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瞬时辐射对80C31单片机性能的影响
被引量：
7
1
作者
周开明
谢泽元
杨有莉
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期981-984,共4页
研究了80C31单片机瞬时剂量率辐射特性和闭锁电流随“闪光-1”γ射线剂量率的变化规律,分析了80C31单γ片机在浅和深闭锁时具有不同的电流特性。
关键词
80C31单片机
剂量率
闭锁电流
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职称材料
题名
瞬时辐射对80C31单片机性能的影响
被引量：
7
1
作者
周开明
谢泽元
杨有莉
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期981-984,共4页
文摘
研究了80C31单片机瞬时剂量率辐射特性和闭锁电流随“闪光-1”γ射线剂量率的变化规律,分析了80C31单γ片机在浅和深闭锁时具有不同的电流特性。
关键词
80C31单片机
剂量率
闭锁电流
Keywords
80C31 single-chip microcontrollers
dose rate
latchup current
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
瞬时辐射对80C31单片机性能的影响
周开明
谢泽元
杨有莉
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
7
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