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题名大直径锑化铟单晶位错控制研究
被引量：2
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作者
郝秋来
李文华
林均挺
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《红外与激光技术》
CSCD
1993年第2期22-29,共8页
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文摘
本文采用的晶体生长装置具有特别的生长室结构,其外壳为不锈钢水套,可保证生长室与外界热隔离,使晶体生长不受外界干扰;另外,生长室尺寸较大,外壳直径为500mm,可使用外径达Φ100mm的坩埚;又采用了自动等径控制技术,因而可生长出大直径(Φ30～45mm)的锑化铟单晶。通过调整生长室内的温场,有效地控制了锑化铟单晶中的位错数量,得到了位错密度非常小的锑化铟晶片(EPD<10~2cm^(-2))。
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关键词
锑化铟
晶体生长
位错密度
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分类号
TN213
[电子电信—物理电子学]
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