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一次中强磁暴期间低纬电离层响应的CT成像 被引量:8
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作者 徐继生 马淑英 +2 位作者 吴雄斌 林根煌 叶公节 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期145-151,共7页
为考察赤道异常区电离层对中等强度磁暴的响应特性,用电离层CT成像方法重建电离层电子密度二维剖面.重建结果表明,暴时低纬电离层电子密度以降低为主,但暴相随纬度和高度而异;磁暴期间,赤道异常峰结构仍然存在,但恢复相期间峰... 为考察赤道异常区电离层对中等强度磁暴的响应特性,用电离层CT成像方法重建电离层电子密度二维剖面.重建结果表明,暴时低纬电离层电子密度以降低为主,但暴相随纬度和高度而异;磁暴期间,赤道异常峰结构仍然存在,但恢复相期间峰的位置向赤道移动;磁暴急始之后约20min,在赤道异常峰区出现电子密度深度耗空,这种耗空遍及从底到顶的整个F区,朝赤道一侧显现水平梯度非常大的陡壁.这种与磁暴急始相联系的电子密度深度耗空现象很有意义,值得进一步研究. 展开更多
关键词 低纬电离层 CT成像 磁暴 电离层暴
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