为了在单片上实现半导体激光二极管与探测器的集成,开展了外延材料生长及结构工艺的设计研究。通过刻蚀工艺引入隔离区的方法制备了集成背光探测器的1.3μm InGaAsP/InP半导体激光二极管芯片。管芯的光电性能测试显示,激光二极管具有较...为了在单片上实现半导体激光二极管与探测器的集成,开展了外延材料生长及结构工艺的设计研究。通过刻蚀工艺引入隔离区的方法制备了集成背光探测器的1.3μm InGaAsP/InP半导体激光二极管芯片。管芯的光电性能测试显示,激光二极管具有较低的阈值电流17.62 m A,较高的斜率效率0.13 m W/mA,输出功率可达11 m W;在-0.7 V的反向偏压下,探测器区域对光信号具有良好的线性响应,MPD的光电流超过0.3 m A,在-1.7 V的反向偏压下,暗电流可低至25 nA。展开更多
基金Supported by National Natural Science Foundation of China(61405198)the National High-tech R&D Program(863 Program)(2013AA014202)the National Program on Key Basic Research Project(973 Program)(2016YFB0402300)
文摘为了在单片上实现半导体激光二极管与探测器的集成,开展了外延材料生长及结构工艺的设计研究。通过刻蚀工艺引入隔离区的方法制备了集成背光探测器的1.3μm InGaAsP/InP半导体激光二极管芯片。管芯的光电性能测试显示,激光二极管具有较低的阈值电流17.62 m A,较高的斜率效率0.13 m W/mA,输出功率可达11 m W;在-0.7 V的反向偏压下,探测器区域对光信号具有良好的线性响应,MPD的光电流超过0.3 m A,在-1.7 V的反向偏压下,暗电流可低至25 nA。
