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微生态制剂的保健机理及发展现状
被引量：
14
1
作者
王天云
杨程辉
《生物学教学》
北大核心
2001年第7期2-4,共3页
关键词
微生态制剂
保健机理
发展现状
微生态学
生态规律
微生物群体
正常菌群
微生态平衡
在线阅读
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职称材料
以甘氨酸为代表的氨基酸类化学添加剂在CMP工艺中的应用研究
被引量：
6
2
作者
张银婵
牛新环
+5 位作者
周佳凯
杨程辉
冯子璇
常津睿
侯子阳
朱烨博
《应用化工》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第8期2249-2253,共5页
首先介绍了甘氨酸的基本性质,接着回顾了近年来国内外甘氨酸在集成电路多层布线及其它材料CMP中的不同应用,归纳总结表明甘氨酸在CMP过程中可以起到络合、缓蚀、控制电偶腐蚀、催化等多种作用,具有宽泛的应用领域,最后对氨基酸类的添加...
首先介绍了甘氨酸的基本性质,接着回顾了近年来国内外甘氨酸在集成电路多层布线及其它材料CMP中的不同应用,归纳总结表明甘氨酸在CMP过程中可以起到络合、缓蚀、控制电偶腐蚀、催化等多种作用,具有宽泛的应用领域,最后对氨基酸类的添加剂在CMP中的应用前景进行了展望。
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关键词
甘氨酸
氨基酸
化学机械抛光
综述
应用
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职称材料
抛光液中各组分对Co CMP性能的影响
被引量：
1
3
作者
冯子璇
崔浩祥
+2 位作者
杨程辉
孙晓琴
牛新环
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第1期37-41,76,共6页
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面。采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H_(2)O_(2))、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响。结果表明,抛光液中H...
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面。采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H_(2)O_(2))、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响。结果表明,抛光液中H_(2)O_(2)体积分数为0.4%、pH值为8、甘氨酸(GLY)浓度为0.266 mol/L时,Co的去除速率最大,为763.53 nm/min。为了缓解Co表面的化学腐蚀,加入0.022 mol/L的TAZ作为抑制剂和体积分数为1.3%的JFCE作为表面活性剂后,Co的去除速率得到有效抑制,为489.74 nm/min。对抛光前后的Co表面进行原子力显微镜(AFM)测试,结果表明,Co表面湿润性增加,表面粗糙度明显下降。研究结果对Co布线的工业应用具有一定的指导意义。
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关键词
化学机械抛光(CMP)
钴(Co)
去除速率
表面粗糙度
抛光液
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职称材料
题名
微生态制剂的保健机理及发展现状
被引量：
14
1
作者
王天云
杨程辉
机构
上海大学生命科学学院
山东省梁山县大路口乡中学
出处
《生物学教学》
北大核心
2001年第7期2-4,共3页
关键词
微生态制剂
保健机理
发展现状
微生态学
生态规律
微生物群体
正常菌群
微生态平衡
分类号
R915 [医药卫生—微生物与生化药学]
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职称材料
题名
以甘氨酸为代表的氨基酸类化学添加剂在CMP工艺中的应用研究
被引量：
6
2
作者
张银婵
牛新环
周佳凯
杨程辉
冯子璇
常津睿
侯子阳
朱烨博
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《应用化工》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第8期2249-2253,共5页
基金
国家02重大专项(2016ZX02301003-004_007)
天津市自然科学基金(16JCYBJC16100,18JCTPJC57000)。
文摘
首先介绍了甘氨酸的基本性质,接着回顾了近年来国内外甘氨酸在集成电路多层布线及其它材料CMP中的不同应用,归纳总结表明甘氨酸在CMP过程中可以起到络合、缓蚀、控制电偶腐蚀、催化等多种作用,具有宽泛的应用领域,最后对氨基酸类的添加剂在CMP中的应用前景进行了展望。
关键词
甘氨酸
氨基酸
化学机械抛光
综述
应用
Keywords
glycine
amino acid
chemical mechanical polishing
review
application
分类号
TQ421.4 [化学工程]
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
抛光液中各组分对Co CMP性能的影响
被引量：
1
3
作者
冯子璇
崔浩祥
杨程辉
孙晓琴
牛新环
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第1期37-41,76,共6页
基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
河北省自然科学基金资助项目(F2021202009)。
文摘
钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面。采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H_(2)O_(2))、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响。结果表明,抛光液中H_(2)O_(2)体积分数为0.4%、pH值为8、甘氨酸(GLY)浓度为0.266 mol/L时,Co的去除速率最大,为763.53 nm/min。为了缓解Co表面的化学腐蚀,加入0.022 mol/L的TAZ作为抑制剂和体积分数为1.3%的JFCE作为表面活性剂后,Co的去除速率得到有效抑制,为489.74 nm/min。对抛光前后的Co表面进行原子力显微镜(AFM)测试,结果表明,Co表面湿润性增加,表面粗糙度明显下降。研究结果对Co布线的工业应用具有一定的指导意义。
关键词
化学机械抛光(CMP)
钴(Co)
去除速率
表面粗糙度
抛光液
Keywords
chemical mechanical polishing(CMP)
cobalt(Co)
removal rate
surface roughness
polishing slurry
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微生态制剂的保健机理及发展现状
王天云
杨程辉
《生物学教学》
北大核心
2001
14
在线阅读
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职称材料
2
以甘氨酸为代表的氨基酸类化学添加剂在CMP工艺中的应用研究
张银婵
牛新环
周佳凯
杨程辉
冯子璇
常津睿
侯子阳
朱烨博
《应用化工》
CAS
CSCD
北大核心
2021
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
抛光液中各组分对Co CMP性能的影响
冯子璇
崔浩祥
杨程辉
孙晓琴
牛新环
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
1
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职称材料
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