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离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用: 1; 作者来永春王大椿 +7 位作者张通和罗晏沈京华林振金谢葆珍刘有宝卢英华边江《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1986年第3期44-53,共10页; 本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作... 展开更多; 关键词界面氧化层浅结工艺 SI 双极集成电路晶粒大小背散射分析光衍射霍尔效应离子注入双极晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

Tl-Ba-Ca-Cu-O系超导体相结构和掺Mn影响的电镜研究: 2; 作者林明柱周善元 +7 位作者李永良唐为华涂青云桑丽华刘振兴任燕如林振金孟宪仁《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第A04期25-28,共4页; Tl-Ba-Ca-Cu-O系超导体多相同时存在,多至6相,均属四方晶系钙钛矿结构,其中(2223)(2212)相共生,其衍射谱给出c≈33A的假象.加Mn可以部分取代Tl,但增加Mn的含量将失去高温超导性.; 关键词超导体 Tl-Ba-Ca-Cu-O体系电子衍射四方品系相加锰; 在线阅读下载PDF 职称材料

N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算: 3; 作者吴小山杨锡震 +1 位作者林振金李智《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期116-121,共6页; 本文根据化学反应的吉布斯自由能及ＶａｎＶｅｃｈｔｅｎ等人的介电理论计算了Ｎ在ＧａＰ中的溶解度及Ｐ在ＧａＮ中的溶解度．计算结果表明，Ｎ在ＧａＰ中有一个相当好的溶解度，在这个溶解度下，ＧａＰ（１－ｘ）Ｎｘ合金的能带可以发... 展开更多; 关键词溶解极限溶解度磷化镓氮化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子注入GaAs_(x-1)P_x(X■0.39)LED中深能级的研究: 4; 作者杨锡震丁维清林振金《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1981年第4期33-38,共6页; 一、引言近年来,国内外发光二极管(LED)及其所用材料中深能级的检测和研究取得了不少成果。研究表明:某些深能级的存在所引起的载流子复合的“旁路”,是限制LED效率提高的一个重要因素。热激电流(TSC)是检测深能级,研究材料中杂质、缺... 展开更多; 关键词深能级 LED x-1)P_x 热激电流载流子复合发光二极管发光中心样品架发光带复合发光; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱被引量：1: 5; 作者丁维清林振金 +1 位作者杨锡震蔡萃丽《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1981年第2期59-66,共8页; 前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主... 展开更多; 关键词等电子杂质发光二极管能隙发光效率 x)P_x 发光性质发光波长发光强度流明效率国际制造; 在线阅读下载PDF 职称材料

铊钡钙铜氧超导体的红外光谱: 6; 作者刘汉朋孟宪仁 +4 位作者任燕如林明柱涂清云桑莉华林振金《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第2期38-42,共5页; 给出2组 Tl-Ba-Ca-Cu-O 超导材料的超导转变温度,叙述它们的红外光谱测试,首次报导了 Tl 系超导体的红外吸收光谱,并进行了分析,认为有3个特征峰.峰 P_2(约530cm^(-1))与峰 P_2(约490cm^(-1))的差值可作为超导性能的标志,差值越小,T_c ... 展开更多; 关键词铊钡钙铜氧化物超导体化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱: 7; 作者冯建东林振金 +3 位作者杨锡震刘玉梁王世润田德恒《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1988年第2期47-50,共4页; 为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N^+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前... 展开更多; 关键词光致发光离子注入 X射线衍射快速退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用: 1; 作者来永春王大椿张通和罗晏沈京华林振金谢葆珍刘有宝卢英华边江; 机构北京师范大学低能核物理研究所北京师范大学物理系中国科学院高能核物理研究所航天工业部七七一所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1986年第3期44-53,共10页; 文摘本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作了较详细的分析,指出极薄界面氧化层的存在影响As从多晶Si向单晶Si的扩散,也有利于发射效率的提高。最后给出D.I2902电路的工艺流程和基本电参数。; 关键词界面氧化层浅结工艺 SI 双极集成电路晶粒大小背散射分析光衍射霍尔效应离子注入双极晶体管; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Tl-Ba-Ca-Cu-O系超导体相结构和掺Mn影响的电镜研究: 2; 作者林明柱周善元李永良唐为华涂青云桑丽华刘振兴任燕如林振金孟宪仁; 机构北京师范大学物理系北京师范大学分析测试中心中国科学院物理所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第A04期25-28,共4页; 文摘 Tl-Ba-Ca-Cu-O系超导体多相同时存在,多至6相,均属四方晶系钙钛矿结构,其中(2223)(2212)相共生,其衍射谱给出c≈33A的假象.加Mn可以部分取代Tl,但增加Mn的含量将失去高温超导性.; 关键词超导体 Tl-Ba-Ca-Cu-O体系电子衍射四方品系相加锰; Keywords superconductor Tl-Ba-Ca-Cu-O system electron diffraction tetragonal phases addition of Mn.; 分类号 N55，G658.3 [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算: 3; 作者吴小山杨锡震林振金李智; 机构北京师范大学物理系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期116-121,共6页; 文摘本文根据化学反应的吉布斯自由能及ＶａｎＶｅｃｈｔｅｎ等人的介电理论计算了Ｎ在ＧａＰ中的溶解度及Ｐ在ＧａＮ中的溶解度．计算结果表明，Ｎ在ＧａＰ中有一个相当好的溶解度，在这个溶解度下，ＧａＰ（１－ｘ）Ｎｘ合金的能带可以发生有意义的变化，我们的计算结果可以很好地说明最近一些作者所作的有关实验报道．; 关键词溶解极限溶解度磷化镓氮化镓; Keywords GaP_(1-x)N_x pesudobinary compound system, solubility, zincblende structure,wurtzite structure; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子注入GaAs_(x-1)P_x(X■0.39)LED中深能级的研究: 4; 作者杨锡震丁维清林振金; 机构北京师范大学物理系; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1981年第4期33-38,共6页; 文摘一、引言近年来,国内外发光二极管(LED)及其所用材料中深能级的检测和研究取得了不少成果。研究表明:某些深能级的存在所引起的载流子复合的“旁路”,是限制LED效率提高的一个重要因素。热激电流(TSC)是检测深能级,研究材料中杂质、缺陷的一种简便方法,[1—3,12]都曾用这种方法研究过GaAsP LED中的深能级。在LED生产中,; 关键词深能级 LED x-1)P_x 热激电流载流子复合发光二极管发光中心样品架发光带复合发光; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱被引量：1: 5; 作者丁维清林振金杨锡震蔡萃丽; 机构北京师范大学物理系北京有色所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1981年第2期59-66,共8页; 文摘前言近年来,对GaAs1-xPx材料的发光性质,国外已进行了许多研究。尤其是关于等电子杂质氮的参与对发光性质的影响,引起了更多人的注意,通过离子注入氮的掺杂,又使研究的范围向间接能隙区推进。以上这些研究所围绕的中心问题,在应用上,主要是发光二极管（LED）的发光效率和发光波长两方面。而GaAsP材料正是目前国内以致国际制造LED的重要材料,对它进行研究是有一定意义的。; 关键词等电子杂质发光二极管能隙发光效率 x)P_x 发光性质发光波长发光强度流明效率国际制造; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铊钡钙铜氧超导体的红外光谱: 6; 作者刘汉朋孟宪仁任燕如林明柱涂清云桑莉华林振金; 机构北京师范大学物理系; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第2期38-42,共5页; 文摘给出2组 Tl-Ba-Ca-Cu-O 超导材料的超导转变温度,叙述它们的红外光谱测试,首次报导了 Tl 系超导体的红外吸收光谱,并进行了分析,认为有3个特征峰.峰 P_2(约530cm^(-1))与峰 P_2(约490cm^(-1))的差值可作为超导性能的标志,差值越小,T_c 值越高.0.1eV 左右的低能电子激发和850cm^(-1)左右的吸收峰也与 T_c 有某种关系.从光谱图也认证新材料有良好的抗潮湿稳定性.; 关键词铊钡钙铜氧化物超导体化合物; Keywords thallium-barium-calcium-copper-oxide, high T_c superconductors, infrared spectrum analysis; 分类号 TM262 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱: 7; 作者冯建东林振金杨锡震刘玉梁王世润田德恒; 机构北京师范大学物理系山西省教育学院物理系; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1988年第2期47-50,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目; 文摘为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射花样表明,注N^+的GaP结构变成纤锌矿格子,这恰似GaN的结构.通过快速退火,进行了光致发光测量,无论退火前和后都得到了过带隙的发光.; 关键词光致发光离子注入 X射线衍射快速退火; Keywords photoluminescence, ion implantation, X-ray diffraction, rapid thermal annealing.; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用	来永春王大椿张通和罗晏沈京华林振金谢葆珍刘有宝卢英华边江	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS	1986	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Tl-Ba-Ca-Cu-O系超导体相结构和掺Mn影响的电镜研究	林明柱周善元李永良唐为华涂青云桑丽华刘振兴任燕如林振金孟宪仁	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1989	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算	吴小山杨锡震林振金李智	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	离子注入GaAs_(x-1)P_x(X■0.39)LED中深能级的研究	杨锡震丁维清林振金	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS	1981	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaAs_(1-x)P_x∶N间接能隙材料的光致发光谱	丁维清林振金杨锡震蔡萃丽	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS	1981	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	铊钡钙铜氧超导体的红外光谱	刘汉朋孟宪仁任燕如林明柱涂清云桑莉华林振金	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1989	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	离子注入重掺N的GaP中过带隙发光谱	冯建东林振金杨锡震刘玉梁王世润田德恒	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS	1988	0	在线阅读下载PDF 职称材料