双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器 被引量：1

1

作者 杨红官 周少华 +1 位作者 曾云 施毅 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期69-72,共4页

设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器.对存储器样品的C-V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能.数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年(约108s).... 设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器.对存储器样品的C-V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能.数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年(约108s).这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路. 展开更多

关键词 锗/硅 量子点阵列 纳米存储器 C—V测量

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基于Savitzky-Golay滤波器的MOSFET阈值电压提取技术 被引量：2

2

作者 杨红官 朱坤顺 朱晓君 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2242-2246,共5页

MOS(Matel-Oxide-Semiconductor)器件阈值电压提取过程中的一些求导运算放大了测量数据中所包含的涨落因素(噪声和测量错误),使阈值电压提取过程变得不稳定.本文采用Savitzky-Golay低通滤波算法,求导运算和滤波过程同时进行,有效地抑制... MOS(Matel-Oxide-Semiconductor)器件阈值电压提取过程中的一些求导运算放大了测量数据中所包含的涨落因素(噪声和测量错误),使阈值电压提取过程变得不稳定.本文采用Savitzky-Golay低通滤波算法,求导运算和滤波过程同时进行,有效地抑制了测量数据中的涨落.再结合目标曲线峰值附近局域匹配系数判据,阈值电压提取过程就可以稳定且自动地完成,这为MOSFET(MOS Field-Effect Transistor)特性分析及集成电路设计工作带来很大方便. 展开更多

关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压 测量涨落 Savitzky-Golay滤波器

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快速退火炉离子注入退火工艺设计

3

作者 杨红官 文利群 +1 位作者 许诚 曾云 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期56-59,共4页

研究了快速热处理系统中卤钨灯阵列的排列方式和硅片接受到的辐照度均匀性的关系,设计了一种可以满足硅片温度均匀性要求的轴对称排列的灯阵列形式.卤钨灯分布在三个半径分别为5,10,16.8 cm的同心圆上,线密度分别为0.127,0.191,0.341cm... 研究了快速热处理系统中卤钨灯阵列的排列方式和硅片接受到的辐照度均匀性的关系,设计了一种可以满足硅片温度均匀性要求的轴对称排列的灯阵列形式.卤钨灯分布在三个半径分别为5,10,16.8 cm的同心圆上,线密度分别为0.127,0.191,0.341cm-1,加热头高度为10.2 cm.此时辐照度的标准差有最小值,保证了硅片边缘和硅片中心能够得到尽可能一致的辐照.接着进行了P离子注入快速热退火试验,测量比较了退火后样品的方块电阻值,获得了快速热退火的最佳温度时间关系参数.对于剂量7.0×1015cm-2,能量60 keV的P离子注入,快速热退火的最佳温度为1000°C,稳定10 s. 展开更多

关键词 快速热退火 离子注入 硅片

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小数分频频率合成器中Σ-Δ调制器设计与实现 被引量：4

4

作者 晏敏 徐欢 +4 位作者 乔树山 杨红官 郑乾 戴荣新 程呈 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期91-95,共5页

介绍了一种应用于小数分频频率合成器的Σ-Δ调制器的设计,该调制器采用三阶级联的MASH1-1-1结构,并利用流水线技术,提高了调制器的工作频率.电路设计采用Verilog HDL硬件描述语言实现,基于QuartusⅡ工具进行测试验证,结果表明,调制器... 介绍了一种应用于小数分频频率合成器的Σ-Δ调制器的设计,该调制器采用三阶级联的MASH1-1-1结构,并利用流水线技术,提高了调制器的工作频率.电路设计采用Verilog HDL硬件描述语言实现,基于QuartusⅡ工具进行测试验证,结果表明,调制器最高工作频率为240.56MHz.最终采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,完成了电路版图设计.芯片面积为34 148.5μm2,芯片总功耗为1.284mW,与传统设计相比,面积降低了31.23%,功耗降低了46.14%. 展开更多

关键词 调制器 频率合成器 MASH1-1-1 流水线技术 CMOS

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硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究 被引量：2

5

作者 施毅 袁晓利 +4 位作者 吴军 杨红官 顾书林 韩平 郑有炓 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期145-147,共3页

本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特... 本文研究了硅纳米晶粒MOSFET存储器的荷电特征 .器件阈值电压偏移达 1 8V以上 ,并随着沟道宽度的变窄而增加 ,而与沟道长度基本无关 .同时 ,阈值涨落也随宽度的变窄而增大 .在 2 0～ 30 0K测量温度范围内 ,器件阈值偏移和电荷的存储特性几乎不随温度变化 ,说明荷电过程主要由直接隧穿决定 .进一步 ,在最窄沟道器件中观察到单电荷的荷电过程 . 展开更多

关键词 硅纳米晶粒 存储器 MOSFET 荷电特征

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复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟 被引量：1

6

作者 闾锦 施毅 +3 位作者 濮林 杨红官 杨铮 郑有炓 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1793-1795,共3页

本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET... 本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级 。 展开更多

关键词 复合量子点 单电子存储器 电路模拟

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纳米存储器的多值逻辑设计研究 被引量：1

7

作者 周少华 熊琦 +1 位作者 杨红官 曾云 《现代电子技术》 2009年第16期167-168,170,共3页

为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位... 为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位纳米存储器的逻辑信号与输出电压之间的关系,发现这样构建的存储矩阵大小几乎成几何级减小,提高了信息密度。 展开更多

关键词 多值逻辑设计 存储矩阵 几何级减小 信息密度

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无线通信中的低功耗维特比译码器设计 被引量：2

8

作者 朱坤顺 杨红官 +1 位作者 樊晓华 乔树山 《计算机工程》 CAS CSCD 2014年第10期114-117,共4页

针对无线通信中低功耗维特比译码器设计结构复杂的问题,提出一种四级流水串并结合的(2,1,9)低功耗维特比译码器。该译码器采用改进的加-比-选(ACS)单元,以降低硬件复杂度,在提高时钟运行速率的基础上减少运行功耗。幸存路径存储单元采... 针对无线通信中低功耗维特比译码器设计结构复杂的问题,提出一种四级流水串并结合的(2,1,9)低功耗维特比译码器。该译码器采用改进的加-比-选(ACS)单元,以降低硬件复杂度,在提高时钟运行速率的基础上减少运行功耗。幸存路径存储单元采用改进的路径相消方法,减少译码器的输出延迟,提高译码效率。性能分析结果表明,基于TSMC 0.18μm CMOS逻辑工艺,在1.62V,125℃操作环境下,该译码器数据最大速度为50MHz,自动布局布线后的译码器芯片面积约为0.212mm2,功耗约为23.9mW。 展开更多

关键词 维特比译码器 低功耗 加-比-选 路径度量存储 路径相消 幸存路径

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OFDM系统中IFFT/FFT处理器的设计与实现 被引量：2

9

作者 刘洪涛 杨红官 胡赞民 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2011年第1期60-63,共4页

提出了Radix-4 FFT的优化算法,采用该优化算法设计了64点流水线IFFT/FFT处理器,该处理器可以在64个时钟周期内仅采用3个复数乘法器获得64点处理结果,提高了运算速度,节约了硬件资源。通过Xilinx XC2S300E Spartan2E系列的xc2s300e器件... 提出了Radix-4 FFT的优化算法,采用该优化算法设计了64点流水线IFFT/FFT处理器,该处理器可以在64个时钟周期内仅采用3个复数乘法器获得64点处理结果,提高了运算速度,节约了硬件资源。通过Xilinx XC2S300E Spartan2E系列的xc2s300e器件进行下载验证,仿真结果与MATLAB计算结果误差小于0.5%,该处理器已经成功应用于某OFDM通信系统中。 展开更多

关键词 正交频分复用(OFDM) 反快速傅里叶变换/快速傅里叶变换(IFFT/FFT) 基4算法 现场可编程门阵列(FPGA)

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基于SOPC的数字预失真器设计与实现 被引量：1

10

作者 苏攀 张以涛 +1 位作者 杨红官 李艳超 《计算机工程》 CAS CSCD 2014年第10期118-121,共4页

目前数字预失真技术的研究多偏重在不同算法的仿真方面,对具体实现技术的研究较少。为此,设计一种基于可编程片上系统(SOPC)的自适应数字预失真器。采用多项式查找表电路来实现预失真功能,用现场可编程门阵列(FPGA)内的EDK工程完成系数... 目前数字预失真技术的研究多偏重在不同算法的仿真方面,对具体实现技术的研究较少。为此,设计一种基于可编程片上系统(SOPC)的自适应数字预失真器。采用多项式查找表电路来实现预失真功能,用现场可编程门阵列(FPGA)内的EDK工程完成系数计算,以避免全硬件实现带来的复杂性。以IP核的形式下载到Xilinx FPGA上,并在测试平台对其进行验证,结果表明,该预失真器能改善功放的线性度,对于8MHz带宽的OFDM信号和doherty结构的GaN功放,ACPR可改善8dB,并且具备自适应功能,可较好地应用到实际工作环境中。 展开更多

关键词 功率放大器 数字预失真 可编程片上系统 现场可编程门阵列 线性化 自适应

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用于高密度RRAM单端式可编程灵敏放大器设计 被引量：1

11

作者 马文龙 张锋 +1 位作者 杨红官 陈铖颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期735-739,共5页

针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构。该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响。通过在电路中引入可编程模式,使该... 针对现代科技生活中对高密度阻变存储器(RRAM)的应用需求,提出了一种单端式可编程灵敏放大器结构。该灵敏放大器结构无需额外的参考电路,从而避免了参考电流受工艺、温度等条件波动对读出结果的影响。通过在电路中引入可编程模式,使该灵敏放大器结构能够有效克服工艺偏差对存储单元能否正确存储信息的影响,从而实现存储信息的正确读出。该灵敏放大器基于HHNEC 0.13μmCMOS工艺设计实现,并且成功应用于8 Mbit RRAM设计中,通过后仿真验证,结果表明,在2～32μA电流范围内,灵敏放大器最小分辨率可达1μA。 展开更多

关键词 阻变存储器（RRAM） 单端式 可编程 灵敏放大器 阈值电压

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CVD法制备三维石墨烯的电化学储能性能 被引量：1

12

作者 夏永康 顾明远 +2 位作者 杨红官 于馨智 鲁兵安 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期89-103,共15页

三维石墨烯是由二维石墨烯构成的三维网络结构,多孔的网络结构赋予了三维石墨烯超大的比表面积、超高的机械强度以及优异的电子传输通道.因其优异的性能,三维石墨烯及其复合材料已经广泛地应用于能源、化学和生物等研究领域.在三维石墨... 三维石墨烯是由二维石墨烯构成的三维网络结构,多孔的网络结构赋予了三维石墨烯超大的比表面积、超高的机械强度以及优异的电子传输通道.因其优异的性能,三维石墨烯及其复合材料已经广泛地应用于能源、化学和生物等研究领域.在三维石墨烯的合成方法中,化学气相沉积法由于制备的三维石墨烯具有高纯度、良好结晶性和优异的机械性能而备受推崇.本文结合当前研究热点,综述了化学气相沉积法制备三维石墨烯及其复合材料在电化学储能领域(铝电池、锂离子电池、锂-硫电池、钠离子电池、金属-空气电池、超级电容器)中的应用,并简要评述当前化学气相沉积法制备三维石墨烯在应用中所面临的挑战及发展前景. 展开更多

关键词 三维石墨烯 铝电池 锂离子电池 锂-硫电池 钠离子电池 金属-空气电池 超级电容器

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