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题名保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响
被引量：1
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作者
杨帅康
汪洋
苏雪冰
张玉叶
杨红娇
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机构
湘潭大学物理与光电工程学院
湖南省微光电与系统集成实验室
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出处
《电子产品世界》
2022年第6期74-78,共5页
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基金
湖南省教育厅优秀青年基金项目,项目编号:19B557
湖南省研究生科研创新项目,项目编号:QL20210141。
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文摘
本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)和带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR_GR)器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性,同时利用传输线脉冲(TLP)测试仪分析了它们的静电性能。结果表明,保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响,但在1MHz的频率下,LVDDSCR_GR的寄生电容由LVDDSCR的1135fF增加到1463fF,HVDDSCR_GR的寄生电容由HVDDSCR的810fF增加到1740fF,其根本原因是由于保护环引入了N型隔离环与P型外延层之间的寄生电容。
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关键词
双向可控硅
保护环
寄生电容
传输线脉冲测试系统
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分类号
TN03
[电子电信—物理电子学]
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