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题名半绝缘多晶硅钝化技术研究及其应用
被引量：3
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作者
陈福元
陈启秀
陈忠景
章婉珍
林玉瓶
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机构
浙江大学电力电子工程研究中心功率器件研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期26-30,共5页
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文摘
1 前言 半导体器件的稳定性除了与器件的制造材料、器件本身的结构有关外,在相当大的程度上还取决于对其表面的保护措施——即表面钝化。钝化是改善器件性能和提高可靠性所不可缺少的手段和重点工艺。早在五十年代。
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关键词
半绝缘
多晶硅
钝化
半导体器件
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名氮气氛下直拉硅单晶的杂质控制
被引量：1
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作者
杨德仁
李立本
林玉瓶
姚鸿年
阙端麟
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机构
浙江大学半导体材料研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期58-61,共4页
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文摘
通过改变埚转、氮气流量及多晶熔化时间等拉晶参数,便能简单而有效地控制其氧碳氮杂质,并在实际生产中运用获得成功。
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关键词
氮气
流量
硅单晶
控制
杂质控制
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分类号
TN304.053
[电子电信—物理电子学]
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题名ECR微波等离子体CVD制备a—Si:H薄膜
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作者
万英超
林玉瓶
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机构
浙江大学信电系
浙江大学半导体材料研究所
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出处
《浙江大学学报（自然科学版）》
CSCD
1992年第6期688-695,共8页
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文摘
电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积(ECRPCVD)应用于制备a—Si:H薄膜,其沉积速率大于射频等离子体化学气相沉积(RFPCVD),而且在基体不加温情况下也能获得比较满意的特性。根据红外吸收谱分析,并经伸缩振动模吸收带的积分计算,得出样品的含氢量为20—30％,光学带隙E。为1.80eV左右;暗电导率小于10^(-10)s/cm。倘若基体适当加温,a—Si:H膜的性能将更为优良。
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关键词
微波等离子体
CVD
a-Si:H膜
薄膜
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Keywords
electron cyclotron resonance
microwave plasma CVD
a -Si: H films
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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