维。文中给出应用分形理论对非晶态半导体薄膜进行分析的技术细节。 展开更多

关键词 非晶态半导体 晶化 图像处理 分形结构 相变

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氧化锌薄膜的研究与开发进展 被引量：5

11

作者 赵谢群 邱向东 林鸿溢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期8-12,共5页

阐述了ＺｎＯ薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性。分析了薄膜研制、应用与开发现状，展望了产业化发展前景。

关键词 制备技术 应用 氧化锌薄膜

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纳米半导体及其应用 被引量：4

12

作者 李玉铭 李山东 林鸿溢 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1997年第11期1052-1056,共5页

纳米半导体硅（nc-Si：H）薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元组成：纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组无，即晶态相和晶界相组成.这对发展半导体器件，例... 纳米半导体硅（nc-Si：H）薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制。纳米硅薄膜由两种组元组成：纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组无，即晶态相和晶界相组成.这对发展半导体器件，例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。 展开更多

关键词 纳米半导体 量子功能器件 半导体薄膜

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非晶硅的应用研究 被引量：1

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作者 林鸿溢 《兵工学报》 EI CAS 1988年第3期15-20,共6页

本文阐述了氢化非晶态硅(a-Si:H)薄膜材料的辉光放电(GD)法制备技术和等离子体化学反应过程。对所制备的a-Si:H薄膜样品作了光电导测量,光电导的色散关系表明,光电导光谱峰值与太阳光谱的峰值相一致;测量还得到σ_ph/σ_d。比值高达3... 本文阐述了氢化非晶态硅(a-Si:H)薄膜材料的辉光放电(GD)法制备技术和等离子体化学反应过程。对所制备的a-Si:H薄膜样品作了光电导测量,光电导的色散关系表明,光电导光谱峰值与太阳光谱的峰值相一致;测量还得到σ_ph/σ_d。比值高达3×10~4,因此,将其作为光电器件应用是大有希望的。文中对晶化和氢的逸出作了讨论,并利用x射线光电子能谱(XPS)方法对a-Si:H薄膜样品表面作了分析,结果表明,a-Si:H薄膜作为器件表面钝化膜应用具有特殊的优越性。 展开更多

关键词 薄膜材料 光电导 色散关系 XPS SI 辉光放电 非晶态硅 非晶硅 等离子体化学反应 应用研究 科学研究

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