因应新时代电子产品的需求，透明导电薄膜（Transparent Conductive Oxides，TCO）的应用也更加广泛，传统上是使用氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）薄膜为透明导电薄膜，但其在高温应用上较不稳定并且易放出毒性，因此，铝掺杂氧化...因应新时代电子产品的需求，透明导电薄膜（Transparent Conductive Oxides，TCO）的应用也更加广泛，传统上是使用氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）薄膜为透明导电薄膜，但其在高温应用上较不稳定并且易放出毒性，因此，铝掺杂氧化锌薄膜（ZnO：AI，AZO）有逐渐取代ITO的趋势。本论文将探讨掺杂不同铝含量的影响，并且就其光电特性加以说明，最后得到其光的透过率-85％、电阻率-7．3×10^-3Ω·cm以及面粗糙度-28nm的铝掺杂氧化锌薄膜，其具有表面粗化、电流分布层及窗口层的作用。并且将掺铝的氧化锌薄膜应用于氮化镓发光二极管上，以掺铝氧化锌微结构作为透明传导层的氮化镓发光二极管（λD=530nm，300×300μm）在20mA的工作电流下，其正向电压值为3．3V，输出功率达1．7mW，并且由光学显微镜图可以得知，小电流注下其电流分布均匀。若将AZO制作参数再作适当优化调整，取代ITO作为P型氮化镓上的透明传导层的可行性应该很高。展开更多
文摘因应新时代电子产品的需求，透明导电薄膜（Transparent Conductive Oxides，TCO）的应用也更加广泛，传统上是使用氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）薄膜为透明导电薄膜，但其在高温应用上较不稳定并且易放出毒性，因此，铝掺杂氧化锌薄膜（ZnO：AI，AZO）有逐渐取代ITO的趋势。本论文将探讨掺杂不同铝含量的影响，并且就其光电特性加以说明，最后得到其光的透过率-85％、电阻率-7．3×10^-3Ω·cm以及面粗糙度-28nm的铝掺杂氧化锌薄膜，其具有表面粗化、电流分布层及窗口层的作用。并且将掺铝的氧化锌薄膜应用于氮化镓发光二极管上，以掺铝氧化锌微结构作为透明传导层的氮化镓发光二极管（λD=530nm，300×300μm）在20mA的工作电流下，其正向电压值为3．3V，输出功率达1．7mW，并且由光学显微镜图可以得知，小电流注下其电流分布均匀。若将AZO制作参数再作适当优化调整，取代ITO作为P型氮化镓上的透明传导层的可行性应该很高。
