-
题名试论武术散打的可持续发展
被引量：4
- 1
-
-
作者
林益波
-
机构
四川警察学院
-
出处
《体育文化导刊》
CSSCI
北大核心
2013年第8期120-123,共4页
-
文摘
运用文献资料等方法分析我国武术散打现存问题,探讨其可持续发展战略。随着散打运动国际化进程的不断加快,我国散打面临着严峻的挑战和考验,因此要把保护散打现役运动员、改良和强化散打综合技战术、加强后备人才培养等作为武术散打可持续发展战略,并重点加以实施。此外,要扩展武术散打运动的群众基础,提高大众对中华武术的认识,促进对武术散打运动的传承。
-
关键词
民族传统体育
武术
散打
可持续发展
-
分类号
G852.4
[文化科学—民族体育]
-
-
题名介电泳抛光方法及其电极形状的实验研究
被引量：1
- 2
-
-
作者
林益波
赵天晨
邓乾发
袁巨龙
-
机构
浙江工业大学超精密加工研究中心
-
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期155-160,共6页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(51275476)
浙江省科技创新团队项目(2011R50011-06)~~
-
文摘
目的验证介电泳抛光方法的有效性,研究电极形状对介电泳抛光方法均匀性、抛光效率和去除率的影响。方法选取直径76.2 mm的单晶硅片为实验对象,进行传统化学机械抛光(CMP)实验和使用4种电极形状的介电泳抛光实验,每隔30 min测量硅片不同直径上的表面粗糙度以及硅片的质量,然后对测量的数据进行处理和分析。结果与传统CMP方法比较,使用介电泳抛光方法抛光的硅片,不同直径上的表面粗糙度相差小,粗糙度下降速度快,使用直径60 mm圆电极形状介电泳抛光时相差最小,粗糙度下降最快。介电泳抛光方法去除率最低能提高11.0%,最高能提高19.5%,最高时所用电极形状为内径70 mm、外径90 mm的圆环。结论介电泳抛光方法抛光均匀性、效率和去除率均优于传统CMP方法。
-
关键词
介电泳抛光
电极形状
单晶硅片
均匀性
表面粗糙度
去除率
-
Keywords
dielectrophoresis polishing
electrode shape
monocrystalline silicon wafer
uniformity
surface roughness
removal rate
-
分类号
TG175
[金属学及工艺—金属表面处理]
-
