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基于超深亚微米IC设计的信号完整性研究 被引量:1
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作者 王明虎 林大俊 +1 位作者 杨依忠 梁齐 《现代电子技术》 2004年第12期22-24,共3页
随着工艺尺寸的缩小 ,IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻。在超深亚微米 IC设计中 ,设计的复杂性会导致 SI(信号完整性 )问题更加突出 ,从而会影响整个产品的设计周期。本文在此基础上提出了 SI概念以及影响他... 随着工艺尺寸的缩小 ,IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻。在超深亚微米 IC设计中 ,设计的复杂性会导致 SI(信号完整性 )问题更加突出 ,从而会影响整个产品的设计周期。本文在此基础上提出了 SI概念以及影响他的因素 ,并针对其两个主要影响因素 crosstalk (串扰 )和 IR drop ( IR压降 )进行了分析讨论 ,并提出了解决的方案。 展开更多
关键词 信号完整性 串扰 IR压降 超深亚微米
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