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一种WSN中的能耗优化动态路由算法 被引量：17
1
作者 杨银堂 高翔 +1 位作者 柴常春 张剑贤 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期777-782,共6页
根据无线传感器网络中因节点有效传输半径对路由选择的制约,提出基于最小生成树(MST)的改进分簇多跳路由算法,改善因路由选择对网络能耗的影响.该算法利用Voronoi图的泊松过程特性优化簇首节点数,并结合MST动态调整簇内外节点的路由发... 根据无线传感器网络中因节点有效传输半径对路由选择的制约,提出基于最小生成树(MST)的改进分簇多跳路由算法,改善因路由选择对网络能耗的影响.该算法利用Voronoi图的泊松过程特性优化簇首节点数,并结合MST动态调整簇内外节点的路由发现实现网络能耗优化.仿真结果表明,该算法在开销容忍的前提下,网络负载均衡,并与相同仿真条件下基于LEACH的分层多跳算法相比,更有效地延长了网络寿命,且降低了计算复杂度. 展开更多
关键词 无线传感器网络 VORONOI图 分簇 泊松过程
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一种10位200kS/s 65nm CMOS SAR ADC IP核 被引量：9
2
作者 杨银堂 佟星元 +1 位作者 朱樟明 管旭光 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第12期2993-2998,共6页
该文基于65nm CMOS低漏电工艺,设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR)A/D转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核。在D/A转换电路的设计上,采用"7MSB(Most-Sig... 该文基于65nm CMOS低漏电工艺,设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR)A/D转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核。在D/A转换电路的设计上,采用"7MSB(Most-Significant-Bit)+3LSB(Least-Significant-Bit)"R-C混合D/A转换方式,有效减小了IP核的面积,并通过采用高位电阻梯复用技术有效减小了系统对电容的匹配性要求。在比较器的设计上,通过采用一种低失调伪差分比较技术,有效降低了输入失调电压。在版图设计上,结合电容阵列对称布局以及电阻梯伪电阻包围的版图设计方法进行设计以提高匹配性能。整个IP核的面积为322μm×267μm。在2.5V模拟电压以及1.2V数字电压下,当采样频率为200kS/s,输入频率为1.03kHz时,测得的无杂散动态范围(Spurious-Free Dynamic Range,SFDR)和有效位数(Effective Number Of Bits,ENOB)分别为68.2dB和9.27,功耗仅为440μW,测试结果表明本文ADC IP核非常适合嵌入式系统的应用。 展开更多
关键词 模数转换器(ADC) 逐次逼近寄存器(SAR) 触摸屏SoC CMOS 低功耗
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CMOS斩波稳定放大器的分析与研究 被引量：14
3
作者 杨银堂 贺斌 朱樟明 《电子器件》 EI CAS 2005年第1期167-171,共5页
对几种放大器失调消除技术的分析比较后,重点阐述了 CMOS斩波稳定放大器的调制方式,和放大器的增益与斩波频率和相移的关系,并分析了斩波调制后的噪声和失调电压的理论大小以及斩波的电路实现方法。最后,提出了几种减小调制后残余失调... 对几种放大器失调消除技术的分析比较后,重点阐述了 CMOS斩波稳定放大器的调制方式,和放大器的增益与斩波频率和相移的关系,并分析了斩波调制后的噪声和失调电压的理论大小以及斩波的电路实现方法。最后,提出了几种减小调制后残余失调电压的方法,总结了斩波稳定放大器最近的一些研究发现及其在一些新型产品中的应用,并归纳了斩波稳定技术的优缺点和应用范围。 展开更多
关键词 斩波稳定 放大器 低噪声 残余失调 CMOS
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一种用于14位1.28MS/sΣΔADC的数字抽取滤波器设计 被引量：7
4
作者 杨银堂 李迪 石立春 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期315-319,共5页
设计了一种数字抽取滤波器,此滤波器由多级级联结构组成,对sigma-delta调制器的输出信号进行滤波和64倍的降采样,具有较小的电路面积和较低的功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,工作电压1.8 V,流片测试结果表明:sigma-delta调制器输... 设计了一种数字抽取滤波器,此滤波器由多级级联结构组成,对sigma-delta调制器的输出信号进行滤波和64倍的降采样,具有较小的电路面积和较低的功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,工作电压1.8 V,流片测试结果表明:sigma-delta调制器输出信号经过数字抽取滤波器后,信噪失真比(SNDR)达到了93.9 dB,满足设计要求.所提出的数字抽取滤波器-6 dB带宽为640 kHz,抽取后的采样频率为1.28 MHz,功耗为33 mW,所占面积约为0.4 mm×1.7 mm. 展开更多
关键词 ΣΔ调制器 模数转换器 数字抽取滤波器 FIR滤波器 CIC滤波器
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考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型 被引量：3
5
作者 杨银堂 王凤娟 +2 位作者 朱樟明 刘晓贤 丁瑞雪 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3011-3017,共7页
该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85&#... 该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85°和90°4种情况,多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%,4.37%,3.34%和4.84%,忽略MOS效应时,最大均方根误差分别达到210.42%,214.81%,214.52%和211.47%,验证了该解析模型的准确性和考虑MOS效应的必要性。Ansoft HFSS仿真结果表明,考虑MOS效应以后11S的最大减幅大约为19 dB,21S的最大增幅大约为0.01 dB,锥型TSV的传输性能得到改善。 展开更多
关键词 集成电路 锥型硅通孔 寄生电容 MOS效应 泊松方程
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异步超前进位加法器设计 被引量：3
6
作者 杨银堂 徐阳扬 +1 位作者 周端 弥晓华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期33-37,共5页
提出了一种新的高速加法器电路.该加法器采用混合握手协议,将超前进位与异步自定时技术相结合,根据进位链出现的概率大小来分配进位路径,可以在保持异步结构低功耗的同时提高运算速度.仿真结果表明,在SMIC 0.18μm工艺下,32位异步超前... 提出了一种新的高速加法器电路.该加法器采用混合握手协议,将超前进位与异步自定时技术相结合,根据进位链出现的概率大小来分配进位路径,可以在保持异步结构低功耗的同时提高运算速度.仿真结果表明,在SMIC 0.18μm工艺下,32位异步超前进位加法器平均运算完成时间为0.880932 ns,其速度是同步串行加法器的7.33倍,是异步串行加法器的1.364倍和异步进位选择加法器的1.123倍,且电路面积和功耗开销小于异步进位选择加法器. 展开更多
关键词 异步 并行 超前进位 加法器 自定时
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碳化硅半导体技术新进展 被引量：6
7
作者 杨银堂 高洪福 温浩宇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期478-482,共5页
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
关键词 碳化硅 化学气相溶积 晶体生长
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低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究 被引量：2
8
作者 杨银堂 王平 +4 位作者 柴常春 付俊兴 徐新艳 杨桂杰 刘宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期359-365,共7页
低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入... 低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数的影响 ,使得模拟结果的准确性大大提高。论文最终还给出了要获得各向异性刻蚀的 e VS/k Ti 和 Γn0 /Γi0 展开更多
关键词 高密度等离子体刻蚀工艺 低气压 刻蚀轮廓 数值模拟 离子流通量 物理模型 刻蚀速率
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256MHz采样71dB动态范围连续时间ΣΔADC设计 被引量：3
9
作者 杨银堂 袁俊 张钊锋 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期10-15,共6页
宽带连续时间ΣΔ型数模转换器大量用于无线通信领域.设计了采用三阶4bit连续时间调制器架构.为降低时钟抖动的影响,采用不归零数模转换器反馈脉冲,通过引入半个时钟周期延时来改善环路异步问题,以补偿环路延时对性能的影响.还从电路、... 宽带连续时间ΣΔ型数模转换器大量用于无线通信领域.设计了采用三阶4bit连续时间调制器架构.为降低时钟抖动的影响,采用不归零数模转换器反馈脉冲,通过引入半个时钟周期延时来改善环路异步问题,以补偿环路延时对性能的影响.还从电路、算法和版图方面来降低反馈数模转换器失配的影响.由于米勒补偿增加了电容而增大功耗,因此这里采用前馈补偿技术,设计了一款低功耗、高速的运算放大器.最后基于0.13μm工艺,在256MHz采样频率、1.2V电源电压下,在8MHz带宽内信噪失真比达到62.5dB和71dB动态范围,功耗为15mW. 展开更多
关键词 模数转换器 连续时间 ΣΔ型数模转换器
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基于准浮栅技术的超低压运算放大器 被引量：2
10
作者 杨银堂 任乐宁 付俊兴 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期501-503,527,共4页
分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大... 分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62,°单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45μW. 展开更多
关键词 准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS
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一种0.8V衬底驱动轨对轨运算放大器设计 被引量：2
11
作者 杨银堂 李娅妮 朱樟明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期439-443,共5页
采用衬底驱动技术设计低压低功耗轨对轨运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制,将电源电压降至0.8V,实现低压下轨对轨共模输入范围。增加衬底驱动冗余差分对及反折式共源共栅求和电路实现恒定跨导控制,消除共模电... 采用衬底驱动技术设计低压低功耗轨对轨运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制,将电源电压降至0.8V,实现低压下轨对轨共模输入范围。增加衬底驱动冗余差分对及反折式共源共栅求和电路实现恒定跨导控制,消除共模电压对输入级跨导的影响,输出采用前馈式AB类输出级,以提高动态输出电压范围。基于标准0.18μmCMOS工艺仿真运放,测得输出范围0.4～782.5mV,功耗48.8μW,电源抑制比58dB,CMRR65dB,直流开环增益63.8dB,单位增益带宽2.4MHz,相位裕度68°。版图设计采用双阱交叉空铅技术,面积为97.8μm×127.6μm。 展开更多
关键词 衬底驱动 低压低功耗 轨对轨 恒定跨导 前馈式AB类输出
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集成化单电子器件研究进展 被引量：1
12
作者 杨银堂 王帆 +1 位作者 朱樟明 翟艳 《电子器件》 CAS 2004年第4期772-776,共5页
传统 MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限 ,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析 ,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面... 传统 MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限 ,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构。本文采用量子点及其库伦阻塞效应等概念对单电子器件的工作原理进行了系统分析 ,并介绍了单电子器件在存储器和高灵敏度静电计方面的应用 。 展开更多
关键词 单电子器件 库伦阻塞 量子点 单电子存储器 单电子静电计
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微波ECR等离子体中的电子能量吸收的计算
13
作者 杨银堂 恩云飞 孙青 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期110-113,共4页
本文研究了ＥＣＲ系统中微波能量的耦合过程，给出了电子能量吸收的数值计算，发现ＥＣＲ共振腔内静磁场的分布、工作气压和微波功率是决定产生高能电子的主要因素，从而决定了ＥＣＲＣＶＤ薄膜淀积工艺的有关参数。进行了ＥＣＲＣＶＤ... 本文研究了ＥＣＲ系统中微波能量的耦合过程，给出了电子能量吸收的数值计算，发现ＥＣＲ共振腔内静磁场的分布、工作气压和微波功率是决定产生高能电子的主要因素，从而决定了ＥＣＲＣＶＤ薄膜淀积工艺的有关参数。进行了ＥＣＲＣＶＤＳｉＮ薄膜的工艺实验，其结果与理论计算符合得较好。 展开更多
关键词 等离子体 电子回旋共振 微波能量 耦合
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器件结构中材料应力的控制和优化方法
14
作者 杨银堂 傅俊兴 孙青 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期191-194,共4页
在对器件结构中材料应力进行分析和测量的基础上，提出了控制和优化器件结构中材料应力的几种方法，包括合理选择工艺条件、采用多层复合膜技术、确定双层结构的最佳厚度值以及选择适当的材料种类等。实际应用结果表明，这些方法是有效... 在对器件结构中材料应力进行分析和测量的基础上，提出了控制和优化器件结构中材料应力的几种方法，包括合理选择工艺条件、采用多层复合膜技术、确定双层结构的最佳厚度值以及选择适当的材料种类等。实际应用结果表明，这些方法是有效的和可行的。 展开更多
关键词 材料应力 薄膜 控制和优化 半导体器件
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SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真
15
作者 杨银堂 刘莉 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第2期278-283,共6页
为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并... 为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice仿真.仿真结果表明,在SiC MOS器件中,因受SiC/SiO2界面导带附近高界面态密度的影响,阈值电压随温度的变化并不像Si MOS器件那样呈线性变化,其沟道有效迁移率也并不与温度的-1.5次方成正比.此外,SiC MOS器件的沟道迁移率低,导致其跨导比相同尺寸下的Si器件的低,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP.虽然标准的OPAMP单元对Si器件来说具有温度稳定性,但对SiC基材料来说需进一步修正. 展开更多
关键词 SIC CMOS OPAMP 高温模型 HSPICE仿真
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高密度等离子体工艺总体模型初探
16
作者 杨银堂 李爱军 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期7-12,共6页
介绍了与高密度等离子体工艺相关的模型和数值模拟方法 ,即连续流和动力学方法。在漂流 扩散方程的连续流模型和单元粒子 蒙特卡罗碰撞动力学模型的基础上 ,提出了一个等离子体工艺模型。讨论了对等离子体鞘层、等离子体刻蚀和淀积过... 介绍了与高密度等离子体工艺相关的模型和数值模拟方法 ,即连续流和动力学方法。在漂流 扩散方程的连续流模型和单元粒子 蒙特卡罗碰撞动力学模型的基础上 ,提出了一个等离子体工艺模型。讨论了对等离子体鞘层、等离子体刻蚀和淀积过程的模拟方法 。 展开更多
关键词 等离子体 数值模拟 等离子体工艺 连续流动力学 总体模型 等离子体源
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压电薄膜微传感器振动模态的仿真分析 被引量：16
17
作者 娄利飞 杨银堂 +1 位作者 樊永祥 李跃进 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期165-169,共5页
以压电本构方程为基础,建立了压电薄膜微传感器机电耦合的有限元模型,采用有限元分析软件ANSYS7.0对压电薄膜微传感器进行了模态分析,同时分析了压电薄膜微传感器的结构尺寸对振动模态的影响,探讨了影响压电薄膜微传感器工作稳定性和响... 以压电本构方程为基础,建立了压电薄膜微传感器机电耦合的有限元模型,采用有限元分析软件ANSYS7.0对压电薄膜微传感器进行了模态分析,同时分析了压电薄膜微传感器的结构尺寸对振动模态的影响,探讨了影响压电薄膜微传感器工作稳定性和响应速度的关键因素,结果表明为了提高压电薄膜微传感器的工作稳定性和响应速度,应该在符合工艺要求和保证其它特性的前提下,尽量减小微悬臂梁结构长度,增加多晶硅层厚度,限制PZT层厚度,而微悬臂梁宽度的影响较小。 展开更多
关键词 压电薄膜 有限元分析 耦合场 微传感器 模态分析
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掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究 被引量：9
18
作者 宋久旭 杨银堂 +2 位作者 柴常春 刘红霞 丁瑞雪 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期87-91,共5页
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超... 采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小. 展开更多
关键词 掺氮 3C—SiC 电子结构 第一性原理计算
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一种应用于通信设备的5V14位高速数/模转换器 被引量：7
19
作者 朱樟明 杨银堂 +3 位作者 柴常春 刘帘曦 畅艺峰 温粱 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期352-356,共5页
在研究高速数/模转换器静态和动态性能的基础上,设计了一种5V,14位高速分段式电流舵数/模转换器.设计的5 4 5温度计编码电路和新型对称开关序列,使数/模转换器的积分线性误差和微分线性误差最小.提出的新型开关电流驱动电路提高了数/模... 在研究高速数/模转换器静态和动态性能的基础上,设计了一种5V,14位高速分段式电流舵数/模转换器.设计的5 4 5温度计编码电路和新型对称开关序列,使数/模转换器的积分线性误差和微分线性误差最小.提出的新型开关电流驱动电路提高了数/模转换器的动态性能.基于TSMC0 35μm混合信号CMOS工艺,采用Hspice仿真工具,对14位数/模转换器进行了时域和频域仿真,在50Ω负载条件下满量程电流可达20mA;当采样速率为125MHz时,5V电源的满量程条件下功耗为270mW;输出频率为100MHz条件下的无杂波动态范围为72dBc.14位数/模转换器的积分线性误差为±1.5最低有效位,微分线性误差为±0 75最低有效位. 展开更多
关键词 电流舵数/模转换器 温度计编码 对称开关序列 电流开关驱动器 动态特性
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处理器可靠性约束的电压频率岛NoC能耗优化 被引量：7
20
作者 张剑贤 周端 +2 位作者 杨银堂 赖睿 高翔 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第9期2205-2211,共7页
该文针对支持电压频率岛的NoC能耗优化问题,提出了基于电压频率岛划分、分配以及任务映射的能耗优化方法。该方法通过基于处理器可靠性约束的电压频率岛划分,降低了处理器能耗;利用近凸区域选择的电压频率岛分配策略,减少了不同电压岛... 该文针对支持电压频率岛的NoC能耗优化问题,提出了基于电压频率岛划分、分配以及任务映射的能耗优化方法。该方法通过基于处理器可靠性约束的电压频率岛划分,降低了处理器能耗;利用近凸区域选择的电压频率岛分配策略,减少了不同电压岛间复杂路由器的个数;借助量子粒子群算法优化了NoC映射,降低了系统的通信能耗。实验结果表明,该文算法在满足NoC处理器可靠性要求的前提下,可显著降低NoC系统能耗。 展开更多
关键词 片上网络 电压频率岛 可靠性 映射 量子粒子群
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