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铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法
被引量：
3
1
作者
杨碧梧
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期18-21,共4页
本工作研究了低温固相反应形成铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了Ｈ＿２气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。
关键词
金属硅化物
硅接触
磁控溅射
肖特基势垒
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职称材料
肖特基二极管保护环结构的研究
被引量：
2
2
作者
杨碧梧
《山东电子》
1997年第1期38-40,共3页
本文叙述了肖特基二极管保护环结构的作用、设计及制备方法,在应用结果中将新旧工艺进行了比较,表明保护环结构对改善器件的反向特性及提高管芯成品率效果显著。
关键词
结曲率半径
表面电场
肖特基二极管
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职称材料
题名
铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法
被引量：
3
1
作者
杨碧梧
机构
济南半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期18-21,共4页
文摘
本工作研究了低温固相反应形成铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了Ｈ＿２气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。
关键词
金属硅化物
硅接触
磁控溅射
肖特基势垒
分类号
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
肖特基二极管保护环结构的研究
被引量：
2
2
作者
杨碧梧
机构
山东济南半导体研究所
出处
《山东电子》
1997年第1期38-40,共3页
文摘
本文叙述了肖特基二极管保护环结构的作用、设计及制备方法,在应用结果中将新旧工艺进行了比较,表明保护环结构对改善器件的反向特性及提高管芯成品率效果显著。
关键词
结曲率半径
表面电场
肖特基二极管
Keywords
Curvature radius of junction
Surface electric field
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
铂－镍硅化物／硅接触肖特基势垒的形成方法
杨碧梧
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995
3
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职称材料
2
肖特基二极管保护环结构的研究
杨碧梧
《山东电子》
1997
2
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