HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

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作者 杨洪东 于奇 +3 位作者 王向展 李竞春 罗谦 姬洪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1-4,共4页

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应... 为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了Si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系。研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽。 展开更多

关键词 氮化硅 应变测量 高分辨X射线衍射应变硅

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一种采用BiCMOS工艺的SiGeHBT基区生长方法

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作者 杨洪东 李竞春 +3 位作者 于奇 周谦 谭开州 张静 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期589-592,共4页

为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD... 为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射(XRD)测试,显示所生长的Si1,Gex基区表面粗糙度为0.45nm,穿透位错密度是0.3×103～1.2×103cm-2。,在窗口边界与基区表面未发现位错堆积与岛状物。结果表明,该方法适宜生长高质量的SiGeHBT基区,可望应用于SiGeBiCMOS工艺中HBT的制备。 展开更多

关键词 锗硅基区 渐变温度控制 图形外延 锗硅BiCMOS

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嵌入式以太网的智能配网综合保护/测控装置设计 被引量：3

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作者 杨洪东 王倩 《中国测试技术》 2004年第3期54-56,共3页

本文介绍了ARM在配网综合保护 测控装置中的应用。主要给出了配保装置中的主要部分 (数据处理及通信 )单元的硬件设计 ,以及操作系统和开发环境的选择等系统软件的开发。

关键词 以太网 配网综合装置 嵌入式系统 操作系统 数据处理 通信

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适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长

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作者 卢盛辉 杨洪东 +2 位作者 李竞春 谭开州 张静 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第16期1-4,共4页

通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45n... 通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×103cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制。测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考。 展开更多

关键词 局部双轴应变 应变锗硅 特别几何结构 材料生长

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局部双轴应变SiGe材料的生长与表征

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作者 李竞春 杨洪东 +1 位作者 杨阳 全冯溪 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1048-1051,共4页

利用分子束外延(MBE)对双轴应变SiGe局部区域外延生长和表征进行了研究.图形窗口边界采用多晶Si侧墙,多层SiGe薄膜分段温度生长.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和位错密度测试等多种... 利用分子束外延(MBE)对双轴应变SiGe局部区域外延生长和表征进行了研究.图形窗口边界采用多晶Si侧墙,多层SiGe薄膜分段温度生长.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和位错密度测试等多种实验技术,结果表明:薄膜表面窗口内双轴应变SiGe薄膜厚度和Ge组分得到精确控制,垂直应变度达到1.175%,其表面粗糙度为0.45nm,SiGe位错密度为1.2×103cm-2.由于采用多晶Si侧墙,外延材料表面没有发现窗口边缘处明显位错堆积.实验证实,采用该技术生长的局部双轴应变SiGe薄膜质量良好,基本满足SiGe BiCMOS器件制备要求. 展开更多

关键词 双轴应变SiGe 局部外延 应变度 位错

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太阳电池在不同光谱下电性能的分析与换算方法 被引量：1

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作者 雷刚 范襄 +3 位作者 王凯 杨洪东 金超 沈静曼 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期179-184,共6页

对太阳电池在不同光谱下转换效率的差异进行分析,建立不同光谱下电性能的换算方法,对公开报道的3种类型的太阳电池的电性能进行换算,并和实测数据进行对比。研究表明,对于各种类型的太阳电池在不同光谱条件下其电性能均可通过特定的系... 对太阳电池在不同光谱下转换效率的差异进行分析,建立不同光谱下电性能的换算方法,对公开报道的3种类型的太阳电池的电性能进行换算,并和实测数据进行对比。研究表明,对于各种类型的太阳电池在不同光谱条件下其电性能均可通过特定的系数进行换算,2种典型的单结太阳电池的计算结果和实测数据之间的偏差最大不超过1.2%。 展开更多

关键词 太阳电池 光谱 转换效率 电性能 换算方法

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土夹石混合料回填技术应用探讨 被引量：3

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作者 杨洪东 陈志勇 《工程建设与设计》 2006年第5期85-87,共3页

针对一个软弱地基处理的工程实例,介绍了土夹石混合料回填技术的应用情况,说明了在一定范围内采取土夹石混合料处理软弱地基的实用性和经济性。

关键词 土夹石混合料 盲沟 压实度 最佳含水率

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《航天用太阳电池电子辐照试验方法》标准的解析 被引量：1

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作者 许冬彦 杨洪东 +2 位作者 瞿轶 张闻 杨广 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第S01期23-27,共5页

对《航天用太阳电池电子辐照试验方法》标准进行解析,目的在于通过深入研究太阳电池电子辐照损伤试验原理、方法、测试及数据分析,对比地面辐照试验数据与在轨测试结果,进而制定太阳电池,尤其是目前广泛使用的多结砷化镓太阳电池电子辐... 对《航天用太阳电池电子辐照试验方法》标准进行解析,目的在于通过深入研究太阳电池电子辐照损伤试验原理、方法、测试及数据分析,对比地面辐照试验数据与在轨测试结果,进而制定太阳电池,尤其是目前广泛使用的多结砷化镓太阳电池电子辐照试验标准。新标准将有利于更准确地获得太阳电池在轨各寿命周期的电性能衰减结果,更好地指导太阳电池阵的设计,为航天器型号的使用提供技术支撑和依据。 展开更多

关键词 航天用太阳电池 电子辐照试验 标准

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砂石垫层法在地基处理中的应用 被引量：1

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作者 杨洪东 陈志勇 《工程建设与设计》 2006年第7期60-62,共3页

介绍了一个砂石垫层法处理地基的工程实例,实践表明,只要在设计施工中注意其参数和质量的控制,用这种方法处理地基是经济有效的。

关键词 砂石垫层法 地基处理 承载力

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太阳电池阵深空探测适应性设计概论 被引量：4

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作者 王文强 杨洪东 +3 位作者 杨广 王佳禹 吴庆 顾春杰 《深空探测学报》 2020年第1期41-46,共6页

随着近年来月球探测的推进,深空探测的论证,针对深空探测对太阳电池阵低温度、低光强、强辐射等环境的技术需求,以火星探测和木星探测太阳电池阵设计分析为例,通过任务环境特点分析,给出了特殊服役环境下太阳电池选型方法,方阵设计与验... 随着近年来月球探测的推进,深空探测的论证,针对深空探测对太阳电池阵低温度、低光强、强辐射等环境的技术需求,以火星探测和木星探测太阳电池阵设计分析为例,通过任务环境特点分析,给出了特殊服役环境下太阳电池选型方法,方阵设计与验证建议,对国内深空探测太阳电池阵设计具有一定参考意义。 展开更多

关键词 太阳电池阵 深空探测 低温低光强

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空间用太阳翼电路部分隔离二极管应用分析

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作者 王文强 陈城 +4 位作者 李健 周健 刘众鑫 刘志强 杨洪东 《上海航天（中英文）》 CSCD 2021年第5期41-45,共5页

针对空间太阳翼隔离二极管的应用,结合标准规范及太阳翼电路部分的工程设计约束与在轨应用经验,给出了空间太阳翼电路部分隔离二极管的设计方案;结合工程研制经验,给出了不同类型太阳翼电路部分隔离二极管的应用建议,为相关科研人员提... 针对空间太阳翼隔离二极管的应用,结合标准规范及太阳翼电路部分的工程设计约束与在轨应用经验,给出了空间太阳翼电路部分隔离二极管的设计方案;结合工程研制经验,给出了不同类型太阳翼电路部分隔离二极管的应用建议,为相关科研人员提供参考。 展开更多

关键词 空间 太阳翼电路部分 隔离二极管

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小型贯流锅炉给水处理中的反渗透技术应用 被引量：1

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作者 贾旭亮 杨洪东 《净水技术》 CAS 2012年第2期34-36,共3页

小型贯流锅炉具有效率高、节能、自动化程度高的特点,但对于给水水质要求也较高。与离子交换法相比,反渗透制水用于小型贯流锅炉给水时制水成本约5.04元/t,而离子交换的制水成本约2.83元/t,但反渗透的产水硬度、碱度、电导率都较离子交... 小型贯流锅炉具有效率高、节能、自动化程度高的特点,但对于给水水质要求也较高。与离子交换法相比,反渗透制水用于小型贯流锅炉给水时制水成本约5.04元/t,而离子交换的制水成本约2.83元/t,但反渗透的产水硬度、碱度、电导率都较离子交换水低,使锅炉的连续排污量和全排污量降低,从而节省了大量燃料费用,符合节能减排的要求。结果表明反渗透制水用于锅炉给水时,比离子交换制水更经济、操作更简单,应用前景广阔。 展开更多

关键词 锅炉给水 反渗透 离子交换

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