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CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器（英文）被引量：4: 1; 作者杨格亮王志功 +3 位作者李智群李芹刘法恩李竹《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期584-590,共7页; 陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器（LNA）.该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征：在28.5～39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27～42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最... 展开更多; 关键词毫米波宽带互补金属氧化物半导体(CMOS) 共栅低噪声放大器(LNA) 集成电路(IC); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种生物组织阻抗的侵入式测量与计算方法被引量：3: 2; 作者杨格亮孙万蓉胡方明《电子科技》 2010年第1期21-23,共3页; 从射频神经疼痛治疗仪的实际需要出发,根据生物组织的等效电路模型,提出一种有别于传统生物组织非侵入式阻抗的测量与计算方法。详细论述了测量电路的工作原理、剖析了测量方法。并根据测量数据,给出生物组织阻抗的计算方法。; 关键词生物组织有损测量等效电路模型最小二乘; 在线阅读下载PDF 职称材料

L波段四通道发射电路芯片的设计与实现被引量：5: 3; 作者王鑫华陈明辉杨格亮《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期504-509,共6页; 基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2-1.4 GHz的射频信号。电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号。针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网... 展开更多; 关键词发射芯片直接上变频有源RC滤波器双平衡混频器四通道 CMOS工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

平面螺旋电感优化设计方法被引量：3: 4; 作者吴迪杨格亮李斌《河北工业大学学报》 CAS 2017年第5期23-27,共5页; 平面螺旋电感是射频集成电路中广泛应用的重要器件,它决定着一些组成关键电路的主要性能指标,因此对于平面螺旋电感进行优化设计显得极为重要.文章主要介绍通过对比研究片上螺旋电感参考地的布图方式、参考地的宽度和参考地距离中心线... 展开更多; 关键词集成电路平面螺旋电感感值品质因子参考地; 在线阅读下载PDF 职称材料

宽中频CMOS下变频器单片被引量：2: 5; 作者杨格亮李斌《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第6期1603-1608,共6页; 该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器。该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦。为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术。测试结果表明,该下... 展开更多; 关键词 CMOS集成电路毫米波变频器宽中频; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种L波段的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器: 6; 作者王楠杨格亮陈超《中国集成电路》 2023年第7期53-56,71,共5页; 本文设计了一种集成了电平转换驱动电路的DC~2GHz的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器。分析了两种传统的开关型的T型和∏型衰减器的拓扑结构[1],通过对传统T型和∏型衰减器架构的改进,实现在DC~2GHz的高精度低附加相移的2位MMIC数... 展开更多; 关键词衰减器相控阵 GaAs 高精度低附加相移电平转换; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器（英文）被引量：4: 1; 作者杨格亮王志功李智群李芹刘法恩李竹; 机构东南大学射频与光电集成电路研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期584-590,共7页; 基金 Supported by the 973 project(2010CB327404) the 863 project(2011AA10305) National Natural Science Foundation of China(61106024,60901012); 文摘陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器（LNA）.该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征：在28.5～39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27～42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最小噪声系数（NF）为4.2dB,平均NF在27 ～ 42 GHz频段内为5.1 dB;S11在整个测试频段内小于-11 dB.40 GHz处输入三阶交调点（IIP3）的测试值为＋2 dBm.整个电路的直流功耗为5.3 mW.包括焊盘在内的芯片面积为0.58 mm×0.48 mm。; 关键词毫米波宽带互补金属氧化物半导体(CMOS) 共栅低噪声放大器(LNA) 集成电路(IC); Keywords millimeter-wave wide-band CMOS common-gate （CG） low-noise amplifier （LNA） integrated circuit （IC）; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种生物组织阻抗的侵入式测量与计算方法被引量：3: 2; 作者杨格亮孙万蓉胡方明; 机构西安电子科技大学电子工程学院; 出处《电子科技》 2010年第1期21-23,共3页; 文摘从射频神经疼痛治疗仪的实际需要出发,根据生物组织的等效电路模型,提出一种有别于传统生物组织非侵入式阻抗的测量与计算方法。详细论述了测量电路的工作原理、剖析了测量方法。并根据测量数据,给出生物组织阻抗的计算方法。; 关键词生物组织有损测量等效电路模型最小二乘; Keywords bioimpedance invasive measurement equivalent circuit model least squares; 分类号 TN710 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名L波段四通道发射电路芯片的设计与实现被引量：5: 3; 作者王鑫华陈明辉杨格亮; 机构中国电子科技集团公司第五十四研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期504-509,共6页; 基金河北省自然科学基金和重点基础研究专项资助项目(18960202D); 文摘基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2-1.4 GHz的射频信号。电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号。针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网络的双平衡混频器和多级可调电压增益放大器（VGA）并联形式的驱动放大器等技术,降低了输出谐波的幅度并提高输出功率。电路采用SMIC 0.13μm CMOS工艺进行了设计仿真和流片,芯片面积为3.6 mm×3.4 mm。测试结果表明,四通道直接上变频发射芯片的发射功率可达15.4 dBm,动态增益不小于36.3 dB,通道隔离度不小于43.3 dB。芯片的功耗为837.6 mW。; 关键词发射芯片直接上变频有源RC滤波器双平衡混频器四通道 CMOS工艺; Keywords transmitter chip direct up-conversion active RC filter double-balanced mixer fourchannel CMOS process; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名平面螺旋电感优化设计方法被引量：3: 4; 作者吴迪杨格亮李斌; 机构中国电子科技集团公司第五十四研究所; 出处《河北工业大学学报》 CAS 2017年第5期23-27,共5页; 基金 "十三五"预研项目(31513030301-6); 文摘平面螺旋电感是射频集成电路中广泛应用的重要器件,它决定着一些组成关键电路的主要性能指标,因此对于平面螺旋电感进行优化设计显得极为重要.文章主要介绍通过对比研究片上螺旋电感参考地的布图方式、参考地的宽度和参考地距离中心线圈的距离等3个方面的不同配置对片上螺旋电感的影响来研究参考地的优化设计.电磁场仿真结果显示,参考地的引入会降低电感的感值L、恶化电感的品质因子Q,参考地越窄或者参考地越远,电感的感值越大,Q值越高,因此,可以通过配置参考地实现片上螺旋电感的优化设计.; 关键词集成电路平面螺旋电感感值品质因子参考地; Keywords integrated circuit(IC) plate spiral inductor inductance quality factor reference ground; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名宽中频CMOS下变频器单片被引量：2: 5; 作者杨格亮李斌; 机构中国电子科技集团公司第五十四研究所; 出处《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第6期1603-1608,共6页; 基金河北省省级科技计划(18960202D)。; 文摘该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器。该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦。为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术。测试结果表明,该下变频器的中频带宽覆盖0.5~12 GHz。在频率为30 GHz、幅度为4 dBm的LO信号驱动下,电路的变频增益为–8.5~–5.5 dB。当固定IF为0.5 GHz、LO幅度为4 dBm时,变频增益随25~45 GHz的RF信号在–7.9~–5.9 dB范围内变化,波动幅度为2 dB。LO-IF,LO-RF,RF-IF的隔离度测试结果分别优于42,50,43 dB。该下变频器芯片采用TSMC 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.4 mm^(2)。; 关键词 CMOS集成电路毫米波变频器宽中频; Keywords CMOS integrated circuit Millimetre-wave Mixer Wide IF; 分类号 TN773 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种L波段的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器: 6; 作者王楠杨格亮陈超; 机构中国电子科技集团公司第五十四研究所通用软件与专用集成电路设计国家工程研究中心; 出处《中国集成电路》 2023年第7期53-56,71,共5页; 文摘本文设计了一种集成了电平转换驱动电路的DC~2GHz的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器。分析了两种传统的开关型的T型和∏型衰减器的拓扑结构[1],通过对传统T型和∏型衰减器架构的改进,实现在DC~2GHz的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器。该基于GaAs工艺的2位数控衰减器,芯片版图面积为1.38mm^(2),仿真结果表明,该衰减器在DC~2GHz频段范围内的插入损耗为0.93dB,30dB的绝对衰减误差<0.28dB,32dB的绝对衰减误差<0.23dB,3态的回波损耗均小于18.8dB,30dB的衰减附加相移为0度,32dB衰减附加相移小于0.34度,电平转换驱动电路可实现输出一对41uV、4.99V电平。; 关键词衰减器相控阵 GaAs 高精度低附加相移电平转换; Keywords attenuator phased array system GaAs high-precision low insertion loss level shift; 分类号 TN715 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器（英文）	杨格亮王志功李智群李芹刘法恩李竹	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种生物组织阻抗的侵入式测量与计算方法	杨格亮孙万蓉胡方明	《电子科技》	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	L波段四通道发射电路芯片的设计与实现	王鑫华陈明辉杨格亮	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	平面螺旋电感优化设计方法	吴迪杨格亮李斌	《河北工业大学学报》 CAS	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	宽中频CMOS下变频器单片	杨格亮李斌	《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种L波段的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器	王楠杨格亮陈超	《中国集成电路》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料