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低压ZnO变阻器的研究
被引量：
4
1
作者
周亚栋
杨燕玫
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1994年第1期111-117,共7页
研究了掺杂物对ＺｎＯ变阻器电学性能（标称电压Ｖ１ｍＡ和非线性系数α）的影响，用双肖特基势垒模型和隧道效应解释了其微量观机制，获得了Ｖ１ｍＡ＜２０Ｖ，α＞２０的低压ＺｎＯ变阻器。
关键词
变阻器
氧化锌
双肖特基势垒
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职称材料
题名
低压ZnO变阻器的研究
被引量：
4
1
作者
周亚栋
杨燕玫
机构
北京工业大学化学与环境工程学系
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1994年第1期111-117,共7页
文摘
研究了掺杂物对ＺｎＯ变阻器电学性能（标称电压Ｖ１ｍＡ和非线性系数α）的影响，用双肖特基势垒模型和隧道效应解释了其微量观机制，获得了Ｖ１ｍＡ＜２０Ｖ，α＞２０的低压ＺｎＯ变阻器。
关键词
变阻器
氧化锌
双肖特基势垒
Keywords
varistor, zinc oxide, double shottky potentical barrier
分类号
TM546 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
低压ZnO变阻器的研究
周亚栋
杨燕玫
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1994
4
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